SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMN60H4D5SK3-13 Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13 -
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2.5A (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 30V 273.5 pf @ 25 V - 41W (TC)
DMP2035UVTQ-7 Diodes Incorporated DMP2035UVTQ-7 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2035 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7.2a (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 23.1 NC @ 4.5 V ± 12V 2400 pf @ 10 V - 2W (TA)
FMMT620QTA Diodes Incorporated Fmmt620qta 0.2131
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-FMMT620QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 1.5 A 100na NPN 200 MV a 20 mm, 1.5a 300 @ 200MA, 2V 160MHz
DMN5L06V-7 Diodes Incorporated DMN5L06V-7 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 150MW SOT-563 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 280 Ma 3ohm @ 200Ma, 2.7V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMN2053UQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UQ-13 0.0517
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN2053UQ-13 EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 6.5a (TA) 1.8v, 10v 29mohm @ 6a, 10v 1.2V @ 250 µA 4.6 NC @ 4.5 V ± 12V 414 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMN63D1LW-13 Diodes Incorporated DMN63D1LW-13 0.0376
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.3 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 310MW (TA)
DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H010SPS-13 1.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 11.8a (TA), 123A (TC) 6V, 10V 8.8mohm @ 13a, 10v 4V @ 250 µA 56.4 NC @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 50 V - 1.5W (TA)
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 0.1472
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC1229 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Vecino del canal 12V 5.6a, 3.8a 29mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 19.6nc @ 8V 914pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico
DMT2005UDV-13 Diodes Incorporated DMT2005UDV-13 0.2289
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT2005 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 24 V 50A (TC) 7mohm @ 14a, 10v 1.5V @ 250 µA 46.7nc @ 10V 2060pf @ 10V -
DXTC3C100PD-13 Diodes Incorporated DXTC3C100PD-13 0.2411
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DXTC3C100 1.47W PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DXTC3C100PD-13TR EAR99 8541.29.0075 2.500 100V 3A 100na NPN, PNP 330MV @ 300MA, 3A / 325MV @ 200MA, 2A 150 @ 500 mA, 10V / 170 @ 500 mA, 10V 130MHz, 100MHz
DCX123JK-7-F Diodes Incorporated DCX123JK-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 DCX123 300MW SC-74R descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
DMP32D4S-7 Diodes Incorporated DMP32D4S-7 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP32 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 300mA, 10V 2.4V @ 250 µA 1.2 NC @ 10 V ± 20V 51.16 pf @ 15 V - 370MW (TA)
DMTH4008LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDW-13 0.2900
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4008 Mosfet (Óxido de metal) 2.67W (TA), 39.4W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4008LPDW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 10a (TA), 46.2a (TC) 12.3mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 12.3nc @ 10V 881pf @ 20V -
DRDP006W-7 Diodes Incorporated DRDP006W-7 0.1040
RFQ
 ECAD 1825 0.00000000 Diodos incorporados DRD (XXXX) W Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DRDP006 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Drdp006wditr EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP - Precializado + Diodo 400mv @ 15 mA, 150 mA - 200 MHz
DMN1023UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1023UCB4-7 -
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLBGA DMN1023 U-WLB1010-4 (TUPO C) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 V 5.1a (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.3 NC @ 4.5 V ± 8V 288 pf @ 6 V - 800MW (TA)
BSS138DWK-13 Diodes Incorporated BSS138DWK-13 0.0379
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) 330MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-BSS138DWK-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 50V 310MA (TA) 2.6ohm @ 200 MMA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.8nc @ 10V 22pf @ 25V -
DMTH4001SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4001SPSQ-13 -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4001 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar 31-DMTH4001SPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 225a (TC) 10V 1mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 20V 10787 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 187.5W (TC)
DMP2065UQ-7 Diodes Incorporated DMP2065UQ-7 0.4800
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2065 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5V 900MV @ 250 µA 10.2 NC @ 4.5 V ± 12V 808 pf @ 15 V - 900MW
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated DMC1018UPD-13 -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMC1018 Mosfet (Óxido de metal) 2.3w PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 12V, 20V 9.5a, 6.9a 17mohm @ 11.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 30.4nc @ 8V 1525pf @ 6V -
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated DMN6013LFG-13 0.2923
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN6013 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 10.3a (TA), 45a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 55.4 NC @ 10 V ± 20V 2577 pf @ 30 V - 1W (TA)
ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated Zxmn4a06gta 0.9300
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMN4A06 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250 µA 18.2 NC @ 10 V ± 20V 770 pf @ 40 V - 2W (TA)
ADTC124EUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC124EUAQ-7 0.0531
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTC124 330 MW Sot-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-ADTC124EUAQ-7TR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
DMN31D4UFZ-7B Diodes Incorporated DMN31D4UFZ-7B 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN31 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0606-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 310MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.3 NC @ 4.5 V ± 12V 15.4 pf @ 15 V - 300MW (TA)
DMJ65H190SCTI Diodes Incorporated DMJ65H190SCTI -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Diodos incorporados * Tubo Activo DMJ65 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 50
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated DMN3135LVT-7 0.4500
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3135 Mosfet (Óxido de metal) 840MW TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 3.5a 60mohm @ 3.1a, 10V 2.2V @ 250 µA 4.1NC @ 4.5V 305pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
ZXMP10A13FTA-50 Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA-50 0.1494
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TUPO DN) descascar 31-ZXMP10A13FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 700 mA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 141 pf @ 50 V - 625MW
DMTH45M5SPDW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDW-13 1.2200
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Dmth45m Mosfet (Óxido de metal) 3.3W (TA), 60W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 79A (TC) 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2NC @ 10V 1083pf @ 20V Estándar
DMN3032LFDBWQ-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-13 0.2608
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 820MW U-DFN2020-6 (SWP) Tipo B descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3032LFDBWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a (TA) 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
2N7002DWK-13 Diodes Incorporated 2N7002DWK-13 0.0444
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 330MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-2N7002DWK-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 261MA (TA) 3ohm @ 200Ma, 10V 2V @ 250 µA 1.04nc @ 10V 41pf @ 30V -
DMT10H009LFG-13 Diodes Incorporated DMT10H009LFG-13 0.4980
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DMT10H009LFG-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2361 pf @ 50 V - 2W (TA), 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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