SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTTFS002N04CTAG onsemi Nttfs002n04tag 1.0805
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
KSD1221YTU onsemi Ksd1221ytu -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA KSD1221 1 W I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 60 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 300 Ma, 3a 100 @ 500 mA, 5V 3MHz
NTB6N60 onsemi NTB6N60 0.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
KSC1507YTU onsemi Ksc1507ytu -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC1507 15 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 300 V 200 µA 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 5 mm, 50 Ma 120 @ 10mA, 10V 80MHz
CPH6429-TL-E onsemi CPH6429-TL-E 0.1500
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TA) 220mohm @ 1a, 4V - 4.2 NC @ 4 V 325 pf @ 20 V - 1.6w (TA)
J310_D75Z onsemi J310_D75Z -
RFQ
 ECAD 8740 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 25 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J310 450MHz Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 N-canal 60mera 10 Ma - 12dB 3DB 10 V
FQH140N10 onsemi Fqh140n10 -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Fqh1 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 100 V 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 25V 7900 pf @ 25 V - 375W (TC)
KSC2001GTA onsemi KSC2001GTA -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC2001 600 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 70 mm, 700 mA 200 @ 100 mapa, 1v 170MHz
FDPC8014S onsemi FDPC8014S 1.2353
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDPC8014 Mosfet (Óxido de metal) 2.1W, 2.3W Clip de Alimentación 56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 20a, 41a 3.8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 35nc @ 10V 2375pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
FQD12N20LTF onsemi Fqd12n20ltf -
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 9A (TC) 5V, 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 1080 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
BC237A_J35Z onsemi BC237A_J35Z -
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC237 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 5V 250MHz
FDMC86340 onsemi FDMC86340 2.0300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 14a (TA), 48a (TC) 8V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 3885 pf @ 40 V - 2.3W (TA), 54W (TC)
KSP12BU onsemi Ksp12bu -
RFQ
 ECAD 3362 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP12 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 20 V 100na NPN - Darlington 1V @ 10 µA, 10 Ma 20000 @ 10mA, 5V -
MJD42CRL onsemi Mjd42crl -
RFQ
 ECAD 4186 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD42 1.75 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 100 V 6 A 50 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
VEC2315-TL-H onsemi VEC2315-TL-H -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Vec2315 Mosfet (Óxido de metal) 1W SOT-28FL/VEC8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 60V 2.5a 137mohm @ 1.5a, 10V - 11NC @ 10V 420pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
NTP60N06LG onsemi NTP60N06LG -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP60N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 60A (TA) 5V 16mohm @ 30a, 5V 2V @ 250 µA 65 NC @ 5 V ± 15V 3075 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 150W (TJ)
2SB892S onsemi 2SB892S 0.1400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
IRLS640A onsemi IRLS640A 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IRLS640 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9.8a (TC) 5V 180mohm @ 4.9a, 5V 2V @ 250 µA 56 NC @ 5 V ± 20V 1705 pf @ 25 V - 40W (TC)
EMH2407-S-TL-H onsemi EMH2407-S-TL-H -
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano EMH2407 - - 8-EMH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
FW257-TL-E onsemi FW257-TL-E -
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FW257-TL-E-488 1 N-canal 100 V 2a (TA) 4V, 10V 220mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 20V 530 pf @ 20 V - 1.4W (TA)
TIP50TU onsemi Tip50tu -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP50 2 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-tip50tu EAR99 8541.29.0095 1,000 400 V 1 A 1mera NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
MCH3105-TL-E onsemi MCH3105-TL-E -
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MCH3105 800 MW 3 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 2a 200 @ 100 mapa, 2v 360MHz
FJN4308RTA onsemi Fjn4308rta -
RFQ
 ECAD 4708 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
NVMFS5C466NLWFT1G onsemi Nvmfs5c466nlwft1g 0.7591
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 16a (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 30 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
NTMS4816NR2G onsemi Ntms4816nr2g 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS4816 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 780MW (TA)
FDN8601 onsemi FDN8601 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN860 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 2.7a (TA) 6V, 10V 109mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 210 pf @ 50 V - 1.5W (TA)
NTMTS0D7N06CTXG onsemi NTMTS0D7N06CTXG 12.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ntmts0 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 60.5a (TA), 464A (TC) 10V 0.72mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 152 NC @ 10 V ± 20V 11535 pf @ 30 V - 5W (TA), 294.6W (TC)
CPH3437-TL-E onsemi CPH3437-TL-E 0.1500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 3.000
FQPF65N06 onsemi FQPF65N06 -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 40A (TC) 10V 16mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 56W (TC)
MVB50P03HDLT4G onsemi MVB50P03HDLT4G -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MVB50 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 50A (TC) 5V 25mohm @ 25A, 5V 2V @ 250 µA 100 NC @ 5 V ± 15V 4900 pf @ 25 V - 125W (TC)
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  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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