SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Drenaje real (ID) - Max
HUFA76629D3S onsemi HUFA76629D3S -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
MTD3N25E1 onsemi Mtd3n25e1 0.4600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 onde * Una granela Activo Mtd3n - descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
FQA28N50_F109 onsemi FQA28N50_F109 -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 28.4a (TC) 10V 160mohm @ 14.2a, 10v 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
MMBF4392LT1 onsemi Mmbf4392lt1 -
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MMBF43 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
AFGHL40T120RHD onsemi AfGHL40T120RHD -
RFQ
ECAD 1619 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Afghl40 Estándar 400 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-AFGHL40T120RHD EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 5ohm, 15V 195 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 48 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 3.7MJ (Encendido), 1.2mj (apagado) 277 NC 37ns/150ns
3LN01M-TL-H onsemi 3LN01M-TL-H -
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 3LN01 Mosfet (Óxido de metal) SC-70 / MCP3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 150MA (TA) 1.5V, 4V 3.7ohm @ 80mA, 4V - 1.58 NC @ 10 V ± 10V 7 pf @ 10 V - 150MW (TA)
EMF23XV6T5G onsemi EMF23XV6T5G 0.0600
RFQ
ECAD 88 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-EMF23XV6T5G-488 1
MMBT4124LT1G onsemi Mmbt4124lt1g 0.3000
RFQ
ECAD 395 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4124 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 300MHz
MCH6353-TL-W onsemi MCH6353-TL-W 0.5100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6353 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 35mohm @ 3a, 4.5V - 12 NC @ 4.5 V ± 10V 1250 pf @ 6 V - 1.4W (TA)
2SK596S-C onsemi 2SK596S-C -
RFQ
ECAD 7342 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-72 2SK596 100 MW 3-spa - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 N-canal 4.1pf @ 5V 210 µA @ 5 V 500 MV @ 1 µA 1 MA
FAM04V18DT1 onsemi FAM04V18DT1 -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto FAM04 - descascar 488-FAM04V18DT1 Obsoleto 1 -
CPH6202-TL-E onsemi CPH6202-TL-E 0.1400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 3.000
NTHL065N65S3F onsemi NTHL065N65S3F 12.5200
RFQ
ECAD 4135 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL065 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 65mohm @ 23a, 10v 5V @ 4.6MA 98 NC @ 10 V ± 30V 4075 pf @ 400 V - 337W (TC)
AFGHL25T120RHD onsemi AfGHL25T120RHD -
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Afghl25 Estándar 261 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-AFGHL25T120RHD EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25a, 5ohm, 15V 159 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 48 A 100 A 2.4V @ 15V, 25A 1.94mj (Encendido), 770 µJ (apagado) 189 NC 27ns/118ns
SGB8206NSL3G onsemi Sgb8206nsl3g 0.4100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 onde * Una granela Activo SGB8206 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1
NTLUS3A39PZCTBG onsemi Ntlus3a39pzctbg -
RFQ
ECAD 4799 0.00000000 onde µCool ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn Ntlus3a Mosfet (Óxido de metal) 6-udfn (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.4a (TA) 1.5V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 10.4 NC @ 4.5 V ± 8V 920 pf @ 15 V - 600MW (TA)
SMMBT2907ALT3G onsemi SMMBT2907Alt3g 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT2907 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
MMBT2222ATT1 onsemi Mmbt2222att1 0.0200
RFQ
ECAD 186 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 MMBT2222 150 MW SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 600 mA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
NTMFS5C677NLT1G onsemi Ntmfs5c677nlt1g 4.8059
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2V @ 25 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
FQD10N20CTF onsemi Fqd10n20ctf -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 7.8a (TC) 10V 360mohm @ 3.9a, 10v 4V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 50W (TC)
DTA124EXV3T1 onsemi Dta124exv3t1 0.0200
RFQ
ECAD 99 0.00000000 onde * Una granela Activo Dta124 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
FDMS8690 onsemi FDMS8690 -
RFQ
ECAD 8209 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14a (TA), 27a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37.8W (TC)
NTD4910NT4G onsemi Ntd4910nt4g -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.2a (TA), 37a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15.4 NC @ 10 V ± 20V 1203 pf @ 15 V - 1.37W (TA), 27.3W (TC)
FQN1N60CBU onsemi Fqn1n60cbu -
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Fqn1 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 11.5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
FW256-TL-E onsemi FW256-TL-E -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FW256-TL-E-488 1
FQPF10N60CYDTU onsemi Fqpf10n60cydtu -
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQU13N06TU onsemi FQU13N06TU -
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 60 V 10a (TC) 10V 140mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
HUF75345G3 onsemi HUF75345G3 4.4500
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUF75345 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
NTHD3102CT1G onsemi NTHD3102CT1G 1.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD3102 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 4a, 3.1a 45mohm @ 4.4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 7.9nc @ 4.5V 510pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MPS5172RLRM onsemi Mps5172rlrm -
RFQ
ECAD 4486 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS517 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 100 mA 100na NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 100 @ 10mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock