SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZUMT491TC Diodes Incorporated Zumt491tc -
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Zumt491 500 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a - -
DMP2035UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2035UFCL-7 0.5900
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta DMP2035 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1616-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 6.6a (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 8 V ± 8V 2200 pf @ 10 V - 740MW (TA)
ZXTP25040DFLTA Diodes Incorporated Zxtp25040dflta 0.4200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25040 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1.5 A 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 300mA, 3A 300 @ 10mA, 2V 270MHz
ADA114EUQ-13 Diodes Incorporated Ada114euq-13 0.0523
RFQ
ECAD 5733 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Ada114 270MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) - - 250MHz 10 kohms 10 kohms
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn1006uca6-7 0.2997
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN1006 Mosfet (Óxido de metal) 2.4w X3-DSN2718-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) - - - 1.3V @ 1MA 35.2NC @ 4.5V 2360pf @ 6V -
FMMT495TA Diodes Incorporated Fmmt495ta 0.3800
RFQ
ECAD 161 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt495 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 150 V 1 A 100na NPN 300mv @ 50 mA, 500 mA 10 @ 250 mapa, 10v 100MHz
ZXT14P40DXTA Diodes Incorporated Zxt14p40dxta 0.4700
RFQ
ECAD 112 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Obsoleto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000
DMPH33M8SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSWQ-13 0.8976
RFQ
ECAD 6380 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH33 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo Q) - 31-DMPH33M8SPSWQ-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 100A (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3775 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
FZT655TA-79 Diodes Incorporated FZT655TA-79 -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-FZT655TA-79TR Obsoleto 3.000
BSS138-7-F-50 Diodes Incorporated BSS138-7-F-50 0.0529
RFQ
ECAD 4823 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS138-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 300MW (TA)
BC858C-7-F Diodes Incorporated BC858C-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 200MHz
BS107PSTOA Diodes Incorporated Bs107pstoa -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 BS107 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 200 V 120MA (TA) 2.6V, 5V 30ohm @ 100 mA, 5V - ± 20V - 500MW (TA)
DMP3007SCG-13 Diodes Incorporated DMP3007SCG-13 0.7900
RFQ
ECAD 8170 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3007 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 64.2 NC @ 10 V ± 25V 2826 pf @ 15 V - 2.4W (TA)
DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated DMN2310UFD-7 0.0724
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn DMN2310 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1212-3 (TUPO C) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2310UFD-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 1.7a (TA) 1.5V, 4.5V 240mohm @ 1a, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 8V 38 pf @ 10 V - 670MW (TA)
MMBTA06-7 Diodes Incorporated MMBTA06-7 -
RFQ
ECAD 9775 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta06 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
DMTH45M5SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDWQ-13 1.3100
RFQ
ECAD 6075 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Dmth45m Mosfet (Óxido de metal) 3.3W (TA), 60W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 79A (TC) 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2NC @ 10V 1083pf @ 20V -
DDTC114ECA-7-F Diodes Incorporated DDTC114ECA-7-F 0.2100
RFQ
ECAD 536 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
DMP31D7LT-13 Diodes Incorporated Dmp31d7lt-13 0.0587
RFQ
ECAD 4323 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMP31 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP31D7LT-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 360MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA 0.36 NC @ 4.5 V ± 20V 19 pf @ 15 V - 260MW (TA)
FMMT591ATC Diodes Incorporated Fmmt591atc 0.1088
RFQ
ECAD 2377 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt591 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H015LPS-13 0.3969
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 7.3a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.3W (TA), 46W (TC)
MMDT2907AQ-7-F Diodes Incorporated MMDT2907AQ-7-F 0.4500
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60V 600mA 10NA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
2DD1766R-13 Diodes Incorporated 2DD1766R-13 0.4000
RFQ
ECAD 370 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2DD1766 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 32 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 800mv @ 200MA, 2A 180 @ 500 Ma, 3V 220MHz
DDC122LH-7 Diodes Incorporated DDC122LH-7 -
RFQ
ECAD 4985 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DDC122 150MW SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 56 @ 10mA, 5V 200MHz 220ohms 10 kohms
BSS84-7 Diodes Incorporated BSS84-7 -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 45 pf @ 25 V - 300MW (TA)
DDTA122LU-7-F Diodes Incorporated DDTA122LU-7-F -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddta122 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 56 @ 10mA, 5V 200 MHz 220 ohmios 10 kohms
DDTA144ECAQ-13-F Diodes Incorporated DDTA144ECAQ-13-F 0.0260
RFQ
ECAD 1484 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta144 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTA144ECAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
DMTH6010SCT Diodes Incorporated DMTH6010SCT 1.5600
RFQ
ECAD 9566 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 7.2mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36.3 NC @ 10 V ± 20V 1940 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 125W (TC)
DMG1016VQ-13-52 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13-52 0.0642
RFQ
ECAD 1551 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMG1016 Mosfet (Óxido de metal) 530MW SOT-563 descascar 31-DMG1016VQ-13-52 EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 20V 870MA (TA), 640MA (TA) 400mohm @ 600mA, 4.5V, 700mohm @ 430 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 736.6nc @ 4.5V, 0.62NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V, 59.76pf @ 16V Estándar
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS-13 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT10 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 8.9a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.2W (TA)
DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDB-7 0.4600
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2160 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 3.8a 70mohm @ 2.8a, 4.5V 900MV @ 250 µA 6.5nc @ 4.5V 536pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock