SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
PN3567_D26Z onsemi PN3567_D26Z -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 1V -
MPSA44RL1 onsemi MPSA44RL1 -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA44 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 400 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
FDMD84100 onsemi FDMD84100 3.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMD84 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w Potencia 3.3x5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 100V 7A 20mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 16NC @ 10V 980pf @ 50V -
STMFS5C609NLT1G onsemi Stmfs5c609nlt1g 4.3826
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - - - Stmfs5 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 - - - - - - - -
BC308A onsemi BC308A -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC308 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 120 @ 2mA, 5V 130MHz
MPSA18RLRP onsemi MPSA18RLRP -
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA18 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 500 @ 10mA, 5V 160MHz
BC637_D75Z onsemi BC637_D75Z -
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC637 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
2N5415 onsemi 2N5415 -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 onde - Obsoleto - A Través del Aguetero To-39 2N541 1 W To-39 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 200 V 100 mA 50 µA PNP 2.5V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
BC847CDXV6T5G onsemi Bc847cdxv6t5g -
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BC847 500MW SOT-563 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Bc847cdxv6t5gos EAR99 8541.21.0075 8,000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
2SA1417S-TD-E onsemi 2SA1417S-TD-E 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SA1417 500 MW PCP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 100 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 100 mm, 1a 100 @ 100 maja, 5v 120MHz
2N3859A_D75Z onsemi 2N3859A_D75Z -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N3859 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 mA 500NA (ICBO) NPN - 100 @ 1 MMA, 1V 250MHz
BC328TF onsemi Bc328tf -
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC328 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BC489BZL1G onsemi Bc489bzl1g -
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC489 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 100 mapa, 1a 160 @ 100mA, 2V 200MHz
FQA19N20L onsemi FQA19N20L -
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 200 V 25A (TC) 5V, 10V 140mohm @ 12.5a, 10V 2V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 190W (TC)
PN3646_D75Z onsemi PN3646_D75Z -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN364 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 15 V 300 mA 500NA NPN 500mv @ 3 mm, 300 mA 30 @ 30mA, 400mv -
FDS6675BZ onsemi Fds6675bz 0.9500
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS6675 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 25V 2470 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BC556_J18Z onsemi BC556_J18Z -
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC556 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
BC32716TFR onsemi BC32716TFR -
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC327 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDC6020C onsemi FDC6020C -
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP FDC6020 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w Supersot ™ -6 flmp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 5.9a, 4.2a 27mohm @ 5.9a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 8NC @ 4.5V 677pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDL100N50F onsemi FDL100N50F 18.2100
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA FDL100 Mosfet (Óxido de metal) Un 264-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 100A (TC) 10V 55mohm @ 50A, 10V 5V @ 250 µA 238 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 2500W (TC)
NTJD4105CT2 onsemi NTJD4105CT2 -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4105 Mosfet (Óxido de metal) 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V, 8V 630mA, 775 Ma 375mohm @ 630 mm, 4.5V 1.5V @ 250 µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
3LN01S-TL-E onsemi 3LN01S-TL-E -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 3LN01 Mosfet (Óxido de metal) SMCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 150MA (TA) 1.5V, 4V 3.7ohm @ 80mA, 4V - 1.58 NC @ 10 V ± 10V 7 pf @ 10 V - 150MW (TA)
NTP125N02R onsemi NTP125N02R 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP125 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 24 V 15.9a (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 28 NC @ 4.5 V ± 20V 3440 pf @ 20 V 1.98W (TA), 113.6W (TC)
FW217A-TL-2W onsemi FW217A-TL-2W -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FW217 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 35V 6A 39mohm @ 6a, 10v - 10nc @ 10V 470pf @ 20V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
NTTFS002N04CLTAG onsemi Nttfs002n04cltag 2.2000
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 28a (TA), 142a (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50A, 10V 2V @ 90 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 2940 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
1985-MBT2222A onsemi 1985-MBT2222A -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - MBT222 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 - - - - -
KSD560RTU onsemi Ksd560rtu -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD560 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
2SC6014-TD-E onsemi 2SC6014-TD-E 11.5600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000
FDMA8878 onsemi FDMA8878 1.6700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn FDMA88 Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9a (TA), 10a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 720 pf @ 15 V - 2.4W (TA)
FQPF9N50CT onsemi FQPF9N50CT -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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