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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP31D7L-13 Diodes Incorporated DMP31D7L-13 0.0481
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP31 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP31D7L-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 580MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA 0.36 NC @ 4.5 V ± 20V 19 pf @ 15 V - 430MW (TA)
FMMT458W Diodes Incorporated Fmmt458w -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW Sot-23-3 - 31-FMMT458W EAR99 8541.21.0095 1 400 V 225 Ma 100na NPN 500mV @ 6 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v 50MHz
DDTA114WKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WKA-7-F -
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
MMBT2222AT-7-F-50 Diodes Incorporated MMBT2222AT-7-F-50 0.0642
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 150 MW SOT-523 descascar 31-MMBT2222AT-7-F-50 EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 10NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
DMN3061SWQ-7 Diodes Incorporated DMN3061SWQ-7 0.4400
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN3061 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.7a (TA) 3.3V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250 µA 3.5 NC @ 4.5 V ± 20V 278 pf @ 15 V - 490MW (TA)
DMP1070UCA3-7 Diodes Incorporated DMP1070uca3-7 -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP1070 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN0607-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmp1070uca3-7di EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 3.6a (TA) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 400mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.45 NC @ 4.5 V -6v 147 pf @ 6 V - 710MW
DMTH47M2LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVW-13 0.2333
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMTH47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar 31-DMTH47M2LFVW-13 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 13.6a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 881 pf @ 20 V - 2.9W (TA), 37.5W (TC)
IMT17-7 Diodes Incorporated IMT17-7 -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IMT17 300MW Sot-26 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 500mA 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 600mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mapa, 3V 200MHz
BCM846BS-7 Diodes Incorporated BCM846BS-7 0.0478
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BCM846BS-7DI EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) par emparejado 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN7022LFGQ-13 Diodes Incorporated DMN7022LFGQ-13 -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN7022 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 23a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.2a, 10v 3V @ 250 µA 56.5 NC @ 10 V ± 20V 2737 pf @ 35 V - 2W (TA)
DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated Dmn2044ucb4-7 0.5800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLBGA DMN2044 Mosfet (Óxido de metal) U-WLB1010-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 3.3a ​​(TA) 1.5V, 4.5V 40mohm @ 1.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 47 NC @ 8 V ± 8V 1400 pf @ 10 V - 720MW
ZXM64N03XTA Diodes Incorporated ZXM64N03XTA -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMN3730U-7 Diodes Incorporated DMN3730U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 450MW (TA)
DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated DMP3017SFK-7 -
RFQ
 ECAD 7405 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3017 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2523-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.4a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9.5a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4414 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN6140L-7-52 Diodes Incorporated DMN6140L-7-52 0.0626
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140L-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
BSS138W-7-F-50 Diodes Incorporated BSS138W-7-F-50 0.0635
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS138W-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 200MW (TA)
DDTB143TU-7-F Diodes Incorporated Ddtb143tu-7-f -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtb143 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 100 @ 5 MMA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
DMN2300U-7 Diodes Incorporated DMN2300U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.24a (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 430MW (TA)
FZT560QTC Diodes Incorporated FZT560QTC 0.3590
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2 W SOT-223 descascar Alcanzar sin afectado 31-FZT560QTCTR EAR99 8541.29.0075 4.000 500 V 150 Ma 100na PNP 500mV @ 10 Ma, 50 Ma 100 @ 1 MMA, 10V 60MHz
DMT69M9LPDW-13 Diodes Incorporated DMT69M9LPDW-13 0.4453
RFQ
 ECAD 3448 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT69 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA), 40.3W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT69M9LPDW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 11a (TA), 44a (TC) 12.5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 33.5nc @ 10V 2212pf @ 30V -
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH32M5LPSQ-13 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH32 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 30a, 10V 3V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 16V 3944 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 100W (TC)
2N7002EQ-13-F Diodes Incorporated 2N7002EQ-13-F 0.0447
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-2N7002EQ-13-FTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 292MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.5 NC @ 10 V ± 20V 35 pf @ 30 V - 500MW (TA)
DMTH10H1M7STLW-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLW-13 2.7342
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI1012-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H1M7STLW-13TR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 250a (TC) 10V 2mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 147 NC @ 10 V ± 20V 9871 pf @ 50 V - 6W (TA), 250W (TC)
DMC10H220LSD-13 Diodes Incorporated DMC10H220LSD-13 0.3103
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC10 Mosfet (Óxido de metal) 1W (TA) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMC10H220LSD-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 100V 1.7a (TA) 220mohm @ 1.6a, 10v, 250mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 8.3nc @ 10V, 17.5nc @ 10V 340pf @ 50V, 1030pf @ 50V -
DMP3010LK3-13 Diodes Incorporated DMP3010LK3-13 0.8300
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 59.2 NC @ 4.5 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
DMN601WK-7 Diodes Incorporated DMN601WK-7 0.3500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMP2110UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-13 0.0912
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) 820MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP2110UFDB-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 3.2a (TA) 75mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.7nc @ 8V 443pf @ 10V -
ZVNL110GTA Diodes Incorporated Zvnl110gta 0.9400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVNL110 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 600 mA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMTH47M2LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVWQ-13 0.2610
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMTH47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar 31-DMTH47M2LFVWQ-13 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 13.6a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 881 pf @ 20 V - 2.9W (TA), 37.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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