SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMN4060SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN4060SVTQ-13 0.1369
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN4060 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 - 31-DMN4060SVTQ-13 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 45 V 4.3a (TA) 4.5V, 10V 46mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1159 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMN16M0UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn16m0uca6-7 0.2362
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN16 Mosfet (Óxido de metal) 900MW X4-DSN2112-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmn16m0uca6-7di EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 17a (TA) 5.9mohm @ 5a, 4.5V 1.3V @ 1MA 24nc @ 4.5V - -
DMN5L06DWK-7-01 Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7-01 -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW (TA) Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN5L06DWK-7-01DI EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 305MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 50pf @ 25V -
DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG-7 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3333-8 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 12.4a (TA), 47a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 20.2 NC @ 4.5 V ± 20V 2309 pf @ 50 V - 1W (TA)
DMT12H065LFDF-13 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF-13 0.3232
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT12 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT12H065LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 115 V 4.3a (TA) 3V, 10V 65mohm @ 3a, 10v 2.2V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 12V 252 pf @ 50 V - 1W (TA)
DMG3401LSNQ-13 Diodes Incorporated DMG3401LSNQ-13 0.1685
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3401 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMG3401LSNQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 3a (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10v 1.3V @ 250 µA 25.1 NC @ 10 V ± 12V 1326 pf @ 15 V - 800MW
DMP2110UW-7 Diodes Incorporated DMP2110UW-7 0.4400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 1.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 12V 443 pf @ 6 V Estándar 490MW
ZXMP10A13FTA-50 Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA-50 0.1494
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TUPO DN) descascar 31-ZXMP10A13FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 700 mA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 141 pf @ 50 V - 625MW
DMN2055UWQ-7 Diodes Incorporated DMN2055UWQ-7 0.0794
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN2055 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2055UWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 3.1a (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.3 NC @ 4.5 V ± 8V 400 pf @ 10 V - 520MW (TA)
DMT47M2SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-7 0.8400
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 15.4a (TA), 49.1a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
DPLS315E-13 Diodes Incorporated DPLS315E-13 -
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DPLS315 1 W Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 15 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 3a 500 @ 10mA, 2V 100MHz
DMP1009UFDFQ-13 Diodes Incorporated DMP1009UFDFQ-13 0.1920
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1009 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP1009UFDFQ-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 12 V 11a (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 8 V ± 8V 1860 pf @ 10 V - 2W (TA)
DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated DMG4812SSS-13 -
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG4812 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10.7a, 10v 2.3V @ 250 µA 18.5 NC @ 10 V ± 12V 1849 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 1.54W (TA)
DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF-7 0.1527
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2015 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 15.2a (TA) 1.5V, 4.5V 9mohm @ 8.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 42.3 NC @ 10 V ± 12V 1439 pf @ 10 V - 1.8w (TA)
DMTH10H032SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH10H032SPSW-13 0.2451
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar 31-DMTH10H032SPSW-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 25A (TC) 10V 32mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 544 pf @ 50 V - 3.2W (TA)
DXTP5860CFDB-7 Diodes Incorporated DXTP5860CFDB-7 0.1473
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-udfn almohadilla exposición DXTP5860 690 MW U-DFN2020-3 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 4 A 100na PNP 450mv @ 250 mA, 5a 170 @ 500mA, 2V 130MHz
DMTH45M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPSW-13 0.8600
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Dmth45m Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 86a (TC) 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 20V 1083 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 72W (TC)
ZXTN25020DGTA Diodes Incorporated Zxtn25020dgta 0.8100
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXTN25020 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 7 A 50NA (ICBO) NPN 290mv @ 700 Ma, 7a 300 @ 10mA, 2V 215MHz
DMN2025UFDB-7 Diodes Incorporated DMN2025UFDB-7 0.1447
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2025 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 25mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.3nc @ 10V 486pf @ 10V -
DMTH45M5SPDW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDW-13 1.2200
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Dmth45m Mosfet (Óxido de metal) 3.3W (TA), 60W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 79A (TC) 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2NC @ 10V 1083pf @ 20V Estándar
DMT68M8LFV-13 Diodes Incorporated DMT68M8LFV-13 0.2878
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT68 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT68M8LFV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 54.1a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2078 pf @ 30 V - 2.7W (TA), 41.7W (TC)
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated DMP26M7UFG-7 0.8300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP26 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 20 V 18a (TA), 40a (TC) 1.8V, 4.5V 6.7mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 156 NC @ 10 V ± 10V 5940 pf @ 10 V - 2.3W (TA)
ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated Zxmn6a25dn8ta 1.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 60V 3.8a 50mohm @ 3.6a, 10v 1V @ 250 µA (min) 20.4nc @ 10V 1063pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
MMBTA55Q-13-F Diodes Incorporated MMBTA55Q-13-F 0.0507
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 - Alcanzar sin afectado 31-MMBTA55Q-13-FTR EAR99 8541.21.0095 10,000 60 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
DMN3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-13 0.3426
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 17.6a (TA), 62a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 13.5a, 10v 2.3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 3690 pf @ 10 V - 900MW (TA)
DMP2109UVT-7 Diodes Incorporated DMP2109UVT-7 0.0995
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2109 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2109UVT-7DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.7a (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 10V 443 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
DXTC3C100PD-13 Diodes Incorporated DXTC3C100PD-13 0.2411
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DXTC3C100 1.47W PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DXTC3C100PD-13TR EAR99 8541.29.0075 2.500 100V 3A 100na NPN, PNP 330MV @ 300MA, 3A / 325MV @ 200MA, 2A 150 @ 500 mA, 10V / 170 @ 500 mA, 10V 130MHz, 100MHz
DMNH6009SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6009SPS-13 0.6079
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH6009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMNH6009SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 95A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 37.3 NC @ 10 V ± 20V 1882 pf @ 30 V - 1.6w
FMMT722QTA Diodes Incorporated Fmmt722qta 0.2156
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-FMMT722QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 70 V 1.5 A 100na PNP 260mv @ 200 MMA, 1.5a 300 @ 100mA, 5V 200MHz
DDC114YUQ-7-F Diodes Incorporated Ddc114yuq-7-f 0.0660
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DDC (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDC114YUQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    Unidad de producto estándar

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