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Transistores (257)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM15P55LD | 0.2800 |  | 7424 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM15P55LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 55 V | 15A (TC) | 10V | 75mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 20V | 1450 pf @ 20 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
 | RM6N800IP | 0.7000 | | 8536 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 1290 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||
| RM4N650LD | 0.3300 | | 3330 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N650LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||
 | RM100N60T7 | 0.6800 | | 4789 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N60T7 | 8541.10.0080 | 1.800 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4800 pf @ 30 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||
 | RM2A8N60S4 | 0.1100 | | 9497 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2A8N60S4TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 60 V | 2.8a (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 715 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||
| RM6N800LD | 0.7000 | | 3906 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6N800LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 1290 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||
 | RMD7N40DN | 0.2400 | | 1566 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Rmd7n | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 12W (TC) | 8-DFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RMD7N40DNTR | 8541.10.0080 | 25,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7a (TA), 20a (TC) | 20mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 10V | 720pf @ 20V | - | |||||||||||||||
 | RM15N650T2 | 0.9200 | | 4091 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM15N650T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 260mohm @ 8a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 1360 pf @ 50 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||
 | RM13P40S8 | 0.2700 | | 7991 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM13P40S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 40 V | 13a (TA) | 10V | 15mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| RM110N82T2 | 0.4400 | | 9356 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM110N82T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 82 V | 110A (TC) | 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 6400 pf @ 40 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
| RM75N60LD | 0.2900 | | 6542 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM75N60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
 | RM2303 | 0.0450 | | 2195 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2303TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 226 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||
 | RM11N800TI | 1.4400 | | 3242 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM11N800TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 800 V | 11a (TJ) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33.8W (TC) | |||||||||||||||
| RM27P30LDV | 0.1600 | | 2318 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM27P30LDVTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 30 V | 27a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 930 pf @ 15 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
| RM180N100T2 | 1.5100 | | 5783 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM180N100T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 10V | 3mohm @ 100a, 10v | 4.5V @ 250 µA | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
 | RM8810 | 0.0900 | | 4687 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | RM88 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5W (TA) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8810TR | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7a (TA) | 20mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14NC @ 4.5V | 1295pf @ 10V | - | |||||||||||||||
| RM3401 | 0.0440 | | 3553 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3401TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 30 V | 4.2a (TA) | 2.5V, 10V | 55mohm @ 4.2a, 10V | 1.3V @ 250 µA | ± 12V | 880 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||
| RM115N65T2 | 0.4600 | | 7143 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM115N65T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 65 V | 115A (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 5900 pf @ 30 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||
| RM2306E | 0.0550 | | 7571 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2306 | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 5.3a (TA) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 6.7a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 370 pf @ 15 V | - | 1.39W (TA) | |||||||||||||||
| RM9926 | 0.0840 | | 7144 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM99 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM9926TR | 8541.10.0080 | 40,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6a (TA) | 28mohm @ 6a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | 640pf @ 10V | - | |||||||||||||||
 | CMBT2222A-T | 0.0240 | | 198 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-CMBT222222A-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 40 V | 600 mA | 10NA | NPN | 300mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||
| RM12N650IP | 0.5400 | | 5130 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM12N650IP | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 650 V | 11.5A (TC) | 10V | 360mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 870 pf @ 50 V | - | 101W (TC) | |||||||||||||||
| RM4N700S4 | 0.3200 | | 2116 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 261-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N700S4TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 700 V | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 304 pf @ 50 V | - | 5.2W (TC) | |||||||||||||||
| RM6005AR | 0.1400 | | 3382 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6005ARTR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 10V | 35mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 979 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
| RM60N75LD | 0.4100 | | 3866 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM60N75LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 75 V | 60A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4400 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
| RM3404 | 0.0480 | | 3718 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3404TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TA) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | ± 20V | 255 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||
| RM50N60T2 | 0.2400 | | 2291 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2050 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||
 | 2N7002KD1 | 0.0300 | | 1143 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1006-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-2N7002KD1TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 60 V | 350MA (TA) | 5V, 10V | 2.8ohm @ 200 MMA, 10V | 1.9V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||
| RM5N800IP | 0.6900 | | 4172 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 81W (TC) | |||||||||||||||
 | Dtc123jka | 0.0410 | | 8984 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-dtc123jkatr | EAR99 | 8541.10.0080 | 30,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 46.2 kohms |
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