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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MMBTA06Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBTA06Q-7-F-52 0.0458
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 31-MMBTA06Q-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
ADTA143ZUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA143ZUAQ-13 0.0320
RFQ
 ECAD 2507 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTA143 330 MW Sot-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 100 mA - PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
DMT2004UFV-13 Diodes Incorporated DMT2004UFV-13 0.2184
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT2004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 24 V 70A (TC) 2.5V, 10V 5mohm @ 12a, 10v 1.45V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 12V 1683 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated DMN62D0UWQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 848 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 340MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 320MW (TA)
FMMT720-7 Diodes Incorporated Fmmt720-7 -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW Sot-23-3 - 1 (ilimitado) 31-FMMT720-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 1.5 A 100na PNP 330MV @ 100 mm, 1.5a 300 @ 100 mapa, 2v 180MHz
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated Zxmp6a17ktc 0.8700
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMP6A17 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 4.4a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.3a, 10v 1V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 2.11W (TA)
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMG6402 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 11.4 NC @ 10 V ± 20V 498 pf @ 15 V - 1.75W (TA)
DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDB-7 0.4600
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2160 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 3.8a 70mohm @ 2.8a, 4.5V 900MV @ 250 µA 6.5nc @ 4.5V 536pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated DMN3150LW-7 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN3150 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 28 V 1.6a (TA) 2.5V, 4.5V 88mohm @ 1.6a, 4.5V 1.4V @ 250 µA ± 12V 305 pf @ 5 V - 350MW (TA)
DMP2006UFG-13 Diodes Incorporated DMP2006UFG-13 -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP2006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 17.5a (TA), 40a (TC) 1.5V, 4.5V 5.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 10V 7500 pf @ 10 V - 2.3W (TA)
ADTA143ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTA143ECAQ-7 0.0658
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA143 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-ADTA143ECAQ-7TR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
MMBT3906-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT3906-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-MMBT3906-7-F-79TR Obsoleto 3.000
DMN61D9UDW-13-50 Diodes Incorporated DMN61D9UDW-13-50 -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) 320MW (TA) Sot-363 descascar 31-DMN61D9UDW-13-50 EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal 60V 350MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 28.5pf @ 30V Estándar
ZDM4306NTC Diodes Incorporated Zdm4306ntc -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDM4306N Mosfet (Óxido de metal) 3W Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V 2A 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA - 350pf @ 25V -
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated DMN6070SSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN6070 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 3.3a 80mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 12.3nc @ 10V 588pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
DMP2038USS-13 Diodes Incorporated DMP2038USS-13 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP2038 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 6.5a (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 14.4 NC @ 4.5 V ± 8V 1496 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
DDTB122JC-7-F Diodes Incorporated DDTB122JC-7-F -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtb122 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 47 @ 50mA, 5V 200 MHz 220 ohmios 4.7 kohms
DMN63D1LW-7 Diodes Incorporated DMN63D1LW-7 0.0508
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.3 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 310MW (TA)
DMTH4001SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4001SPS-13 -
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4001 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DMTH4001SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 1mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 187 NC @ 10 V ± 20V 14023 pf @ 20 V - 3.09W (TA), 187.5W (TC)
DMTH6016LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6016LK3Q-13 0.2946
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6016 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 10.8a (TA), 46.9a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 864 pf @ 30 V - 3.2W (TA)
DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH6012LK3Q-13 1.2400
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH6012 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 35.2 NC @ 10 V ± 20V 1926 pf @ 30 V - 2W (TA)
MMBTA42Q-7-F Diodes Incorporated MMBTA42Q-7-F 0.0449
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta42 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMBTA42Q-7-FTR EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 0.4600
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC3032 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 8.1a, 7a 32mohm @ 7a, 10v 2.1V @ 250 µA 9.2NC @ 10V 404.5pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
ZDT6718QTA Diodes Incorporated Zdt6718qta 0.6935
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT6718 2W SM-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-ZDT6718QTATR EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 2a, 1.5a 100na NPN, PNP 200 MV @ 50 mm, 2.5A / 220mV @ 50 mm, 1.5a 300 @ 200MA, 2V / 300 @ 100MA, 2V 140MHz, 180MHz
DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3060LCA3-7 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3060 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 3.9a (TA) 1.8v, 8V 60mohm @ 500 mA, 8V 1.1V @ 250 µA 1.677 NC @ 4.5 V ± 12V 192 pf @ 15 V - 790MW
2N7002-13-F Diodes Incorporated 2N7002-13-F -
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-2N7002-13-F EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 170MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.23 NC @ 4.5 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMP2066LVT-7 Diodes Incorporated DMP2066LVT-7 -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMP2066 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 8V 2990 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 0.8479
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HTMN5130 Mosfet (Óxido de metal) 1.7w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 55V 2.6a 130mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 8.9nc @ 10V 218.7pf @ 25V -
FZT953-7 Diodes Incorporated FZT953-7 -
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-FZT953-7TR Obsoleto 3.000
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn1002uca6-7 0.3564
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN1002 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w X4-DSN3118-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común - - - - 68.6nc @ 4V - -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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