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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
ZTX325 Diodes Incorporated ZTX325 -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX325 350MW Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZTX325-NDR EAR99 8541.21.0075 4.000 53dB 15V 50mera NPN 25 @ 2mA, 1V 1.3GHz 5DB @ 500MHz
DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated DMP3017SFK-7 -
RFQ
 ECAD 7405 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3017 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2523-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.4a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9.5a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4414 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN6140L-7-52 Diodes Incorporated DMN6140L-7-52 0.0626
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140L-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
FZT560QTC Diodes Incorporated FZT560QTC 0.3590
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2 W SOT-223 descascar Alcanzar sin afectado 31-FZT560QTCTR EAR99 8541.29.0075 4.000 500 V 150 Ma 100na PNP 500mV @ 10 Ma, 50 Ma 100 @ 1 MMA, 10V 60MHz
ZXTN2010ASTZ Diodes Incorporated Zxtn2010astz 0.9500
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZXTN2010 710 MW Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 4.5 A 100na NPN 210mv @ 200MA, 5A 100 @ 2a, 1v 130MHz
DMNH4004SPS-13 Diodes Incorporated DMNH4004SPS-13 0.5635
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH4004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMNH4004SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 6mohm @ 50a, 10v 3.5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V 20V 2284 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Zxmn10 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 100V 1.6a 250mohm @ 3.2a, 10V 2V @ 250 µA (min) 7.7nc @ 10V 405pf @ 50V Puerta de Nivel Lógico
DMT69M9LPDW-13 Diodes Incorporated DMT69M9LPDW-13 0.4453
RFQ
 ECAD 3448 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT69 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA), 40.3W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT69M9LPDW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 11a (TA), 44a (TC) 12.5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 33.5nc @ 10V 2212pf @ 30V -
DMN3730U-7 Diodes Incorporated DMN3730U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 450MW (TA)
ZXM64N03XTA Diodes Incorporated ZXM64N03XTA -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7 0.4000
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 270MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 20V 87 pf @ 25 V - 380MW (TA)
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated Dmg6402ldm-7 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMG6402 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 9.2 NC @ 10 V ± 20V 404 pf @ 15 V - 1.12W (TA)
DMTH4014LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPSW-13 0.2189
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4014LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 43.5a (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 11.2 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 20 V - 4W (TA), 46.9W (TC)
DDTC124GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC124GKA-7-F -
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc124 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H015LK3-13 0.3675
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 52.5a (TA) 6V, 10V 15mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 2.1W (TA)
DMT10H4M9LPSW-13 Diodes Incorporated DMT10H4M9LPSW-13 0.8469
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo - 31-DMT10H4M9LPSW-13 2.500
DMP3018SFVQ-13 Diodes Incorporated DMP3018SFVQ-13 -
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3018 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 11a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 25V 2147 pf @ 15 V - 1W (TA)
DDTB143TU-7-F Diodes Incorporated Ddtb143tu-7-f -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtb143 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 100 @ 5 MMA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
ZX5T1951GTA Diodes Incorporated Zx5t1951gta 0.6000
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZX5T1951 1.6 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 6 A 50NA PNP 260mv @ 500 Ma, 5a 100 @ 2a, 2v 120MHz
DMN2300U-7 Diodes Incorporated DMN2300U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.24a (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 430MW (TA)
DMP3010LK3-13 Diodes Incorporated DMP3010LK3-13 0.8300
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 59.2 NC @ 4.5 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
DMJ70H1D4SJ3 Diodes Incorporated DMJ70H1D4SJ3 -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (TUPO TH) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMJ70H1D4SJ3 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6.1a (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 30V 273 pf @ 100 V - 78W (TC)
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMTH10H1M7STLW-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLW-13 2.7342
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI1012-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H1M7STLW-13TR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 250a (TC) 10V 2mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 147 NC @ 10 V ± 20V 9871 pf @ 50 V - 6W (TA), 250W (TC)
ZVNL110GTA Diodes Incorporated Zvnl110gta 0.9400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVNL110 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 600 mA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMP2110UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-13 0.0912
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) 820MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP2110UFDB-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 3.2a (TA) 75mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.7nc @ 8V 443pf @ 10V -
2N7002EQ-13-F Diodes Incorporated 2N7002EQ-13-F 0.0447
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-2N7002EQ-13-FTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 292MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.5 NC @ 10 V ± 20V 35 pf @ 30 V - 500MW (TA)
DMTH6010LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPS-13 0.4925
RFQ
 ECAD 1965 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH32M5LPSQ-13 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH32 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 30a, 10V 3V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 16V 3944 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 100W (TC)
DMN601WK-7 Diodes Incorporated DMN601WK-7 0.3500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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