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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXTN2040FTA Diodes Incorporated Zxtn2040fta 0.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn2040 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 500 mA, 5V 150MHz
DMN3055LFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDBQ-13 0.1137
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3055 - 810MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3055LFDBQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 5A (TA) 40mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 11.2NC @ 10V 458pf @ 15V -
DDTA144GKA-7-F Diodes Incorporated Ddta144gka-7-f -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta144 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms
DMP4025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4025LSDQ-13 0.5776
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W (TA) 8-SO - Alcanzar sin afectado 31-DMP4025LSDQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 5.8a (TA) 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7nc @ 10V 1640pf @ 20V -
DMN1019USN-13 Diodes Incorporated DMN1019USN-13 0.4500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN1019 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 12 V 9.3a (TA) 1.2V, 2.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5V 800mv @ 250 µA 50.6 NC @ 8 V ± 8V 2426 pf @ 10 V - 680MW (TA)
DMG6602SVTX-7 Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7 0.1040
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMG6602 Mosfet (Óxido de metal) 840MW (TA) TSOT-26 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 3.4a (TA), 2.8a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 2.3V @ 250 µA 13NC @ 10V, 9NC @ 10V 400pf @ 15V, 420pf @ 15V -
DMP31D7LVQ-7 Diodes Incorporated Dmp31d7lvq-7 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP31 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 620 Ma (TA) 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA 0.8nc @ 10V 19pf @ 15V Estándar
DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG-7 0.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN2005 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 18.1a (TC) 2.5V, 4.5V 4.6mohm @ 13.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 164 NC @ 10 V ± 12V 6495 pf @ 10 V - 1.05W (TA)
BSS127S-7 Diodes Incorporated BSS127S-7 0.4300
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS127 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 50 mA (TA) 5V, 10V 160ohm @ 16MA, 10V 4.5V @ 250 µA 1.08 NC @ 10 V ± 20V 21.8 pf @ 25 V - 610MW (TA)
2N7002T-7-F Diodes Incorporated 2N7002T-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
ZXMP6A16DN8TA Diodes Incorporated Zxmp6a16dn8ta 0.6584
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMP6A16 Mosfet (Óxido de metal) 2.15W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 60V 3.9a (TA) 85mohm @ 2.9a, 10v 1V @ 250 µA 12.1NC @ 5V 1021pf @ 30V -
ZXTP2041FTA Diodes Incorporated Zxtp2041fta 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtp2041 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3 -
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 12.8 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 50 V - 104W (TC)
DMTH10H009LFG-7 Diodes Incorporated DMTH10H009LFG-7 0.5495
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H009LFG-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 14A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2361 pf @ 50 V - 2.5W (TA)
DP0150BLP4-7B Diodes Incorporated DP0150BLP4-7B 0.1543
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DMN6075SQ-13 0.1038
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6075 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN6075SQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 2a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.2a, 10v 3V @ 250 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 606 pf @ 20 V - 800MW (TA)
ZXTP07060BGQTC Diodes Incorporated Zxtp07060bgqtc 0.1109
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo - 31-ZXTP07060BGQTC 4.000
DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMP3021SFVWQ-7 0.2639
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3021 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 30 V 11a (TA), 42a (TC) 5V, 10V 15mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1799 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMT3009LEV-13 Diodes Incorporated DMT3009LEV-13 0.1846
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - DMT3009 - - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT3009LEV-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
MMBT3904Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3904Q-7-F-52 0.0253
RFQ
 ECAD 4974 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 31-MMBT3904Q-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
DMT15H067SSS-13 Diodes Incorporated DMT15H067SSS-13 0.3545
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT15 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT15H067SSS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 4.5a (TA), 13a (TC) 10V 67mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250 µA 6.4 NC @ 10 V ± 20V 425 pf @ 75 V - 1.3W (TA)
DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated DMP4015SSS-13 0.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4015 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 9.1a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 47.5 NC @ 5 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 1.45W (TA)
ZVP3310A Diodes Incorporated ZVP3310A 0.6900
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP3310 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZVP3310A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 100 V 140MA (TA) 10V 20ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMT6016LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6016LFDF-13 0.1843
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT6016 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6016LFDF-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 8.9a (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 864 pf @ 30 V - 820MW (TA)
DMP2004UFG-7 Diodes Incorporated DMP2004UFG-7 0.3474
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP2004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 - 31-DMP2004UFG-7 2,000 Canal P 20 V 115A (TC) 2.5V, 10V 3mohm @ 15a, 10v 1.1V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 12V 3840 pf @ 10 V - 1W (TA), 52W (TC)
BC847BSQ-7-F Diodes Incorporated BC847BSQ-7-F 0.0623
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC847 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BC847BSQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 20NA (ICBO) 2 NPN (dual) 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated Dmp32d4sfb-7b 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 400 mA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 200 MMA, 10V 2.3V @ 250 µA 1.3 NC @ 10 V ± 20V 51 pf @ 15 V - 500MW (TA)
DMN31D5UFZQ-7B Diodes Incorporated DMN31D5UFZQ-7B 0.0500
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN31 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0606-3 descascar 31-DMN31D5UFZQ-7B EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 410MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.38 NC @ 4.5 V ± 12V 22.6 pf @ 15 V - 400MW (TA)
DMN2055UQ-7 Diodes Incorporated DMN2055UQ-7 0.0800
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 31-DMN2055UQ-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 4.8a (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.3 NC @ 4.5 V ± 8V 400 pf @ 10 V - 800MW (TA)
BSS127SSN-7 Diodes Incorporated BSS127SSN-7 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS127 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 50 mA (TA) 5V, 10V 160ohm @ 16MA, 10V 4.5V @ 250 µA 1.08 NC @ 10 V ± 20V 21.8 pf @ 25 V - 610MW (TA)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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AD9208BBPZ-3000

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