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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
U1897 onsemi U1897 -
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) U1897 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 5 V @ 1 Na 30 ohmios
2N5461G onsemi 2N5461G -
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2N5461 350 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N5461GOS EAR99 8541.21.0095 1,000 Canal P 7pf @ 15V 40 V 2 Ma @ 15 V 1 V @ 1 µA
J177_D27Z onsemi J177_D27Z -
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J177 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 1.5 Ma @ 15 V 800 MV @ 10 na 300 ohmios
MMBF4091 onsemi MMBF4091 -
RFQ
 ECAD 1697 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF40 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 5 V @ 1 Na 30 ohmios
NXH80T120L2Q0S2G onsemi NXH80T120L2Q0S2G -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 onde - Banda Obsoleto NXH80T descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24
2SD1825 onsemi 2SD1825 0.3100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
FQPF7P20 onsemi Fqpf7p20 1.6100
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 5.2a (TC) 10V 690mohm @ 2.6a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 770 pf @ 25 V - 45W (TC)
FDS5351 onsemi FDS5351 0.8600
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds53 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6.1a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1310 pf @ 30 V - 5W (TA)
FDMS8690 onsemi FDMS8690 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14a (TA), 27a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37.8W (TC)
J176_D26Z onsemi J176_D26Z -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J176 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 2 Ma @ 15 V 1 v @ 10 na 250 ohmios
FCH041N60F-F085 onsemi FCH041N60F-F085 14.4700
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH041 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 76a (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10v 5V @ 250 µA 347 NC @ 10 V ± 20V 10900 pf @ 25 V - 595W (TC)
FQD30N06LTF onsemi Fqd30n06ltf -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd3 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 24a (TC) 5V, 10V 39mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1040 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
SBC857ALT1G onsemi Sbc857alt1g 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC857 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
KSA1015GRBU onsemi Ksa1015grbu -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA1015 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
FDC2512-P onsemi FDC2512-P -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC2512 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDC2512-PTR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 150 V 1.4a (TA) 6V, 10V 425mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 344 pf @ 75 V - 800MW (TA)
2SA1339S onsemi 2SA1339S -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500
FQB27N25TM-F085P onsemi FQB27N25TM-F085P -
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB27 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2832-FQB27N25TM-F085PTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 25.5A (TC) 10V 131mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1330 pf @ 25 V - 417W (TJ)
FDMC7672S onsemi FDMC7672S 1.1300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC7672 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14.8a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 14.8a, 10V 3V @ 1MA 42 NC @ 10 V ± 20V 2520 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 36W (TC)
NTA4153NT1 onsemi Nta4153nt1 -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 NTA41 Mosfet (Óxido de metal) SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 915MA (TA) 1.5V, 4.5V 230MOHM @ 600MA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.82 NC @ 4.5 V ± 6V 110 pf @ 16 V - 300MW (TJ)
FDS3680 onsemi FDS3680 -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS36 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.2a (TA) 6V, 10V 46mohm @ 5.2a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 1735 pf @ 50 V - 2.5W (TA)
FDS6892A onsemi FDS6892A -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS68 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17NC @ 4.5V 1333pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQPF13N06 onsemi FQPF13N06 -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 9.4a (TC) 10V 135mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 24W (TC)
BC859BLT1G onsemi Bc859blt1g -
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
NTMS4802NR2G onsemi NTMS4802NR2G -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS4802 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 11.1a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA 36 NC @ 4.5 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 910MW (TA)
NVMFS6H852NWFT1G onsemi NVMFS6H852NWFT1G 1.2300
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 10a (TA), 40a (TC) 10V 14.2mohm @ 10a, 10v 4V @ 45 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 40 V - 3.6W (TA), 54W (TC)
FDB5800 onsemi FDB5800 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB580 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 14a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 135 NC @ 10 V ± 20V 6625 pf @ 15 V - 242W (TC)
2SD1682T onsemi 2SD1682T 0.1500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
NTNS3CS68NZT5G onsemi Ntns3cs68nzt5g 0.1200
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-NTNS3CS68NZT5G-488 1
NTUD3170NZT5G onsemi NTUD3170NZT5G 0.6400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-963 NTUD3170 Mosfet (Óxido de metal) 125MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 220 mm 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 12.5pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NTB125N02R onsemi NTB125N02R -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB12 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 24 V 95A (TA), 120.5A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 28 NC @ 4.5 V ± 20V 3440 pf @ 20 V - 1.98W (TA), 113.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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