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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TIG058E8-TL-H onsemi TIG058E8-TL-H 0.8200
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TIG058 Estándar 8-ECH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - 400 V 150 A 5.6V @ 4V, 100A - -
FGH4L50T65SQD onsemi FGH4L50T65SQD -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-FGH4L50T65SQD EAR99 8541.29.0095 1.350
NGB8206ANTF4G onsemi Ngb8206antf4g 1.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NGB8206 Lógica 150 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 700 300V, 9A, 1KOHM, 5V - 390 V 20 A 50 A 1.9V @ 4.5V, 20a - -/5 µs
FQPF27N25 onsemi FQPF27N25 2.6500
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF27 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 110mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 55W (TC)
NVMFS5C460NT1G onsemi Nvmfs5c460nt1g 1.5500
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 19a (TA), 71a (TC) 10V 5.3mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 50W (TC)
NDF08N50ZG onsemi NDF08N50ZG -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero NDF08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8.5A (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1095 pf @ 25 V - 35W (TC)
FDG6301N-F085 onsemi FDG6301N-F085 -
RFQ
 ECAD 6016 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6301 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 25V 220 mm 4ohm @ 220 mm, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 9.5pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
PN3566_D75Z onsemi PN3566_D75Z -
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 10 Ma, 100 Ma 150 @ 10mA, 10V -
NGB8207ANT4G onsemi Ngb8207ant4g -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NGB820 Lógica 165 W D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 - - 365 V 20 A 50 A 2.2V @ 3.7V, 10a - -
FGPF90N30 onsemi FGPF90N30 -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FGPF9 Estándar 56.8 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - 300 V 220 A 1.55V @ 15V, 30a - 93 NC -
FDMD8430 onsemi FDMD8430 -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMD84 Mosfet (Óxido de metal) 2.1W (TA), 29W (TC) 8-PQFN (3.3x5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 30V 28a (TA), 95A (TC) 2.12mohm @ 28a, 10v 3V @ 250 µA 90nc @ 10V 5035pf @ 15V -
MMBT3906LT1 onsemi Mmbt3906lt1 0.0200
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FQA28N15_F109 onsemi FQA28N15_F109 -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 90mohm @ 16.5a, 10v 4V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 25V 1600 pf @ 25 V - 227W (TC)
2SK3748-1E onsemi 2SK3748-1E -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-94 2SK3748 Mosfet (Óxido de metal) TO-3PF-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 4A (TA) 10V 7ohm @ 2a, 10v - 80 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 30 V - 3W (TA), 65W (TC)
FGA25S125P-SN00337 onsemi FGA25S125P-SN00337 -
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA25S125 Estándar 250 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1250 V 50 A 75 A 2.35V @ 15V, 25A 1.09mj (Encendido), 580 µJ (apagado) 204 NC 24ns/502ns
MPS5172RLRMG onsemi Mps5172rlrmg -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS517 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 100 mA 100na NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 100 @ 10mA, 10V -
SI4467DYBAA005AP onsemi Si444467DYBAA005AP -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - - - Si4467 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SI4467DYBAA005APTR EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - - - - -
2SK2161 onsemi 2SK2161 0.9200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 325
NJVMJD112T4G onsemi Njvmjd112t4g 0.8300
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd112 20 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 2 A 20 µA NPN - Darlington 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2a, 3V 25MHz
FJP13009 onsemi FJP13009 -
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FJP13009 100 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.200 400 V 12 A - NPN 3V @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5v 4MHz
FDMS7694 onsemi FDMS7694 0.8800
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS76 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 13.2a (TA), 20a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.2a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1410 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
MUN2234T1G onsemi Mun2234t1g -
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2234 338 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 22 kohms 47 kohms
FQPF13N06 onsemi FQPF13N06 -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 9.4a (TC) 10V 135mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 24W (TC)
2SC3330T onsemi 2SC3330T -
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
MTD1312T4 onsemi Mtd1312t4 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
NTUD3170NZT5G onsemi NTUD3170NZT5G 0.6400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-963 NTUD3170 Mosfet (Óxido de metal) 125MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 220 mm 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 12.5pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FGH20N60SFDTU onsemi FGH20N60SFDTU 3.8000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH20 Estándar 165 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2266-FGH20N60SFDTU EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V 34 ns Parada de Campo 600 V 40 A 60 A 2.8V @ 15V, 20a 370 µJ (Encendido), 160 µJ (apagado) 65 NC 13ns/90ns
NVMFS5C677NLT1G onsemi Nvmfs5c677nlt1g 1.4200
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2V @ 25 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
FJX945YTF onsemi Fjx945ytf -
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX945 200 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FQU2N60CTU onsemi Fqu2n60ctu -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU2N60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 600 V 1.9a (TC) 10V 4.7ohm @ 950mA, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 235 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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