SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMG4N60SJ3 Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 -
RFQ
ECAD 6229 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Dmg4 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 14.3 NC @ 10 V ± 30V 532 pf @ 25 V - 41W (TC)
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated Zxt13p12de6ta 0.2610
RFQ
ECAD 2806 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxt13p12 1.1 W Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 12 V 4 A 100na PNP 175mv @ 400mA, 4A 300 @ 1a, 2v 55MHz
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated DMN2022UNS-7 0.5900
RFQ
ECAD 5044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN2022 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w PowerDI3333-8 (TUPO UXB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 10.7a (TA) 10.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 20.3nc @ 4.5V 1870pf @ 10V -
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DDTA114TKA-7-F Diodes Incorporated Ddta114tka-7-f -
RFQ
ECAD 2661 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
DMN2451UFB4Q-7R Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7R 0.0460
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2451 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2451UFB4Q-7RTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 6.4 NC @ 10 V ± 12V 32 pf @ 16 V - 660MW (TA)
DMN53D0LT-7 Diodes Incorporated DMN53D0LT-7 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMN53D0LT-7 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 350MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 46 pf @ 25 V - 300MW (TA)
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
ECAD 2005 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 700MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 7.7a (TA) 20mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3023L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 6.2a (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 18.4 NC @ 10 V ± 20V 873 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN10 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 1167 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdb-7 0.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
ZXTC2045E6QTA Diodes Incorporated Zxtc2045e6qta 0.2809
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXTC2045 700MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30V 1.5a 20NA (ICBO) NPN, PNP 375mv @ 15 mA, 750 mA 180 @ 100mA, 2V 265MHz, 195MHz
FZT688BTC Diodes Incorporated FZT688BTC -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT688 2 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 12 V 4 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mm, 4a 400 @ 3a, 2v 150MHz
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated DMT4002LPS-13 0.6468
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT4002 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TA) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 116.1 NC @ 10 V ± 20V 6771 pf @ 20 V - 2.3w
DCX114YH-7 Diodes Incorporated Dcx114yh-7 0.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DCX114 150MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 68 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
DDTA123TCA-7-F Diodes Incorporated Ddta123tca-7-f 0.2200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta123 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 2.2 kohms
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated DMN65D8LV-13 0.0496
RFQ
ECAD 3115 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - Alcanzar sin afectado 31-DMN65D8LV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 310MA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 14a (TA), 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 1.3W (TA)
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT-7 0.3304
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn DMT3009 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA), 16W (TC) V-DFN3030-8 (TUPO KS) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT3009UDT-7TR EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 30V 10.6a (TA), 30a (TC) 11.1mohm @ 11a, 10v 1.8V @ 250 µA 14.6nc @ 10V 894pf @ 15V -
DDTC114WUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114WUA-7-F 0.2500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtc114 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 Mosfet (Óxido de metal) 450MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 900mA 260MOHM @ 880MA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
BSS138-13-F Diodes Incorporated BSS138-13-F 0.0340
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 300MW (TA)
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated DDTC114EE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddtc114 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
ZTX605STOB Diodes Incorporated Ztx605stob -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX605 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 120 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 470MW (TA)
DMP2900UWQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-13 0.0500
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP2900UWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 600 mA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7 pc @ 4.5 V ± 6V 49 pf @ 16 V - 300MW
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
ZXT12N50DXTC Diodes Incorporated Zxt12n50dxtc 0.6300
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Zxt12n50 1.04W 8-MSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 50V 3A 100na 2 NPN (dual) 250 MV a 50 mm, 3a 300 @ 1a, 2v 132MHz
ZXTP25020BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25020BFHTA 0.5600
RFQ
ECAD 5801 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25020 1.25 W Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 4 A 50NA (ICBO) PNP 210mv @ 500 Ma, 5a 100 @ 10mA, 2V 250MHz
DCX143TU-7-F Diodes Incorporated DCX143TU-7-F 0.3000
RFQ
ECAD 94 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX143 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 2.5MA 100 @ 1 mapa, 5v 250MHz 4.7 kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock