SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMTH6010LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6010LK3Q-13 0.5145
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 14.8a (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 31W (TA)
ZXMN6A25G Diodes Incorporated Zxmn6a25g -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 4.8a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10v 1V @ 250 µA (min) 20.4 NC @ 10 V ± 20V 1063 pf @ 30 V - 2W (TA)
ZXMP6A17GTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17GTA-52 0.3130
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar 31-ZXMP6A17GTA-52 EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.2a, 10v 1V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 2W (TA)
ADC114EUQ-13 Diodes Incorporated ADC114EUQ-13 0.0481
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 ADC114 270MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
BSS138-7 Diodes Incorporated BSS138-7 -
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 300MW (TA)
DDTC113TKA-7-F Diodes Incorporated Ddtc113tka-7-f -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC113 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 1 kohms
DMN2400UFDQ-7 Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-7 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1212-3 (TUPO C) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 900 mA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200 MMA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 37 pf @ 16 V - 400MW (TA)
DMT12H7M9SPSW-13 Diodes Incorporated DMT12H7M9SPSW-13 0.5845
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo DMT12 - Alcanzar sin afectado 31-DMT12H7M9SPSW-13TR 2.500
DST847BDJ-7 Diodes Incorporated DST847BDJ-7 0.0589
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-963 DST847 300MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 170MHz
ADTA143XUAQ-7 Diodes Incorporated ADTA143XUAQ-7 0.0432
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTA143 330 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
DMN2991UT-7 Diodes Incorporated DMN2991UT-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN2991 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 300 mA (TA) 1.5V, 4.5V 3ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 10V 21.5 pf @ 15 V - 280MW (TA)
FZT1048ATA-79 Diodes Incorporated FZT1048ATA-79 -
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-FZT1048ATA-79TR Obsoleto 3.000
DMN3025LFV-7 Diodes Incorporated DMN3025LFV-7 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMP2045UFY4-7 Diodes Incorporated DMP2045UFY4-7 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xdfn DMP2045 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN2015-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.7a (TA) 1.5V, 4.5V 45mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.8 NC @ 4.5 V ± 8V 634 pf @ 10 V - 670MW (TA)
ZXMN6A25N8TA Diodes Incorporated Zxmn6a25n8ta 0.6184
RFQ
 ECAD 3669 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zxmn6a25n8tadi EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 4.3a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10v 3V @ 250 µA 20.4 NC @ 10 V ± 20V 1063 pf @ 30 V - 1.56W (TA)
DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated DMP65H9D0HSS-13 0.5720
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP65H9D0HSS-13TR EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 600 V 300 mA (TA) 10V 9ohm @ 300mA, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 740 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated Zxmn6a07fta 0.4600
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 1.2a (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 3.2 NC @ 10 V ± 20V 166 pf @ 40 V - 625MW (TA)
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated DMTH10H010LCT 1.5500
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH10H010LCTDI-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 108a (TC) 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 3.5V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 20V 2592 pf @ 50 V - 2.4W (TA), 166W (TC)
BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated BC847BFAQ-7B 0.0630
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn BC847 435 MW X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
ZTD09N50DE6QTA-52 Diodes Incorporated ZTD09N50DE6QTA-52 0.2337
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZTD09N50 700MW Sot-26 descascar 31-ZTD09N50DE6QTA-52 EAR99 8541.29.0075 3.000 50V 1A 10NA 2 NPN (dual) 270mv @ 50 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 215MHz
DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated DMT6018LDR-13 0.3167
RFQ
 ECAD 4135 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6018 Mosfet (Óxido de metal) 1.9w V-DFN3030-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 8.8a (TA) 17mohm @ 8.2a, 10v 3V @ 250 µA 13.9nc @ 10V 869pf @ 30V -
DCP68-25-13 Diodes Incorporated DCP68-25-13 -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DCP68 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 330MHz
DMTH47M2SK3-13 Diodes Incorporated DMTH47M2SK3-13 0.2416
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH47 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - 31-DMTH47M2SK3-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 62a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 50W (TC)
DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated DMN4468LSS-13 0.4400
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4468 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.6a, 10v 1.95V @ 250 µA 18.85 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 10 V - 1.52W (TA)
DMT32M5LPSW-13 Diodes Incorporated DMT32M5LPSW-13 0.4626
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMT32 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT32M5LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 20V 4389 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 100W (TC)
DDTA114YE-7-F Diodes Incorporated Ddta114ye-7-f 0.0605
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddta114 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 68 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
DMN2300UFL4Q-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4Q-7 0.1383
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) 530MW (TA) X2-DFN1310-6 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2300UFL4Q-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 2.11a (TA) 195mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 3.2NC @ 4.5V 135.2pf @ 0V -
ZXTNS618MCTA Diodes Incorporated Zxtns618mcta -
RFQ
 ECAD 6526 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Zxtns618 3 W DFN3020B-8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 4.5 A 25NA Npn + diodo (aislado) 270mv @ 125ma, 4.5a 200 @ 2a, 2v 140MHz
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7B -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2400UFB4-7BDI EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 600 mA, 4.5V 900MV @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 36 pf @ 16 V - 470MW (TA)
DDA143TUQ-7-F Diodes Incorporated DDA143TUQ-7-F 0.0746
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DDA (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DDA143 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDA143TUQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 2.5MA 160 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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