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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated Zxmd65p03n8ta -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMD65P03 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 30V 3.8a 55mohm @ 4.9a, 10v 1V @ 250 µA 25.7nc @ 10V 930pf @ 25V -
ZVN2535ASTZ Diodes Incorporated Zvn2535astz -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 350 V 90MA (TA) 10V 35ohm @ 100 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 70 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZTX968 Diodes Incorporated ZTX968 1.0200
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 1.58 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 12 V 4.5 A 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 5A 300 @ 500 mA, 1V 80MHz
BC858AW-7-F Diodes Incorporated BC858AW-7-F -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC858 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
DMP6110SFDFQ-7 Diodes Incorporated DMP6110SFDFQ-7 0.6000
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP6110 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 3.5a (TA) 4.5V, 10V 110MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 30 V - 760MW (TA)
DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-7 0.3426
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 17.6a (TA), 62a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 13.5a, 10v 2.3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 3690 pf @ 10 V - 900MW (TA)
DDTD122JC-7-F Diodes Incorporated DDTD122JC-7-F -
RFQ
 ECAD 4656 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtd122 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 47 @ 50mA, 5V 200 MHz 220 ohmios 4.7 kohms
FZT753TC Diodes Incorporated FZT753TC 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT753 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 100 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 500mA, 2V 140MHz
DMP4015SPS-13 Diodes Incorporated DMP4015SPS-13 0.8400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP4015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 47.5 NC @ 5 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 1.3W (TA)
BC857BLP4-7 Diodes Incorporated BC857BLP4-7 0.3700
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn BC857 250 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
FMMT416TA Diodes Incorporated Fmmt416ta 5.8500
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23 (TUPO DN) descascar Alcanzar sin afectado 31-FMMT416TATR EAR99 8541.21.0095 3.000 100 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 1 mapa, 10 mapa 100 @ 10mA, 10V 40MHz
DMN67D8L-7-50 Diodes Incorporated DMN67D8L-7-50 0.0352
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN67D8L-7-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.82 NC @ 10 V ± 30V 22 pf @ 25 V - 340MW (TA)
DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD113ZC-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtd113 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
DDTC115GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC115GKA-7-F -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc115 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms
DMT4008LFDF-13 Diodes Incorporated Dmt4008lfdf-13 0.2048
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT4008LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 40 V 11.8a (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 17.1 NC @ 10 V ± 20V 1179 pf @ 20 V - 800MW (TA)
DMPH4011SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4011SK3-13 0.5249
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMPH4011SK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 79A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 104 NC @ 10 V ± 20V 4497 pf @ 20 V - 3.7W (TA), 115W (TC)
DDTC114GCA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms
ZTX558QSTZ Diodes Incorporated Ztx558qstz 0.2736
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar Alcanzar sin afectado 31-ZTX558QSTZTB EAR99 8541.29.0075 4.000 400 V 200 MA 100na PNP - Darlington 500mV @ 6 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v 50MHz
DMT6006LSS-13 Diodes Incorporated DMT6006LSS-13 0.3615
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT6006LSS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 11.9a (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 34.9 NC @ 10 V ± 20V 2162 pf @ 30 V - 1.38W (TA)
DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7 0.1628
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMS2220 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Dms2220lfdb-7ditr EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 2.8a, 4.5V 1.3V @ 250 µA ± 12V 632 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated DMN3900UFA-7B 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3900 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 550 mA (TA) 1.8V, 4.5V 760mohm @ 200 MMA, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 8V 42.2 pf @ 25 V - 390MW (TA)
DMP2101UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCB9-7 -
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - DMP2101 - - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
DDTA143ZE-7 Diodes Incorporated Ddta143ze-7 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo Ddta143 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-ddta143ze-7dkr EAR99 8541.21.0075 3.000
MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated MMST5551Q-7-F 0.0570
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MMST5551 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMST5551Q-7-FDI EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 300MHz
DMT15H017SK3-13 Diodes Incorporated DMT15H017SK3-13 0.7244
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT15 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT15H017SK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 68a (TC) 8V, 10V 18.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2344 pf @ 75 V - 1.7w (TA)
BCX5610TA Diodes Incorporated Bcx5610ta 0.4000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5610 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 150MHz
ZXMC3A18DN8TA Diodes Incorporated Zxmc3a18dn8ta -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMC3 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Vecino del canal 30V 5.8a, 4.8a 25mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 µA (min) 36nc @ 10V 1800pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BC848CQ-7-F Diodes Incorporated BC848CQ-7-F 0.0319
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BC848CQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
VN10LPSTZ Diodes Incorporated VN10LPSTZ 0.3216
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 270MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated DMT2005UDV-7 0.2289
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT2005 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 24 V 50A (TC) 7mohm @ 14a, 10v 1.5V @ 250 µA 46.7nc @ 10V 2060pf @ 10V -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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