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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MCH6353-TL-W onsemi MCH6353-TL-W 0.5100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6353 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 35mohm @ 3a, 4.5V - 12 NC @ 4.5 V ± 10V 1250 pf @ 6 V - 1.4W (TA)
NTMFS5C677NLT1G onsemi Ntmfs5c677nlt1g 4.8059
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2V @ 25 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
AFGHL25T120RHD onsemi AfGHL25T120RHD -
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Afghl25 Estándar 261 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-AFGHL25T120RHD EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25a, 5ohm, 15V 159 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 48 A 100 A 2.4V @ 15V, 25A 1.94mj (Encendido), 770 µJ (apagado) 189 NC 27ns/118ns
NTHL065N65S3F onsemi NTHL065N65S3F 12.5200
RFQ
 ECAD 4135 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL065 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 65mohm @ 23a, 10v 5V @ 4.6MA 98 NC @ 10 V ± 30V 4075 pf @ 400 V - 337W (TC)
MMBT4124LT1G onsemi Mmbt4124lt1g 0.3000
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4124 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 300MHz
FDMS8690 onsemi FDMS8690 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14a (TA), 27a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37.8W (TC)
FQPF10N60CYDTU onsemi Fqpf10n60cydtu -
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 50W (TC)
FW256-TL-E onsemi FW256-TL-E -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FW256-TL-E-488 1
FQU13N06TU onsemi FQU13N06TU -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 60 V 10a (TC) 10V 140mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQN1N60CBU onsemi Fqn1n60cbu -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Fqn1 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 11.5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
DTA124EXV3T1 onsemi Dta124exv3t1 0.0200
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 onde * Una granela Activo Dta124 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
NTD4910NT4G onsemi Ntd4910nt4g -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.2a (TA), 37a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15.4 NC @ 10 V ± 20V 1203 pf @ 15 V - 1.37W (TA), 27.3W (TC)
HUF75345G3 onsemi HUF75345G3 4.4500
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUF75345 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
2N6725 onsemi 2N6725 -
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero Un 237AA 2N6725 1 W Un 237 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 50 V 1 A - NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V -
HUFA76619D3ST onsemi HUFA76619D3ST -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
MTAJ30N06ELFK onsemi MTaj30n06elfk 1.8500
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
NTHD3102CT1G onsemi NTHD3102CT1G 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD3102 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 4a, 3.1a 45mohm @ 4.4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 7.9nc @ 4.5V 510pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
KSB834Y onsemi KSB834Y -
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB834 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 300 Ma, 3a 100 @ 500 mA, 5V 9MHz
MCH6321-TL-W onsemi MCH6321-TL-W -
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH63 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 83mohm @ 2a, 4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ± 10V 375 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
FCH041N60E onsemi FCH041N60E 13.2800
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 onde Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH041 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 77a (TC) 10V 41mohm @ 39a, 10v 3.5V @ 250 µA 380 NC @ 10 V ± 20V 13700 pf @ 100 V - 592W (TC)
BC337-40RL1 onsemi BC337-40RL1 -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC337 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 210MHz
KSA642OBU onsemi Ksa642obu -
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA642 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 70 @ 50mA, 1V -
FDMS0306AS onsemi FDMS0306As 1.4300
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS0306 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 26a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 26a, 10v 3V @ 1MA 57 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 59W (TC)
FQD10N20LTF onsemi Fqd10n20ltf -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 7.6a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
NTHS5402T1 onsemi NTHS5402T1 -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Nths54 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
FDS5690 onsemi FDS5690 0.9500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds56 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 7a (TA) 6V, 10V 28mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1107 pf @ 30 V - 2.5W (TA)
FGA40S65SH onsemi FGA40S65SH -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA40S65 Estándar 268 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 6ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 1.81V @ 15V, 40A 194 µJ (ON), 388 µJ (OFF) 73 NC 19.2ns/68.8ns
FGA50N100BNTDTU onsemi FGA50N100BNTDTU -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA50N100 Estándar 156 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 - 1.5 µs Npt y trinchera 1000 V 50 A 100 A 2.9V @ 15V, 60A - 275 NC -
BC368_D27Z onsemi BC368_D27Z -
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC368 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 45MHz
NTB30N20T4G onsemi NTB30N20T4G -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 30A (TA) 10V 81mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 2335 pf @ 25 V - 2W (TA), 214W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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