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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MPS751RLRA onsemi Mps751rlra -
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MPS751 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
HUF75343G3 onsemi HUF75343G3 -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUF75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
DTA144WET1 onsemi Dta144wet1 -
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTA144 200 MW SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 22 kohms
BC81816MTF onsemi BC81816MTF -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 110 @ 100mA, 1V 100MHz
NTPF190N65S3H onsemi NTPF190N65S3H 4.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 16a (TJ) 10V 190mohm @ 8a, 10v 4V @ 1.4MA 31 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 400 V - 32W (TC)
BC182LA onsemi BC182LA -
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC182 Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA - NPN - - -
2SC3086M onsemi 2SC3086M 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - 2156-2SC3086M 577
FJE3303H2TU onsemi FJE3303H2TU 0.7400
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 onde - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 FJE3303 20 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 400 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
BC546ATAR onsemi BC546ATAR -
RFQ
 ECAD 2515 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC546 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
MJD31C1G onsemi Mjd31c1g -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA MJD31 1.56 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 100 V 3 A 50 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
FDU8896 onsemi FDU8896 -
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FDU88 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 17A (TA), 94A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
BC338 onsemi BC338 -
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
NJVMJD45H11G onsemi Njvmjd45h11g 0.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd45 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 75 80 V 8 A 1 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 90MHz
FQD2N90TM onsemi Fqd2n90tm 1.3300
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD2N90 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 900 V 1.7a (TC) 10V 7.2ohm @ 850mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
MBT6429DW1T1 onsemi MBT6429DW1T1 -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MBT6429 150MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 200 MMA 100na 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 500 @ 100 µA, 5V 700MHz
SCH1331-S-TL-H onsemi SCH1331-S-TL-H -
RFQ
 ECAD 2309 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SCH133 - 6-SCH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - 3A (TJ) - - - -
NDS9947 onsemi NDS9947 -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS994 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 3.5a 100mohm @ 3.5a, 10v 3V @ 250 µA 13NC @ 10V 542pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HUF76639S3S onsemi HUF76639S3S -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF76 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 51a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 180W (TC)
MJH11022 onsemi MJH11022 -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 MJH11 150 W Sot-93 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MJH11022OS EAR99 8541.29.0095 30 250 V 15 A 1mera NPN - Darlington 4V @ 150 mm, 15a 400 @ 10a, 5V 3MHz
FJNS4209RBU onsemi Fjns4209rbu -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 4.7 kohms
NTD4860N-35G onsemi NTD4860N-35G -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 10.4a (TA), 65a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 16.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1308 pf @ 12 V - 1.28W (TA), 50W (TC)
KSB564ACYTA onsemi Ksb564acyta -
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSB56 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 110MHz
FDP047AN08A0 onsemi Fdp047an08a0 3.4800
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 onde Powertrench® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP047 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 310W (TC)
SS9012HTA onsemi SS9012HTA -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales SS9012 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50 mA, 500 mA 144 @ 50mA, 1V -
PN4249_D74Z onsemi PN4249_D74Z -
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN424 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 100 µA, 5V -
2SA1317S-AC onsemi 2SA1317S-AC 0.0500
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
NTB65N02RT4 onsemi NTB65N02RT4 -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB65 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTB65N02RT4OSTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 25 V 65a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 9.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1330 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
2SD1387TP-3 onsemi 2SD1387TP-3 -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
2SB1201T-E onsemi 2SB1201T-E -
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1201 800 MW TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 2v 150MHz
NVTFS6H860NWFTAG onsemi Nvtfs6h860nwftag 0.3799
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs6 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 8A (TA), 30A (TC) 10V 21.1mohm @ 5a, 10v 4V @ 30 µA 8.7 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 40 V - 3.1W (TA), 46W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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