SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXTN619MATA Diodes Incorporated Zxtn619mata 0.5300
RFQ
ECAD 370 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN Zxtn619 3 W DFN2020B-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 50 V 4 A 25NA NPN 320MV @ 200MA, 4A 100 @ 2a, 2v 165MHz
ZXMN3A02N8TC Diodes Incorporated Zxmn3a02n8tc -
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 7.3a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10v 1V @ 250 µA 26.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
DDTA144GCA-7-F Diodes Incorporated DDTA144GCA-7-F 0.0386
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Diodos incorporados DDTA (Serie Solo R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta144 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms
DMNH6065SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDWQ-13 0.4374
RFQ
ECAD 4772 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMNH6065 Mosfet (Óxido de metal) 2.4W (TA), 68W (TC) PowerDI5060-8 (Tipo R) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMNH6065SPDWQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 27a (TC) 65mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 9.5nc @ 10V 466pf @ 25V -
ZDM4306NTC Diodes Incorporated Zdm4306ntc -
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDM4306N Mosfet (Óxido de metal) 3W Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V 2A 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA - 350pf @ 25V -
DMG2301LK-13 Diodes Incorporated DMG2301LK-13 0.0814
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2301 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 1.8V, 4.5V 160mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.4 NC @ 10 V ± 12V 156 pf @ 6 V - 840MW (TA)
ZVN4206AV Diodes Incorporated ZVN4206AV 0.7500
RFQ
ECAD 2130 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 60 V 600 mA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMN3009SSS-13 Diodes Incorporated DMN3009SSS-13 0.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
DMN1029UFDB-13 Diodes Incorporated DMN1029UFDB-13 0.1143
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN1029 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN1029UFDB-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 12V 5.6a 29mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 19.6nc @ 8V 914pf @ 6V -
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6023SK3Q-13 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMPH6023 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 35A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 53.1 NC @ 10 V ± 20V 2569 pf @ 30 V - 3.2W
ZTN23015CFHQTA Diodes Incorporated ZTN23015CFHQTA 0.4190
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 730 MW SOT-23 (TUPO DN) descascar Alcanzar sin afectado 31-ZTN23015CFHQTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 6 A 100na NPN 180mv @ 120 Ma, 6a 200 @ 500mA, 2V 235MHz
DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated Dmn30h14dly-13 0.2761
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA DMN30 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 300 V 210MA (TA) 4.5V, 10V 14ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250 µA 4 NC @ 10 V ± 20V 96 pf @ 25 V - 900MW (TA)
VN10LP Diodes Incorporated VN10LP 0.8300
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN10 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 60 V 270MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DDTC123JKA-7-F Diodes Incorporated DDTC123JKA-7-F -
RFQ
ECAD 2183 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SC-59-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
DMTH8008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMTH8008SFGQ-7 0.5557
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8008SFGQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 17A (TA), 68A (TC) 6V, 10V 7mohm @ 14a, 10v 4V @ 1MA 31.7 NC @ 10 V ± 20V 1945 pf @ 40 V - 1.2W (TA), 50W (TC)
DMC3061SVT-13 Diodes Incorporated DMC3061SVT-13 -
RFQ
ECAD 9259 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC3061 Mosfet (Óxido de metal) 880MW TSOT-23-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC3061SVT-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 30V 3.4a (TA), 2.7a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA 6.6nc @ 10V, 6.8nc @ 10V 278pf @ 15V, 287pf @ 15V -
DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN61D9UDWQ-7 0.0515
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) 370MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN61D9UDWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 318MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 39pf @ 30V -
DP0150BLP4-7B Diodes Incorporated DP0150BLP4-7B 0.1543
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
DMTH10H009LFG-7 Diodes Incorporated DMTH10H009LFG-7 0.5495
RFQ
ECAD 5182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H009LFG-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 14A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2361 pf @ 50 V - 2.5W (TA)
ZXTP2041FTA Diodes Incorporated Zxtp2041fta 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtp2041 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3 -
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 12.8 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 50 V - 104W (TC)
ZVN3310FTA Diodes Incorporated ZVN3310FTA 0.6100
RFQ
ECAD 4028 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZVN3310 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 100 mA (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2.4V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 V - 330MW (TA)
DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated DMN2010UDZ-7 0.9000
RFQ
ECAD 73 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2010 Mosfet (Óxido de metal) 700MW U-DFN2535-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 24 V 11A 7mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 33.2NC @ 4.5V 2665pf @ 10V -
DCX51-16-13 Diodes Incorporated DCX51-16-13 -
RFQ
ECAD 7213 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA DCX51 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
DMT6009LPS-13 Diodes Incorporated DMT6009LPS-13 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 10.6a (TA), 87a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.3W (TA)
DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMTH10H017LPD-13 0.6199
RFQ
ECAD 3493 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) 2.6W (TA), 93W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO E) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H017LPD-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 100V 59A (TC) 17.4mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 28.6nc @ 10V 1986pf @ 50V -
DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2043uca3-7 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP2043 Mosfet (Óxido de metal) X2-DSN1010-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 1.9 NC @ 4.5 V -20V 425 pf @ 10 V - 650MW (TA)
DDTA143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTA143XKA-7-F -
RFQ
ECAD 9790 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-7 0.1612
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) 1.8W (TA), 40W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN10H220LDV-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 100V 10.5a (TC) 222mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA 6.7nc @ 10V 366pf @ 50V -
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated DMN5L06WK-7 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 300 mA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 250MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock