SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
VN2222LLRLRAG onsemi Vn2222llrlrag -
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) VN2222 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 150MA (TA) 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 400MW (TA)
NTTFS4840NTAG onsemi Nttfs4840ntag -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 4.6a (TA), 26a (TC) 4.5V, 11.5V 24mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 10.8 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 15 V - 840MW (TA), 27.8W (TC)
NVC6S5A354PLZT1G onsemi NVC6S5A354PLZT1G -
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NVC6S5 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 4A (TA) 4V, 10V 100mohm @ 2a, 10v 2.6V @ 1MA 14 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 20 V - 1.9W (TA)
FDD8424H-F085A onsemi FDD8424H-F085A -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad FDD8424 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w TO-252 (DPAK) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 9a, 6.5a 24mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V 1000pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
FGH40T120SMD-F155 onsemi FGH40T120SMD-F155 9.6300
RFQ
 ECAD 4809 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH40 Estándar 555 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 65 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 2.7MJ (Encendido), 1.1mj (apaguado) 370 NC 40ns/475ns
2SK3119-TD-E onsemi 2SK3119-TD-E 0.2300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
NTMFD024N06CT1G onsemi Ntmfd024n06ct1g 1.3418
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFD024 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W (TA), 28W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTMFD024N06CT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 8a (TA), 24a (TC) 22.6mohm @ 3a, 10v 4V @ 20 µA 5.7nc @ 10V 333pf @ 30V -
NTA4153NT3G onsemi Nta4153nt3g -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 NTA4153 Mosfet (Óxido de metal) SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 915MA (TA) 1.5V, 4.5V 230MOHM @ 600MA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.82 NC @ 4.5 V ± 6V 110 pf @ 16 V - 300MW (TJ)
NTHC5513T1 onsemi NTHC5513T1 -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHC5513 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTHC5513T1OS EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 2.9a, 2.2a 80mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQA7N90M_F109 onsemi FQA7N90M_F109 -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA7 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 7a (TC) 10V 1.8ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 210W (TC)
NDS8936 onsemi NDS8936 -
RFQ
 ECAD 3558 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS893 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5.3a 35mohm @ 5.3a, 10V 2.8V @ 250 µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NDS7002A onsemi NDS7002A 0.3500
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NDS7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 300MW (TA)
NVTFWS8D1N08HTAG onsemi Nvtfws8d1n08htag 0.5660
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFNW (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvtfws8d1n08htagtr EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 14a (TA), 61a (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 16a, 10v 4V @ 270 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 75W (TC)
KSD471ACGBU onsemi Ksd471acgbu -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD471 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
NSV40501UW3T2G onsemi NSV40501UW3T2G 0.2254
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 3 wdfn NSV405 875 MW 3-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 150mv @ 400mA, 4A 200 @ 2a, 2v 150MHz
FDS6682 onsemi FDS6682 -
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS66 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2310 pf @ 15 V - 1W (TA)
NTP75N06L onsemi NTP75N06L -
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP75N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP75N06LOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TA) 5V 11mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250 µA 92 NC @ 5 V ± 20V 4370 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
BC640 onsemi BC640 -
RFQ
 ECAD 3197 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC640 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
2SC6094-TD-E onsemi 2SC6094-TD-E -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SC6094 1.3 W PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 3 A 1 µA (ICBO) NPN 120mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 390MHz
FJN3304RBU onsemi Fjn3304rbu -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN330 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
NTD80N02-001 onsemi NTD80N02-001 -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD80 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 24 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 2600 pf @ 20 V - 75W (TC)
FX510-N-TL-E onsemi FX510-N-TL-E 0.3700
RFQ
 ECAD 452 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000
FGY100T65SCDT onsemi Fgy100t65scdt -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Fgy100 Estándar 750 W TO-247-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 100A, 4.7OHM, 15V 62 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 200 A 300 A 1.9V @ 15V, 100A 5.4mj (Encendido), 3.8mj (apaguado) 157 NC 84ns/216ns
FJX733RTF onsemi Fjx733rtf -
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX733 200 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 1 MMA, 6V 180MHz
NSVMUN5135DW1T1G onsemi NSVMUN5135DW1T1G 0.4200
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5135 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 2.2 kohms 47 kohms
MCH3409-TL-E onsemi MCH3409-TL-E 0.1100
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
2SK3737-5-TL-E onsemi 2SK3737-5-TL-E -
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 15 V Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SK3737 - Mosfet 3-MCP - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 N-canal 12mera - 35dB 2db 10 V
FJI5603DTU onsemi Fji5603dtu 1.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FJI5603 100 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 800 V 3 A 100 µA NPN 2.5V @ 200MA, 1A 20 @ 400mA, 3V 5MHz
FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F-F085 11.5800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH077 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 54a (TC) 10V 77mohm @ 27a, 10v 5V @ 250 µA 164 NC @ 10 V ± 20V 7162 pf @ 25 V - 481W (TC)
2N5459 onsemi 2N5459 -
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 ECAD 7738 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5459 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 7pf @ 15V 25 V 4 Ma @ 15 V 2 v @ 10 na
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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