SIC
close

Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GVTA 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVN4306 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 2.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 3W (TA)
DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015SPS-13 0.3772
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 7.3a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.3W (TA), 46W (TC)
ZVNL120C Diodes Incorporated ZVNL120C -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 200 V 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250 mA, 5V 1.5V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMP2004TK-7 Diodes Incorporated DMP2004TK-7 0.5200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMP2004 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 430 mA (TA) 1.8V, 4.5V 1.1ohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 175 pf @ 16 V - 150MW (TA)
ZXTN25015DFHTA Diodes Incorporated Zxtn25015dfhta 0.2175
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25015 730 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 5 A 100na NPN 215mv @ 100 mm, 5a 300 @ 2a, 2v 240MHz
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated Zvp0120astz -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto - A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMN25D0UFA-7B Diodes Incorporated DMN25D0UFA-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN25 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 25 V 240MA (TA) 2.7V, 4.5V 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 0.36 NC @ 4.5 V 8V 27.9 pf @ 10 V - 280MW (TA)
DMTH4014LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LFVW-13 0.1942
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4014LFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 11.5a (TA), 49.8a (TC) 4.5V, 10V 13.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 11.2 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 20 V Estándar 3.1W (TA), 57.7W (TC)
DMG6302UDW-13 Diodes Incorporated DMG6302UDW-13 0.0490
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMG6302 Mosfet (Óxido de metal) 310MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMG6302UDW-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 25V 150MA (TA) 10ohm @ 140mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.34nc @ 4.5V 30.7pf @ 10V -
DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated DMN2011UFX-7 0.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-vfdfn almohadilla exposición DMN2011 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w V-DFN2050-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 12.2a (TA) 9.5mohm @ 10a, 4.5V 1V @ 250 µA 56nc @ 10V 2248pf @ 10V -
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated Dmt10h010lps-13 1.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 9.4a (TA), 98a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 3.5V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 1.2W (TA), 139W (TC)
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated DMP58D0SV-7 -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP58 Mosfet (Óxido de metal) 400MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 160 Ma 8ohm @ 100 mapa, 5V 2.1V @ 250 µA - 27pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMN2024U-13 Diodes Incorporated DMN2024U-13 0.0905
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2024 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 6.8a (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 10V 647 pf @ 10 V - 800MW
DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated DSS60600MZ4Q-13 0.5700
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.2 W SOT-223-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 6 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 600mA, 6a 150 @ 500mA, 2V 100MHz
ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated Zxmp10a13fta 0.5800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 600 mA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250 µA 3.5 NC @ 10 V ± 20V 141 pf @ 50 V - 625MW (TA)
DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D0UFD-7 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN DMP21 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1212-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 820 Ma (TA) 1.5V, 4.5V 495mohm @ 800 mA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 3 NC @ 4.5 V ± 8V 80 pf @ 10 V - 490MW (TA)
DDA114YU-7 Diodes Incorporated Dda114yu-7 0.4200
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo DDA114 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-dda114yu-7dkr EAR99 8541.21.0075 3.000
DDTC124ECA-7-F Diodes Incorporated DDTC124ECA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc124 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 200 MMA 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA - 50pf @ 10V -
DDTC113ZKA-7-F Diodes Incorporated Ddtc113zka-7-f -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC113 200 MW SC-59-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 5MA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0.5800
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dmg4800 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10v 1.6V @ 250 µA 8.7 NC @ 5 V ± 25V 798 pf @ 10 V - 1.71W (TA)
ZXTN19055DZTA Diodes Incorporated Zxtn19055dzta 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxtn19055 2.1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 55 V 6 A 50NA (ICBO) NPN 250mv @ 600 ma, 6a 250 @ 10mA, 2V 200MHz
DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated DXTN5860DFDB-7 0.5300
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-udfn almohadilla exposición 690 MW U-DFN2020-3 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 6 A 100na NPN 315mv @ 300mA, 6a 280 @ 500mA, 2V 115MHz
DMT6011LSS-13 Diodes Incorporated DMT6011LSS-13 0.2119
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT6011LSS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 10.6a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 22.2 NC @ 10 V ± 20V 1072 pf @ 30 V - 1.4W (TA)
DDTB123YU-7-F Diodes Incorporated DDTB123YU-7-F -
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtb123 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2N7002-7-F Diodes Incorporated 2N7002-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMT4031LFDF-7 Diodes Incorporated Dmt4031lfdf-7 0.1162
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT4031LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 16V 362 pf @ 20 V - 1.2W (TA)
ZDT795ATA Diodes Incorporated ZDT795ATA -
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT795A 2.75W Sm8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 140V 500mA 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 250 mv @ 50 mm, 500 mA 300 @ 10mA, 2V 100MHz
MMBTA28-7-F Diodes Incorporated MMBTA28-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta28 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FMMT491QTC Diodes Incorporated Fmmt491qtc 0.1215
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt491 500 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 60 V 1 A 100na NPN 250mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar