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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MMDT3906-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT3906-7-F-52 0.0873
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3906 200MW Sot-363 descascar 31-MMDT3906-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
DMG2307L-7-52 Diodes Incorporated DMG2307L-7-52 0.0814
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2307 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMG2307L-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 371.3 pf @ 15 V - 760MW (TA)
DMP2004UFG-13 Diodes Incorporated DMP2004UFG-13 0.3474
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP2004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 - 31-DMP2004UFG-13 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 115A (TC) 2.5V, 10V 3mohm @ 15a, 10v 1.1V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 12V 3840 pf @ 10 V - 1W (TA)
BSS84W-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84W-7-F-50 0.0660
RFQ
 ECAD 9995 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS84W-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 45 pf @ 25 V - 200MW
DMN12M8UCA10-7 Diodes Incorporated Dmn12m8uca10-7 0.7000
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo DMN12 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w X4-DSN3015-10 descascar 31-DMN12M8uca10-7 EAR99 8541.21.0095 5,000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 25A (TA) 2.8mohm @ 6a, 4.5V 1.4V @ 1.11MA 36.4nc @ 4V 2504pf @ 10V Estándar
FMMT459TA-50 Diodes Incorporated Fmmt459ta-50 0.1317
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt459 625 MW Sot-23-3 descascar 31-fmmt459ta-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 450 V 150 Ma 100na NPN 90mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 30mA, 10V 50MHz
DMN3020UFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3020UFDFQ-7 0.1386
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3020 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar 31-DMN3020UFDFQ-7 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 10.4a (TA), 15a (TC) 1.5V, 4.5V 19mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 27 NC @ 8 V ± 12V 1304 pf @ 15 V - 730MW (TA)
DMP4065S-13-52 Diodes Incorporated DMP4065S-13-52 0.1411
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMP4065S-13-52 EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 40 V 2.4a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250 µA 12.2 NC @ 10 V ± 20V 587 pf @ 20 V - 720MW
DMN3300U-7-52 Diodes Incorporated DMN3300U-7-52 0.1148
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN3300U-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 193 pf @ 10 V - 700MW
DMMT3904WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3904WQ-7-F-52 0.0880
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3904 200MW Sot-363 descascar 31-DMMT3904WQ-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
DMMT3906WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3906WQ-7-F-52 0.0878
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3906 200MW Sot-363 descascar 31-DMMT3906WQ-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
DMN6068LK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 0.3003
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN6068 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 31-DMN6068LK3-13-52 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6a (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 10.3 NC @ 10 V ± 20V 502 pf @ 30 V - 2.12W (TA)
DMP2037UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2037UFCL-7 0.1254
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn DMP2037 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1616-6 (TUPO K) descascar 31-DMP2037UFCL-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 8a (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 16.5 NC @ 8 V ± 10V 806 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0.1462
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, dsbga DMN1032 Mosfet (Óxido de metal) X1-DSN1010-4 (TUPO B) descascar 31-DMN1032UCP4-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 V 5A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 1a, 10v 1.2V @ 250 µA 3.2 NC @ 4.5 V ± 8V 325 pf @ 6 V - 790MW (TA)
DMP3007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3007LK3Q-13 0.5272
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3007 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 31-DMP3007LK3Q-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 18.5a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 17a, 10v 2.8V @ 250 µA 64.2 NC @ 10 V ± 20V 2826 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
DMP22D5UFB4-7R Diodes Incorporated DMP22D5UFB4-7R 0.0343
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP22 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar 31-DMP22D5UFB4-7R EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 400 mA (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.3 NC @ 4.5 V ± 8V 17 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMTH10H032LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LPDWQ-13 0.4173
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA), 37W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar 31-DMTH10H032LPDWQ-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal 100V 24a (TC) 32mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50V Estándar
DMN2004WK-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WK-7-52 0.0724
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 31-DMN2004WK-7-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 150 pf @ 16 V - 200MW (TA)
DMPH4029LFGQ-13-52 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-13-52 0.2139
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 31-DMPH4029LFGQ-13-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 8a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1626 pf @ 20 V - 1.2W (TA)
DMC3401LDW-7-50 Diodes Incorporated DMC3401LDW-7-50 0.0483
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMC3401 Mosfet (Óxido de metal) 290MW (TA) Sot-363 descascar 31-DMC3401LDW-7-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 800 mA (TA), 550 mA (TA) 400mohm @ 590mA, 10V, 900mohm @ 420 mm, 10V 1.6V @ 250 µA, 2.6V @ 250 µA 1.2NC @ 10V, 800pc @ 10V 50pf @ 15V, 19pf @ 15V Estándar
DMP2104LP-7-52 Diodes Incorporated DMP2104LP-7-52 0.1007
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN DMP2104 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1411-3 descascar 31-DMP2104LP-7-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 1.8V, 4.5V 150MOHM @ 950MA, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 320 pf @ 16 V - 500MW (TA)
DMN3732UFB4-7B Diodes Incorporated DMN3732UFB4-7B 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3732 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.9 NC @ 4.5 V ± 8V 40.8 pf @ 25 V - 490MW (TA)
DMTH41M2SPS-13 Diodes Incorporated DMTH41M2SPS-13 2.8100
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH41 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 225a (TC) 10V 1.2mohm @ 30a, 10V 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 11085 pf @ 20 V - 3.4W (TA), 158W (TC)
DMTH15H017LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ-13 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMTH15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10v 2.6V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3369 pf @ 75 V - 1.5W (TA), 107W (TC)
DMP31D1U-13 Diodes Incorporated DMP31D1U-13 0.0264
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP31D1U-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 620 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 1ohm @ 400mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.6 NC @ 8 V ± 8V 54 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMP4026LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSSQ-13 0.2597
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP4026LSSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2083 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
DMP4026LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSDQ-13 0.4078
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 1.3W (TA) 8-SO - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP4026LSDQ-13TR 2.500 2 Canal P 40V 6.5a (TA) 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 45.8nc @ 10V 2064pf @ 20V Estándar
DMP31D1U-7 Diodes Incorporated Dmp31d1u-7 0.1900
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 620 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 1ohm @ 400mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.6 NC @ 8 V ± 8V 54 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMC2400UV Diodes Incorporated Dmc2400uv -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMC2400 Mosfet (Óxido de metal) 450MW (TA) SOT-563 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMC2400UV EAR99 8541.21.0095 1 N y p-canal complementario 20V 1.03A (TA), 700 mA (TA) 480mohm @ 200MA, 5V, 970MOHM @ 100MA, 5V 900MV @ 250 µA, 1V @ 250 µA 0.5nc @ 4.5V, 0.8nc @ 10V 37.1pf @ 10V, 46.1pf @ 10V -
DMP1022UWS-13 Diodes Incorporated DMP1022UWS-13 0.2818
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-vdfn DMP1022 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3020-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 12 V 7.2a (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 30 NC @ 5 V ± 8V 2847 pf @ 4 V - 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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