SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated DSS4160FDB-7 0.6000
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DSS4160 405MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 240mv @ 50 mm, 1a 150 @ 500mA, 2V 175MHz
DMP4011SPSQ-13 Diodes Incorporated DMP4011SPSQ-13 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 11.7a (TA), 76a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.3W (TA)
BC847AQ-7-F Diodes Incorporated BC847AQ-7-F 0.0319
RFQ
ECAD 2933 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BC847AQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
DMT3003LFG-13 Diodes Incorporated DMT3003LFG-13 0.3045
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3003 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2370 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 62W (TC)
ADTC144EUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC144EUAQ-7 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTC144 330 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA - NPN - Pre -Sesgado - - 250 MHz 47 kohms 47 kohms
DMP2305U-7 Diodes Incorporated DMP2305U-7 0.4100
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2305 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5V 900MV @ 250 µA 7.6 NC @ 4.5 V ± 8V 727 pf @ 20 V - 1.4W (TA)
ZXMN2B03E6TA Diodes Incorporated Zxmn2b03e6ta 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxmn2 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 4.3a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 4.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 14.5 NC @ 4.5 V ± 8V 1160 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated DMN24H11DS-7 0.4300
RFQ
ECAD 8424 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN24 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 240 V 270MA (TA) 4.5V, 10V 11ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250 µA 3.7 NC @ 10 V ± 20V 76.8 pf @ 25 V - 750MW (TA)
DMN29M9UFDF-7 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF-7 0.1598
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN29 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN29M9UFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 11a (TA) 1.8V, 4.5V 13.5mohm @ 5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 14.6 NC @ 10 V ± 12V 655 pf @ 8 V - 1.2W (TA)
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7 0.3500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 180 Ma 6ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250 µA 0.87nc @ 10V 22pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZVN4206NTC Diodes Incorporated ZVN4206NTC -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SOT-223-8 ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) - Sm8 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V - - - - - -
DMTH4004SK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4004SK3Q-13 0.7521
RFQ
ECAD 1881 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.2mohm @ 90a, 10V 4V @ 250 µA 68.6 NC @ 10 V ± 20V 4305 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 180W (TC)
DMP4015SK3-13 Diodes Incorporated DMP4015SK3-13 0.8700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4015 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 47.5 NC @ 5 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 3.5W (TA)
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSL-13 0.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4800 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 8a, 10v 1.6V @ 250 µA 8.7 NC @ 5 V ± 20V 798 pf @ 10 V - 1.46W (TA)
DMC2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMC2710UVQ-7 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMC2710 Mosfet (Óxido de metal) 460MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 1.1a (TA), 800 mA (TA) 400mohm @ 600mA, 4.5V, 700mohm @ 430 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V, 0.7nc @ 4.5V 42pf @ 16V, 49pf @ 16V Estándar
DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2065UFDB-7 0.4900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2065 Mosfet (Óxido de metal) 1.54W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 4.5a (TA) 50mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 9.1NC @ 4.5V 752pf @ 15V -
DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B 0.4200
RFQ
ECAD 470 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.5V, 4.5V 175mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 500MW (TA)
ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated Zxmp7a17gqta 0.8700
RFQ
ECAD 509 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP7A17 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 70 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10v 1V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 635 pf @ 40 V - 2W (TA)
ZX5T2E6TA Diodes Incorporated Zx5t2e6ta 0.2509
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZX5T2E6 1.1 W Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 3.5 A 100na PNP 130 MV @ 350MA, 3.5A 300 @ 1a, 2v 110MHz
ZVN4206ASTOA Diodes Incorporated Zvn4206astoa -
RFQ
ECAD 3152 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 600 mA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3A17DN8TA 0.7541
RFQ
ECAD 6435 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMP3A17 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 30V 4.4a (TA) 70mohm @ 3.2a, 10v 1V @ 250 µA 8.28nc @ 5V 630pf @ 15V -
FMMTL717QTA Diodes Incorporated Fmmtl717qta 0.1724
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-FMMTL717QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 1.25 A 10NA PNP 290mv @ 50 mm, 1.25a 300 @ 100 mapa, 2v 205MHz
FZT951T3DW Diodes Incorporated FZT951T3DW -
RFQ
ECAD 3305 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.6 W SOT-223 - 31-FZT951T3DW EAR99 8541.29.0095 1 60 V 5 A 50NA PNP 460mv @ 500 mA, 5A 100 @ 2a, 1v 120MHz
DSS5220T-13 Diodes Incorporated DSS5220T-13 0.0775
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DSS5220 1.2 W Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 20 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 100 mm, 2a 225 @ 500mA, 2V 100MHz
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) 1.8W (TA), 40W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN10H220LDV-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 100V 10.5a (TC) 222mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA 6.7nc @ 10V 366pf @ 50V -
DMT43M8LFV-7 Diodes Incorporated DMT43M8LFV-7 0.3557
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT43 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 87a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 44.4 NC @ 10 V ± 20V 3213 pf @ 20 V - 2.25W (TA)
DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated Dmn3016lfde-7 0.4300
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN3016 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 2V @ 250 µA 25.1 NC @ 10 V ± 20V 1415 pf @ 15 V - 730MW (TA)
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4-7 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) 1.39W X2-DFN1310-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 2.11a (TA) 195mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 3.2NC @ 4.5V 128.6pf @ 25V -
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated DMG7408SFG-7 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMG7408 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 7a (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 478.9 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMP32D5SFB-7B Diodes Incorporated Dmp32d5sfb-7b 0.4300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 400 mA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 200 MMA, 10V 2.3V @ 250 µA 4 NC @ 10 V ± 25V 100 pf @ 15 V - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock