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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DDTC124TE-7-F Diodes Incorporated DDTC124TE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddtc124 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 22 kohms
ACX114EUQ-13R Diodes Incorporated Acx114euq-13r 0.0481
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Acx114 270MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
DMTH8004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8004LPS-13 0.8379
RFQ
 ECAD 1933 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8004LPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2.8V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 4979 pf @ 40 V - 1.5W (TA), 125W (TC)
ZXTP2012GTA Diodes Incorporated Zxtp2012gta 0.8200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXTP2012 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 5.5 A 20NA (ICBO) PNP 250mv @ 500 Ma, 5a 100 @ 2a, 1v 120MHz
DMG4N60SJ3 Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 -
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Dmg4 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 14.3 NC @ 10 V ± 30V 532 pf @ 25 V - 41W (TC)
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated Zxt13p12de6ta 0.2610
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxt13p12 1.1 W Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 12 V 4 A 100na PNP 175mv @ 400mA, 4A 300 @ 1a, 2v 55MHz
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated DMN2022UNS-7 0.5900
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN2022 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w PowerDI3333-8 (TUPO UXB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 10.7a (TA) 10.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 20.3nc @ 4.5V 1870pf @ 10V -
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DDTA114TKA-7-F Diodes Incorporated Ddta114tka-7-f -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
DMN2451UFB4Q-7R Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7R 0.0460
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2451 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2451UFB4Q-7RTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 6.4 NC @ 10 V ± 12V 32 pf @ 16 V - 660MW (TA)
DMN53D0LT-7 Diodes Incorporated DMN53D0LT-7 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMN53D0LT-7 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 350MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 46 pf @ 25 V - 300MW (TA)
DDTC144VUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144VUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
MMDT4146-7-F Diodes Incorporated MMDT4146-7-F -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4146 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25V 200 MMA 50NA (ICBO) NPN, PNP 300 MV @ 5 mm, 50 mm / 400mv @ 5 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 1V 300MHz, 250MHz
DMMT2907A-7 Diodes Incorporated DMMT2907A-7 0.1238
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Dmmt2907 900MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60V 600mA 10NA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 307MHz
DMN2009UCA4-7 Diodes Incorporated Dmn2009uca4-7 0.2732
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, dsbga DMN2009 Mosfet (Óxido de metal) 900MW X4-DSN1717-4 descascar 31-DMN2009uca4-7 EAR99 8541.21.0095 3.000 - 20V 10.3a (TA) 11.9mohm @ 2.5a, 4.5V 1.4V @ 640 µA 17.5nc @ 4V 1780pf @ 10V Estándar
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated DMG5802LFX-7 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vfdfn almohadilla exposición DMG5802 Mosfet (Óxido de metal) 980MW W-DFN5020-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 24 V 6.5a 15mohm @ 6.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 31.3nc @ 10V 1066.4pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FZT593TA Diodes Incorporated FZT593TA 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT593 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 1 A 100na PNP 300mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 500 mA, 5V 50MHz
ZXTN2011ZTA Diodes Incorporated Zxtn2011zta 0.8600
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxtn2011 2.1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 4.5 A 50NA (ICBO) NPN 195mv @ 500mA, 5A 100 @ 2a, 2v 130MHz
ZTX651STZ Diodes Incorporated ZTX651STZ 0.8600
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX651 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 60 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a - 175MHz
DDTA115TCA-7 Diodes Incorporated Ddta115tca-7 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo Ddta115 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
DSS30101L-7 Diodes Incorporated DSS30101L-7 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DSS30101 600 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 200 MV @ 100 MAPA, 1A 300 @ 500 mA, 5V 250MHz
DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated DMN3009SFG-7 0.7700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 16A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 900MW (TA)
BCX55TA Diodes Incorporated Bcx55ta 0.4000
RFQ
 ECAD 686 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX55 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
ZXTD4591E6TC Diodes Incorporated Zxtd4591e6tc -
RFQ
 ECAD 3107 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXTD4591 1.1w Sot-23-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 60V 1A 100na NPN, PNP 600mV @ 100 mm, 1A / 500mV @ 100 mm, 1A 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
BC847BLD-7 Diodes Incorporated BC847BLD-7 -
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 200 MA 50NA NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 150 @ 10mA, 5V 100MHz
ZTX553STOA Diodes Incorporated Ztx553stoa -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX553 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 100 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V 150MHz
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated DMN2004VK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 540ma 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 150pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated DMHC4035LSD-13 0.8700
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMHC4035 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 40V 4.5a, 3.7a 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250 µA 12.5nc @ 10V 574pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
DMP6023LEQ-13 Diodes Incorporated DMP6023LEQ-13 0.3681
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DMP6023 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 7a (TA), 18.2a (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 53.1 NC @ 10 V ± 20V 2569 pf @ 30 V - 2W (TA), 17.3W (TC)
FZT489TA Diodes Incorporated Fzt489ta 0.6400
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT489 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 1 A 100na NPN 600mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1a, 2v 150MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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