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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated ZVN4525E6TA 0.8300
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZVN4525 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 230 mA (TA) 2.4V, 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 1MA 3.65 NC @ 10 V ± 40V 72 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated DMN3033LSN-7 0.4100
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 10.5 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
DMT4011LFG-7 Diodes Incorporated Dmt4011lfg-7 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT4011 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 30A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 15.1 NC @ 10 V +20V, -16V 767 pf @ 20 V - 15.6W (TC)
DMN6069SE-13 Diodes Incorporated DMN6069SE-13 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DMN6069 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 4.3a (TA), 10a (TC) 4.5V, 10V 69mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 825 pf @ 30 V - 2.2W (TA)
DPLS160-7 Diodes Incorporated DPLS160-7 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DPLS160 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 1 A 100na PNP 330MV @ 100 Ma, 1A 200 @ 1 mapa, 5v 150MHz
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated Zvn4210astz 0.3197
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVN4210 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q1603162A EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 100 V 450mA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
MMDT3946Q-7R Diodes Incorporated Mmdt3946q-7r 0.0869
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3946 200MW Sot-363 descascar 31-MMDT3946Q-7R EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA NPN, complementario de PNP 300 MV @ 5 mm, 50 mm / 400mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz, 250MHz
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 1.1200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMHC6070 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 60V 3.1a, 2.4a 100mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 11.5nc @ 10V 731pf @ 20V -
DMP3017SFG-7 Diodes Incorporated DMP3017SFG-7 -
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3017 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 25V 2246 pf @ 15 V - 940MW (TA)
ZXTD3M832TA Diodes Incorporated Zxtd3m832ta -
RFQ
 ECAD 6130 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn Zxtd3m832 1.7w 8-MLP (3x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 40V 3A 25NA 2 PNP (dual) 370mv @ 250 mm, 2.5a 60 @ 1.5a, 2v 190MHz
DRDN005W-7 Diodes Incorporated DRDN005W-7 -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DRDN005 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na Npn + diodo (aislado) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
ZVNL120CSTOA Diodes Incorporated ZVNL120CSTOA -
RFQ
 ECAD 2117 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 200 V 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250 mA, 5V 1.5V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMC3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMC3032LFDB-13 0.1246
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC3032 Mosfet (Óxido de metal) 800MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar 31-DMC3032LFDB-13 EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 30V 5.3a (TA), 3.4a (TA) 30mohm @ 5.8a, 10v, 70mohm @ 3.8a, 10v 2V @ 250 µA, 2.1V @ 250 µA 10.6nc @ 10V, 7.8nc @ 10V 500pf @ 15V, 336pf @ 25V Estándar
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated DMN2026UVT-13 0.1173
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN2026 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2026UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 6.2a (TC) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18.4 NC @ 8 V ± 10V 887 pf @ 10 V - 1.15W (TA)
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated DMN2004DMK-7 0.4100
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) 225MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 540ma 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 150pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
FCX1053ATA Diodes Incorporated Fcx1053ata 0.7200
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FCX1053 2 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 75 V 3 A 10NA NPN 440mv @ 200MA, 4.5a 300 @ 500 mA, 2V 140MHz
ZDT617TC Diodes Incorporated ZDT617TC -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT617 2.5w Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 15V 3A 100na 2 NPN (dual) 200 MV @ 50 mm, 3a 300 @ 200MA, 2V 120MHz
DDTA124TCA-7 Diodes Incorporated Ddta124tca-7 0.2400
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo Ddta124 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-ddta124tca-7dkr EAR99 8541.21.0075 3.000
ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated Zxmn3a03e6ta 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 7.8a, 10v 1V @ 250 µA 12.6 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
FMMT722QTA Diodes Incorporated Fmmt722qta 0.2156
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-FMMT722QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 70 V 1.5 A 100na PNP 260mv @ 200 MMA, 1.5a 300 @ 100mA, 5V 200MHz
ZTX553STZ Diodes Incorporated Ztx553stz 0.2320
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX553 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 100 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V 150MHz
DMN6040SE-13 Diodes Incorporated DMN6040SE-13 0.1938
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DMN6040 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1287 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMT6005LSS-13 Diodes Incorporated DMT6005LSS-13 1.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT6005 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 47.1 NC @ 10 V ± 20V 2962 pf @ 30 V - 1.3W (TA)
DDTC114TCA-7-F Diodes Incorporated Ddtc114tca-7-f 0.0386
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated DMC2053UVT-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC2053 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 20V 4.6a (TA), 3.2a (TA) 35mohm @ 5a, 4.5V, 74mohm @ 3.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.6nc @ 4.5V, 5.9nc @ 4.5V 369pf @ 10V, 440pf @ 10V -
DMN66D0LDWQ-13 Diodes Incorporated Dmn66d0ldwq-13 0.0500
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN66 Mosfet (Óxido de metal) 400MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN66D0LDWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 217MA (TA) 6ohm @ 115mA, 5V 2V @ 250 µA 0.9nc @ 10V 29.3pf @ 25V -
DZT491-13 Diodes Incorporated DZT491-13 -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DZT491 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
MMDTA06-7 Diodes Incorporated Mmdta06-7 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mmdta06 900MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80V 500mA 100na 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 10mA, 1V 163MHz
DMP21D0UFB4-7R Diodes Incorporated DMP21D0UFB4-7R 0.3700
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP21 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 495mohm @ 400mA, 4.5V 1V @ 250 µA 1.5 NC @ 8 V ± 8V 76.5 pf @ 10 V - 430MW (TA)
DCX114YU-7 Diodes Incorporated Dcx114yu-7 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 68 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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