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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ADTA114EUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA114EUAQ-13 0.0257
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTA114 330 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA - PNP - Pre -Sesgado - - 250 MHz 10 kohms 10 kohms
FCX790ATA Diodes Incorporated Fcx790ata 0.5700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FCX790 2 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 450mv @ 50 mm, 2a 300 @ 10mA, 2V 100MHz
ZUMT718TC Diodes Incorporated Zumt718tc -
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Zumt718 500 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 1 A 10NA PNP 250mv @ 100 mm, 1a 200 @ 500mA, 2V 210MHz
SXTA42TA Diodes Incorporated Sxta42ta 0.4600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA SXTA42 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
BSS84V-7-79 Diodes Incorporated BSS84V-7-79 -
RFQ
 ECAD 7980 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) SOT-563 - 31-BSS84V-7-79 EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V -
DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13 0.4800
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1046 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 12V 3.8a 61mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 17.9nc @ 8V 915pf @ 6V -
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated Dmn3051ldm-7 0.4100
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN3051 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 38mohm @ 6a, 10v 2.2V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 424 pf @ 5 V - 900MW (TA)
DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated DDTB114GC-7-F -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtb114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms
ZXTN23015CFHTA Diodes Incorporated Zxtn23015cfhta 0.7900
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN23015 1.25 W Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 15 V 6 A 20NA (ICBO) NPN 180mv @ 120 Ma, 6a 200 @ 500mA, 2V 235MHz
BC856BQ-7-F Diodes Incorporated BC856BQ-7-F 0.0301
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BC856BQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 200MHz
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 DGTD65 Estándar 230 W To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V 60 ns Parada de Campo 650 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 500 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 60 NC 6ns/55ns
FZT491TC Diodes Incorporated FZT491TC -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT491 2 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3a04dn8ta 1.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 1.81W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 30V 6.5a 20mohm @ 12.6a, 10v 1V @ 250 µA (min) 36.8nc @ 10V 1890pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMP2200UDW-7 Diodes Incorporated DMP2200UDW-7 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 Mosfet (Óxido de metal) 450MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 900mA 260MOHM @ 880MA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
ZX5T955ZTA Diodes Incorporated Zx5t955zta 0.8800
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA ZX5T955 2.1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 140 V 3 A 20NA (ICBO) PNP 330MV @ 300 Ma, 3a 100 @ 1a, 5v 120MHz
ZVP0545GTA Diodes Incorporated ZVP0545GTA 0.8800
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVP0545 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 450 V 75MA (TA) 10V 150ohm @ 50 mm, 10v 4.5V @ 1MA ± 20V 120 pf @ 25 V - 2W (TA)
BC856AS-7 Diodes Incorporated BC856As-7 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC856 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
DMTH8028LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH8028LFVW-13 0.2498
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8028LFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 27a (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 631 pf @ 40 V - 1.5W (TA)
FCX1151ATA Diodes Incorporated Fcx1151ata 0.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FCX1151 2 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 3 A 100na PNP 300mv @ 250 Ma, 3a 250 @ 500 mA, 2V 145MHz
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3f31dn8ta 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 30V 5.7a 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9nc @ 10V 608pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
MMBTA06-7-F Diodes Incorporated MMBTA06-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta06 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated DMN2041LSD-13 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN2041 Mosfet (Óxido de metal) 1.16w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 7.63a 28mohm @ 6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 15.6nc @ 10V 550pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMTH8030LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH8030LPDW-13 0.3559
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH8030 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W (TA), 41W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8030LPDW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 80V 28.5A (TC) 26mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4nc @ 10V 631pf @ 40V -
ZDT795ATA Diodes Incorporated ZDT795ATA -
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT795A 2.75W Sm8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 140V 500mA 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 250 mv @ 50 mm, 500 mA 300 @ 10mA, 2V 100MHz
2DA1774QLP-7B Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7B 0.0775
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN 2DA1774 250 MW X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
DMP610DLQ-13 Diodes Incorporated DMP610DLQ-13 0.0406
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP610DLQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 60 V 186MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa 0.5 NC @ 5 V ± 30V 40 pf @ 25 V - 520MW (TA)
BC857BS-13-F Diodes Incorporated BC857BS-13-F 0.2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC857 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 220 @ 2mA, 5V 100MHz
CTA2P1N-7 Diodes Incorporated CTA2P1N-7 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo Cta2p1n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L-7 0.2400
RFQ
 ECAD 521 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 350MA (TA) 2.5V, 10V 2.8ohm @ 250 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 23.2 pf @ 25 V - 350MW (TA)
DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ-13 1.4200
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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