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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FQD10N20LTF onsemi Fqd10n20ltf -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 7.6a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
NTHS5402T1 onsemi NTHS5402T1 -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Nths54 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
FDS5690 onsemi FDS5690 0.9500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds56 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 7a (TA) 6V, 10V 28mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1107 pf @ 30 V - 2.5W (TA)
FGA40S65SH onsemi FGA40S65SH -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA40S65 Estándar 268 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 6ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 1.81V @ 15V, 40A 194 µJ (ON), 388 µJ (OFF) 73 NC 19.2ns/68.8ns
FGA50N100BNTDTU onsemi FGA50N100BNTDTU -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA50N100 Estándar 156 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 - 1.5 µs Npt y trinchera 1000 V 50 A 100 A 2.9V @ 15V, 60A - 275 NC -
NTB30N20T4G onsemi NTB30N20T4G -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 30A (TA) 10V 81mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 2335 pf @ 25 V - 2W (TA), 214W (TC)
MUN2214T1 onsemi Mun2214t1 -
RFQ
 ECAD 7705 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mun2214 338 MW SC-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
NTMS4101PR2 onsemi NTMS4101PR2 -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS41 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTMS4101PR2OS EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 6.9a (TA) 2.5V, 4.5V 19mohm @ 6.9a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 32 NC @ 4.5 V ± 8V 3200 pf @ 10 V - 1.38W (TJ)
MPSA70RLRM onsemi MPSA70RLRM -
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA70 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 5 MMA, 10V 125MHz
MCH6344-TL-H onsemi MCH6344-TL-H -
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6344 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2a (TA) 4V, 10V 150mohm @ 1a, 10v - 3.9 NC @ 10 V ± 20V 172 pf @ 10 V - 800MW (TA)
KSP13TA onsemi Ksp13ta 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP13 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
EMC3DXV5T1G onsemi EMC3DXV5T1G 0.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 50V - Montaje en superficie SOT-553 EMC3DXV5 SOT-553 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 100mA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual)
NVMJD016N06CTWG onsemi Nvmjd016n06ctwg 0.6108
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Nvmjd016 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvmjd016n06ctwgtr EAR99 8541.29.0095 3.000 -
2SA984KF-AA onsemi 2SA984KF-AA 0.0800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
2SB926S-AA onsemi 2SB926S-AA 0.0900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1
FDBL9406-F085T6 onsemi FDBL9406-F085T6 5.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN FDBL9406 Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDBL9406-F085T6TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 45a (TA), 240a (TC) 1.21mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 190 µA 75 NC @ 10 V +20V, -16V 4960 pf @ 25 V - 4.3W (TA), 136.4W (TC)
FQI7N10LTU onsemi Fqi7n10ltu -
RFQ
 ECAD 1391 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI7 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 7.3a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 2V @ 250 µA 6 NC @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
NTLGF3501NT2G onsemi NTLGF3501NT2G -
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla NTLGF3501 Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.4a, 4.5V 2V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 12V 275 pf @ 10 V - 1.14W (TA)
FQP3P50 onsemi Fqp3p50 1.6900
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 onde QFET® Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 500 V 2.7a (TC) 10V 4.9ohm @ 1.35a, 10V 5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 30V 660 pf @ 25 V - 85W (TC)
MVDF2C03HDR2G onsemi MVDF2C03HDR2G -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mvdf2 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 30V 4.1a, 3a 70mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 16NC @ 10V 630pf @ 24V Puerta de Nivel Lógico
ZSPM9000AI1R onsemi ZSPM9000AI1R -
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 onde * Una granela Obsoleto ZSPM90 - No Aplicable Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
SMMBT6521LT1G onsemi SMMBT6521LT1G 0.5800
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT6521 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 25 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 300 @ 2mA, 10V -
EFC4C002NLTDG onsemi EFC4C002NLTDG 4.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 Mosfet (Óxido de metal) 2.6w 8-WLCSP (6x2.5) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 canales (dual) Drenaje Común - - - 2.2V @ 1MA 45nc @ 4.5V 6200pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SFT1342-E onsemi SFT1342-E -
RFQ
 ECAD 2306 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SFT134 Mosfet (Óxido de metal) Ipak/tp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 60 V 12a (TA) 4V, 10V 62mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 20 V - 15W (TC)
IRLI510ATU onsemi IRLI510ATU -
RFQ
 ECAD 8031 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRLI51 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 5.6a (TC) 5V 440mohm @ 2.8a, 5V 2V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 20V 235 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 37W (TC)
NDS356AP onsemi NDS356AP -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NDS356 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1.1a (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.3a, 10v 2.5V @ 250 µA 4.4 NC @ 5 V ± 20V 280 pf @ 10 V - 500MW (TA)
NSBA143TDXV6T5 onsemi Nsba143tdxv6t5 0.0500
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000
NTHC5513T1G onsemi NTHC5513T1G 1.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHC5513 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 2.9a, 2.2a 80mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
TIP142G onsemi TIP142G 2.4700
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP142 125 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 100 V 10 A 2mera NPN - Darlington 3V @ 40 mm, 10a 1000 @ 5a, 4V -
FDMS1D5N03 onsemi FDMS1D5N03 -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS1D5 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 218a (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 40a, 10V 2V @ 250 µA 63 NC @ 4.5 V ± 16V 9690 pf @ 15 V - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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