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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FQB5N90TM onsemi FQB5N90TM 2.7900
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5N90 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 900 V 5.4a (TC) 10V 2.3ohm @ 2.7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 158W (TC)
PZTA96ST1G onsemi Pzta96st1g 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZTA96 1.5 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 450 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 2mA, 20 ma 50 @ 10 mapa, 10v -
MMDF1N05ER2 onsemi Mmdf1n05er2 -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mmdf1 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 50V 2a 300mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250 µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
NTMFS5C646NLT1G onsemi Ntmfs5c646nlt1g 2.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 19a (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 2164 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 79W (TC)
NDB4050L onsemi NDB4050L -
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NDB405 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 50 V 15A (TC) 5V, 10V 80mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 16V 600 pf @ 25 V - 50W (TC)
NTLJD3182FZTAG onsemi Ntljd3182fztag -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJD31 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.2a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 450 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
J304 onsemi J304 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) J304 - Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado J304FS EAR99 8541.21.0075 2,000 N-canal 15 Ma - - -
BC546TAR onsemi Bc546tar -
RFQ
 ECAD 1558 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC546 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
BC557ZL1 onsemi BC557ZL1 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 2,000
2SA1962RTU onsemi 2SA1962RTU -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-2SA1962RTU EAR99 8541.29.0075 450 250 V 17 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1a, 5v 30MHz
FDAF75N28 onsemi FDAF75N28 -
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FDAF75 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 280 V 46a (TC) 10V 41mohm @ 23a, 10v 5V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 30V 6700 pf @ 25 V - 215W (TC)
SFT1431-TL-W onsemi SFT1431-TL-W -
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFT143 Mosfet (Óxido de metal) DPAK/TP-FA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 700 N-canal 35 V 11a (TA) 4V, 10V 25mohm @ 5.5a, 10V 2.6V @ 1MA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 960 pf @ 20 V - 1W (TA), 15W (TC)
BCP56-16T3G onsemi BCP56-16T3G 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP56 1.5 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 130MHz
FDZ3N513ZT onsemi FDZ3N513ZT -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP FDZ3N Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (0.96x0.96) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.1a (TA) 3.2V, 4.5V 462mohm @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1 NC @ 4.5 V +5.5V, -0.3V 85 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 1W (TA)
KSD1616ALTA onsemi Ksd1616alta -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSD1616 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 160MHz
NTMTS001N06CLTXG onsemi NTMTS001N06CLTXG 11.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMTS001 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 398.2a (TC) 4.5V, 10V 0.81mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 250 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 12300 pf @ 25 V - 5W
FDS3590 onsemi FDS3590 0.9300
RFQ
 ECAD 1838 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS35 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 6.5a (TA) 6V, 10V 39mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 40 V - 2.5W (TA)
SFP9630 onsemi SFP9630 -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SFP963 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 6.5a (TC) 10V 800mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 965 pf @ 25 V - 70W (TC)
DTC144WM3T5G onsemi Dtc144wm3t5g -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 Dtc144 260 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV a 5 mm, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 22 kohms
2N4401_J18Z onsemi 2N4401_J18Z -
RFQ
 ECAD 3308 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N4401 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
BD679 onsemi BD679 -
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD679 40 W A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Bd679os EAR99 8541.29.0095 500 80 V 4 A 500 µA NPN - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
NDS8425 onsemi NDS8425 -
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS842 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 7.4a (TA) 2.7V, 4.5V 22mohm @ 7.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 8V 1098 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
NGD15N41ACLT4G onsemi NGD15N41ACLT4G 1.0000
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Lógica 107 W TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 300V, 6.5a, 1kohm - 440 V 15 A 50 A 2.2V @ 4V, 10a - -/4 µs
FDB0105N407L onsemi FDB0105N407L 6.7500
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) FDB0105 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 460a (TC) 6V, 10V 0.8mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 291 NC @ 10 V ± 20V 23100 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
NSV12100UW3TCG onsemi NSV12100UW3TCG 0.3348
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 3 wdfn NSV12100 740 MW 3-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 440mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500mA, 2V 200MHz
KSB601YTU onsemi Ksb601ytu -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB60 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3a, 2v -
NTMFS4839NHT1G onsemi Ntmfs4839nht1g -
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 9.5A (TA), 64A (TC) 4.5V, 11.5V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 43.5 NC @ 11.5 V ± 20V 2354 pf @ 12 V - 870MW (TA), 42.4W (TC)
BF393G onsemi Bf393g -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BF393 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 2V @ 2 mm, 20 mm 40 @ 10mA, 10V 50MHz
KSC1009YTA-ON onsemi Ksc1009yta-on 0.0300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 140 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 20 mm, 200 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
NTMFS10N7D2C onsemi NTMFS10N7D2C 3.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFS10 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6), Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 78a (TC) 6V, 10V 7.2mohm @ 28a, 10v 4V @ 150 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2635 pf @ 50 V - 83W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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