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Transistores (257)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM4P20es6 | 0.0690 |  | 2421 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rm4p20es6tr | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 20 V | 3A (TA), 4.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 52mohm @ 4.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 740 pf @ 4 V | - | 1.7w (TA) | |||||
 | RM135N100HD | 0.9400 | | 5381 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM135N100HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | N-canal | 100 V | 135A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 60a, 10v | 4.5V @ 250 µA | ± 20V | 6400 pf @ 50 V | - | 210W (TC) | |||||
 | RM1A5N30S3AE | 0.0390 | | 6517 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM1A5N30S3AETR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA), 1.4a (TC) | 2.5V, 4.5V | 144mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | ± 10V | 105 pf @ 15 V | - | 400MW (TA), 500MW (TC) | |||||
 | RM80N60DF | 0.5500 | | 2083 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N60DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 40a, 10v | 2.4V @ 250 µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||
| RMD1N25ES9 | 0.0600 | | 7475 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-363-6l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RMD1N25ES9TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 25 V | 1.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 600mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | ± 12V | 30 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | |||||
| RM8N650HD | 0.5200 | | 3581 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | N-canal | 650 V | 8a (TC) | 10V | 450mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 80W (TC) | |||||
 | RM80N100AT2 | 0.5500 | | 8599 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N100AT2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250a | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
 | RM70P30LD | 0.2800 | | 8708 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM70P30LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 30 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||
 | RM4N650TI | 0.4200 | | 7671 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N650TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 28.5W (TC) | |||||
| RM80N100T2 | 0.5100 | | 3123 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N100T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 10v | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
| RM2333A | 0.0680 | | 4902 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2333ATR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 1100 pf @ 6 V | - | 1.8w (TA) | |||||
| RM6N800HD | 0.7900 | | 3479 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6N800HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | N-canal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 1320 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||
| RM3010S6 | 0.0640 | | 2549 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3010S6TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 1550 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||
| RM70P40LD | 0.3800 | | 7749 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM70P40LD | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal P | 40 V | 70A (TC) | 10V | 10mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 5380 pf @ 20 V | - | 130W (TC) | |||||
| RM210N75HD | 0.9200 | | 2322 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM210N75HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | N-canal | 75 V | 210A (TC) | 10V | 4mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||
 | RM3139K | 0.0360 | | 2553 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-723 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3139KTR | 8541.10.0080 | 80,000 | Canal P | 20 V | 660MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 520mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | ± 12V | 170 pf @ 16 V | - | 150MW (TA) | |||||
| RM78N100LD | 0.4400 | | 1744 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM78N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 78a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 39a, 10v | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
| RM50P40LD | 0.2300 | | 2746 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM50P40LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 40 V | 52a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 3500 pf @ 15 V | - | 52.1W (TC) | |||||
 | RM48N100D3 | 0.2980 | | 7315 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM48N100D3TR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 13.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 3280 pf @ 50 V | - | 61W (TC) | |||||
| RM21N650TI | 1.2500 | | 1150 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM21N650TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33.8W (TC) | |||||
 | RM4503S8 | 0.1900 | | 1978 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM4503 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4503S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Vecino del canal | 30V | 10a (TA), 9.1a (TA) | 10mohm @ 10a, 10v, 20mohm @ 9.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 13NC @ 4.5V, 30NC @ 10V | 1550pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - | |||||
| RM5N40S2 | 0.0690 | | 2036 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N40S2TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 40 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 593 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | RM8N650IP | 0.5200 | | 9897 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 650 V | 8a (TC) | 10V | 540mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 80W (TC) | |||||
| RM138 | 0.0320 | | 3450 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM138TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 50 V | 220 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 220 mm, 10V | 1.4V @ 250 µA | ± 20V | 27 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||||
| RM140N82T2 | 0.5400 | | 9860 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM140N82T2TR | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 82 V | 140A (TC) | 10V | 6mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 7900 pf @ 40 V | - | 220W (TC) | |||||
| RM80N30DF | 0.1600 | | 3287 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 30 V | 81a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2295 pf @ 15 V | - | 59W (TC) | |||||
 | RM45N600T7 | 2.9000 | | 7621 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM45N600T7 | 8541.10.0080 | 1.800 | N-canal | 600 V | 44.5a (TJ) | 10V | 90mohm @ 15.6a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 30V | 2808 pf @ 100 V | - | 431W | |||||
| RM120N30T2 | 0.3300 | | 1989 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM120N30T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 30 V | 120A (TA) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 3550 pf @ 25 V | - | 120W (TA) | |||||
| RM052N100DF | 0.6500 | | 7185 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM052N100DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 100 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 9100 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | |||||
| RM100N65DF | 0.6500 | | 6339 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N65DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 65 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 9500 pf @ 25 V | - | 142W (TC) |
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