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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Drenaje real (ID) - Max
NTTFSC4937NTAG onsemi Nttfsc4937ntag -
RFQ
 ECAD 6977 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto NTTFSC4937 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1.500
2SK3666-3-TB-E onsemi 2SK3666-3-TB-E -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK3666 200 MW SMCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4pf @ 10V 1.2 Ma @ 10 V 180 MV @ 1 µA 200 ohmios 10 Ma
NTR4503NT3 onsemi NTR4503NT3 -
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NTR450 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 4.5V, 10V 110MOHM @ 2.5A, 10V 3V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 24 V - 420MW (TA)
HUF75842P3 onsemi HUF75842P3 4.8100
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF75842 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
FQD2N40TF onsemi Fqd2n40tf -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd2 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 1.4a (TC) 10V 5.8ohm @ 700 mA, 10V 5V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
2N5401ZL1 onsemi 2N5401ZL1 -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N5401 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
NTP45N06G onsemi NTP45N06G -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP45N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP45N06GOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 45a (TA) 10V 26mohm @ 22.5a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1725 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 125W (TJ)
BCX18LT1G onsemi Bcx18lt1g -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX18 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v -
MCH6431-TL-H onsemi MCH6431-TL-H -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH64 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5A (TA) 4V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V - 5.6 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
BFR30LT1G onsemi BFR30LT1G -
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR30 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BFR30LT1G-ONTR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 V 5PF @ 10V 4 Ma @ 10 V 5 V @ 0.5 na
NVMFS5C670NLAFT1G onsemi Nvmfs5c670nlaft1g 1.7600
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 17a (TA) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 35a, 10v 2V @ 53 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 61W (TC)
FDP070AN06A0 onsemi Fdp070an06a0 2.5200
RFQ
 ECAD 578 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP070 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 15a (TA), 80a (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 175W (TC)
NTB25P06T4 onsemi NTB25P06T4 -
RFQ
 ECAD 3032 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB25 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 27.5a (TA) 82mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V 1680 pf @ 25 V -
FQA65N20 onsemi FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA65 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi Ntljs7d2p02p8ztag 0.8700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerWDFN Ntljs7 Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 7.9a (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 10a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 26.7 NC @ 4.5 V ± 8V 2790 pf @ 10 V - 860MW (TA)
FQAF7N80 onsemi FQAF7N80 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 96W (TC)
FDG6308P onsemi FDG6308P -
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6308 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 600mA 400mohm @ 600mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.5nc @ 4.5V 153pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
EMH2407-S-TL-H onsemi EMH2407-S-TL-H -
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano EMH2407 - - 8-EMH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
FDPF8N50NZF onsemi FDPF8N50NZF -
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 1ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 40W (TC)
NTTFS5D1N06HLTAG onsemi Nttfs5d1n06hltag 1.8200
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 18a (TA), 78a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 16a, 10v 2V @ 80 µA 22.5 NC @ 10 V ± 20V 1610 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 63W (TC)
IRFU120_R4941 onsemi IRFU120_R4941 -
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 8.4a (TC) 270mohm @ 5.9a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V 350 pf @ 25 V -
FDW2520C onsemi FDW2520C -
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 20V 6a, 4.4a 18mohm @ 6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1325pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQD6N40CTM onsemi Fqd6n40ctm 1.2000
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd6n40 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 400 V 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, ​​10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
BC849CLT1G onsemi BC849CLT1G 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC849 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
FDP047AN08A0-F102 onsemi FDP047An08A0-F102 2.4883
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP047 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 15A (TC) 6V, 10V - - ± 20V - 310W (TC)
FDB2670 onsemi FDB2670 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB267 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
J105_D27Z onsemi J105_D27Z -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J105 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal - 25 V 500 mA @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3 ohmios
FQI34P10TU onsemi Fqi34p10tu -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi3 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 33.5a (TC) 10V 60mohm @ 16.75a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 2910 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 155W (TC)
NTB30N20G onsemi NTB30N20G -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 30A (TA) 10V 81mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 2335 pf @ 25 V - 2W (TA), 214W (TC)
HUF75637S3S onsemi HUF75637S3S -
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 ECAD 8119 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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