SIC
close

Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
DDTA143ZCA-7-F Diodes Incorporated DDTA143ZCA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
DMTH10H009LFG-7 Diodes Incorporated DMTH10H009LFG-7 0.5495
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H009LFG-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 14A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2361 pf @ 50 V - 2.5W (TA)
FMMT624TA Diodes Incorporated Fmmt624ta 0.5600
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt624 625 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 125 V 1 A 100na NPN 250mv @ 50 mm, 1a 300 @ 200MA, 10V 155MHz
ZXTP2041FTA Diodes Incorporated Zxtp2041fta 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtp2041 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
ZXTS1000E6TA Diodes Incorporated Zxts1000e6ta 0.2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
ZDT6758TA Diodes Incorporated Zdt6758ta -
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT6758 2.75W Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 400V 500mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 200Ma, 10V 50MHz
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3 -
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 12.8 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 50 V - 104W (TC)
ZTX755STZ Diodes Incorporated ZTX755STZ -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX755 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 150 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mV @ 200 MMA, 1A 50 @ 500mA, 5V 30MHz
ZXTD619MCTA Diodes Incorporated Zxtd619mcta 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Zxtd619 1.7w W-DFN3020-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 50V 4A 100na 2 NPN (dual) 320MV @ 200MA, 4A 300 @ 200MA, 2V 100MHz
ZVN3310FTA Diodes Incorporated ZVN3310FTA 0.6100
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZVN3310 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 100 mA (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2.4V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 V - 330MW (TA)
DMN2009LSS-13 Diodes Incorporated DMN2009LSS-13 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN2009 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 12a (TA) 2.5V, 10V 8mohm @ 12a, 10v 1.2V @ 250 µA 58.3 NC @ 10 V ± 12V 2555 pf @ 10 V - 2W (TA)
DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated DMN2010UDZ-7 0.9000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2010 Mosfet (Óxido de metal) 700MW U-DFN2535-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 24 V 11A 7mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 33.2NC @ 4.5V 2665pf @ 10V -
ZTX325 Diodes Incorporated ZTX325 -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX325 350MW Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZTX325-NDR EAR99 8541.21.0075 4.000 53dB 15V 50mera NPN 25 @ 2mA, 1V 1.3GHz 5DB @ 500MHz
2DA1774Q-7 Diodes Incorporated 2DA1774Q-7 -
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2DA1774 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 140MHz
DCX51-16-13 Diodes Incorporated DCX51-16-13 -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA DCX51 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
FMMT624TC Diodes Incorporated Fmmt624tc 0.5600
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt624 625 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 125 V 1 A 100na NPN 250mv @ 50 mm, 1a 300 @ 200MA, 10V 155MHz
DMT6009LPS-13 Diodes Incorporated DMT6009LPS-13 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 10.6a (TA), 87a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.3W (TA)
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS-13 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT10 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 8.9a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.2W (TA)
ZXTEM322TA Diodes Incorporated Zxtem322ta -
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-POWERSMD, planos de cables Zxtem322 3 W 3-MLP/DFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 80 V 3.5 A 25NA NPN 325mv @ 300mA, 3.5a 300 @ 200MA, 2V 160MHz
BCX17TC Diodes Incorporated BCX17TC -
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX17 330 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
DMN2004K-7 Diodes Incorporated DMN2004K-7 0.3700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 630 mA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 150 pf @ 16 V - 350MW (TA)
DMP3017SFK-13 Diodes Incorporated DMP3017SFK-13 -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3017 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2523-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 30 V 10.4a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9.5a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4414 pf @ 15 V - 1W (TA)
ZXMP7A17GTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GTA 0.7700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP7A17 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 70 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10v 1V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 635 pf @ 40 V - 2W (TA)
MMST6427-7-F Diodes Incorporated MMST6427-7-F 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MMST6427 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 500 mA 1 µA NPN - Darlington 1.5V @ 500 µA, 500 mA 20000 @ 100MA, 5V -
ZTX705 Diodes Incorporated ZTX705 0.8700
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX705 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 120 V 1 A 10 µA PNP - Darlington 2.5V @ 2mA, 2a 3000 @ 1a, 5V 160MHz
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated Dmg2305ux-13 0.3900
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2305 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.2a, 4.5V 900MV @ 250 µA 10.2 NC @ 4.5 V ± 8V 808 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
ZTX550STZ Diodes Incorporated ZTX550STZ 0.6000
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX550 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 100 @ 150mA, 10V 150MHz
DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated DMP2007UFG-7 0.8300
RFQ
 ECAD 926 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP2007 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 20 V 18a (TA), 40a (TC) 2.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10v 1.3V @ 250 µA 85 NC @ 10 V ± 12V 4621 pf @ 10 V - 2.3W (TA)
VN10LFTA Diodes Incorporated Vn10lfta 0.5300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 VN10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 150MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 330MW (TA)
APT13003EU-G1 Diodes Incorporated APT13003EU-G1 -
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 APT13003 20 W A-126 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Apt13003eu-g1di EAR99 8541.29.0095 4.000 465 V 1.5 A - NPN 400mv @ 250 mA, 1a 13 @ 500mA, 2V 4MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar