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Transistores (225)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GSFP0446 | 0.5800 |  | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (3.1x3.05) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 40 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 20 V | - | 33W (TC) | |||||||||||
 | GSFU9506 | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GSFU9506 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 950 V | 6a (TJ) | 10V | 750mohm @ 3a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 18.4 NC @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 50 V | - | 32W (TJ) | ||||||||||
 | SSFN4903 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 40 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||
 | SSFD20N08 | 0.6300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 200 V | 8a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||
 | GSFK0502 | 0.3800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW (TA) | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 50V | 300 mA (TA) | 4ohm @ 300mA, 10V | 1.5V @ 250 µA | 0.58nc @ 4.5V | 12pf @ 30V | Estándar | |||||||||||||
 | SSFQ3903 | 0.5900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 56 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4800 pf @ 15 V | - | 4.2W (TC) | |||||||||||
 | SSF0910S | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 50 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
 | GSFP03101 | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 138W (TC) | |||||||||||
 | GSFP1036 | 0.6200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1030 pf @ 50 V | - | 68W (TC) | |||||||||||
| GSFD0646 | 0.7000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3050 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | |||||||||||
| GSFP1040 | 0.6600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 10V | 18mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
 | SSF7120 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Mosfet (Óxido de metal) | 312MW (TC) | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 800MA (TC), 400 mA (TC) | 300mohm @ 500 mA, 4.5V, 600mohm @ 300 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10V, 78pf @ 10V | Estándar | |||||||||||||
| BC857C | 0.1000 | | 840 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||
 | SSF2320Y | 0.2600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-523 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 800 mA (TC) | 1.2V, 4.5V | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 75 pf @ 10 V | - | 312MW (TC) | |||||||||||
| GSFP08150 | 1.7600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 80 V | 150A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 40 V | - | 192W (TC) | |||||||||||
| GSFD8005 | 0.8100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 800 V | 5.5a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 15.16 NC @ 10 V | ± 30V | 678 pf @ 25 V | - | 132W (TC) | |||||||||||
 | SSFL6912 | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 30 V | - | 1.79W (TA) | |||||||||||
| SSF8970 | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-SSF8970 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | N-canal | 80 V | 200a (TC) | 10V | 2.6mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 23000 pf @ 30 V | - | 208W (TC) | ||||||||||
| GSFP6901 | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 72a (TC) | 4.5V, 10V | 8.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 12930 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | |||||||||||
| SSFB12N05 | 0.4700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA) | 6-DFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 4.000 | N y p-canal complementario | 12V | 5A (TA) | 32mohm @ 5a, 4.5V, 74mohm @ 4.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 6.6nc @ 4.5V, 9.2nc @ 4.5V | 495pf @ 6V, 520pf @ 6V | Estándar | |||||||||||||
 | GSFL1003 | 0.5000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 100 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 50 V | - | 1.78W (TA) | |||||||||||
| GSFP1080 | 1.1000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (4.9x5.75) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 5,000 | N-canal | 100 V | 80a (TA) | 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 105W (TA) | |||||||||||
| GSFN0207 | 0.5500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 25W (TC) | 8-PPAK (3.15x3.1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P | 20V | 7.5a (TC) | 33mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25NC @ 4.5V | 2100pf @ 15V | - | |||||||||||||
 | BSS84 | 0.1500 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130MA (TA) | 5V, 10V | 10ohm @ 100 mapa, 5V | 2V @ 250 µA | ± 20V | 30 pf @ 5 V | - | 225MW | ||||||||||||
| GSF2301 | 0.2600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 110mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12 NC @ 2.5 V | ± 12V | 405 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||
| SSFQ6907 | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 3a, 10v | 3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 30 V | - | 4W (TC) | |||||||||||
| GSFC02501 | 0.1900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 25 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 640MOHM @ 550MA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ± 8V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW (TA) | |||||||||||
| GSFN0988 | 0.5400 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | +20V, -12V | 740 pf @ 20 V | - | 32.5W (TC) | |||||||||||
| SSFQ3910 | 0.4500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
 | GSFK0501 | 0.3900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW (TA) | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | - | 50V | 130MA (TA) | 10ohm @ 100 mapa, 5V | 2v @ 1 mapa | - | 56pf @ 20V | Estándar |
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