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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
NVD4810NT4G onsemi Nvd4810nt4g -
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD481 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9A (TA), 54A (TC) 4.5V, 11.5V 10mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 1350 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 50W (TC)
MUN5236DW1T1G onsemi MUN5236DW1T1G 0.3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun5236 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 100 kohms 100 kohms
NTB30N06LG onsemi Ntb30n06lg -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 30A (TA) 5V 46mohm @ 15a, 5V 2V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 15V 1150 pf @ 25 V - 88.2W (TC)
FQA19N60 onsemi FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA19 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 600 V 18.5A (TC) 10V 380mohm @ 9.3a, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 300W (TC)
NZT6726 onsemi NZT6726 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NZT67 1 W SOT-223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
FDD1600N10ALZ onsemi Fdd1600n10alz 1.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD1600 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 6.8a (TC) 5V, 10V 160mohm @ 3.4a, 10v 2.8V @ 250 µA 3.61 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 50 V - 14.9W (TC)
2SA1435 onsemi 2SA1435 0.2200
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
FDC642P-F085P onsemi FDC642P-F085P -
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC642 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 9 NC @ 4.5 V ± 8V 630 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
FJV992PMTF onsemi Fjv992pmtf -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV992 300 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 120 V 50 Ma - PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 1 MMA, 6V 50MHz
HUF75631S3S onsemi HUF75631S3S -
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 33a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1220 pf @ 25 V - 120W (TC)
NTMFS4C810NAT1G onsemi NTMFS4C810NAT1G 0.4094
RFQ
 ECAD 4481 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTMFS4C810NAT1GTR EAR99 8541.21.0095 1.500 N-canal 30 V 8.2a (TA), 46a (TC) 4.5V, 10V 5.88mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 18.6 NC @ 10 V ± 20V 987 pf @ 15 V - 750MW (TA), 23.6W (TC)
DTC124ERLRA onsemi Dtc124erlra -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 onde * Una granela Activo DTC124 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0095 8,000
FJAF6806DYDTBTU onsemi Fjaf6806dydtbtu -
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAF6806 50 W Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 750 V 6 A 1mera NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5v -
TN6717A onsemi TN6717A -
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN6717 1 W Un 226-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 80 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN 350mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V -
MSB92T1 onsemi MSB92T1 -
RFQ
 ECAD 6880 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSB92 150 MW SC-59 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 150 Ma 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
FDZ2553NZ onsemi FDZ2553NZ -
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 18-BGA (2.5x4) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18NC @ 5V 1240pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMBTH10LT3G onsemi Mmbth10lt3g 0.2700
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbth10 225MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 - 25V - NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
MJ4502G onsemi MJ4502G 8.7100
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 onde - Banda Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 MJ4502 200 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 100 V 30 A 1MA (ICBO) PNP 800mv @ 750 mm, 7.5a 25 @ 7.5a, 2v 2MHz
NGTB50N120FL2WAG onsemi NGTB50N120FL2WAG 1.0000
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-NGTB50N120FL2WAG-488 1
BC557BTFR onsemi BC557BTFR -
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC557 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
NSBC144TF3T5G onsemi NSBC144TF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBC144 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 120 @ 5mA, 10V 47 kohms
NTMFS4837NHT3G onsemi Ntmfs4837nht3g -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 10.2a (TA), 75A (TC) 4.5V, 11.5V 5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 23.8 NC @ 4.5 V ± 20V 3016 pf @ 12 V - 880MW (TA), 48W (TC)
FPN530 onsemi FPN530 -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO FPN5 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.500 30 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 2v 150MHz
PN2907A_J18Z onsemi PN2907A_J18Z -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN290 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
NTMSD3P102R2SG onsemi NTMSD3P102R2SG -
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ntmsd3 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 2.34a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.05a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 16 V Diodo Schottky (Aislado) 730MW (TA)
CPH5518-TL-H onsemi CPH5518-TL-H -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 CPH5518 1.2w 5-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 80V, 50V 1A 100NA (ICBO) NPN, PNP (emisor acoplado) 190mv @ 10 Ma, 500 Ma 200 @ 100 mapa, 2v 420MHz
NSVBA114EDXV6T1G onsemi NSVBA114EDXV6T1G 0.1154
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSVBA114 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V - 10 kohms 10 kohms
RJK03E2DNS-00#J5 onsemi RJK03E2DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-HWSON (3.3x3.3) - 2156-RJK03E2DNS-00#J5 1 N-canal 30 V 16a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 1MA 1.8 NC @ 4.5 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 12.5W (TC)
NTD50N03R-35G onsemi NTD50N03R-35G -
RFQ
 ECAD 6077 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD50 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 7.8a (TA), 45A (TC) 4.5V, 11.5V 12mohm @ 30A, 11.5V 2V @ 250 µA 15 NC @ 11.5 V ± 20V 750 pf @ 12 V - 1.5W (TA), 50W (TC)
MJ11015G onsemi MJ11015G 8.8200
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 onde - Banda Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 MJ11015 200 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MJ11015GOS EAR99 8541.29.0095 100 120 V 30 A 1mera PNP - Darlington 4V @ 300 Ma, 30a 1000 @ 20a, 5V 4MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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