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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dtd143echzgt116 | 0.2500 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 47 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||
 | R6014ynxc7g | 3.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6014YNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 100 V | - | 54W (TC) | ||||||||||||
 | Ral045p01tcr | 0.2801 | | 5146 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | Ral045 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 40 NC @ 4.5 V | -8v | 4200 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | Dta015eubtl | 0.0536 | | 3872 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta015e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTA015 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||
 | 2SC5916TLQ | - | | 3531 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SC5916 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 2v | 250MHz | |||||||||||||||||
 | BSS5130AHZGT116 | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS5130 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25 mm, 500 mA | 270 @ 100mA, 2V | 320MHz | |||||||||||||||||
 | 2SD2098T100S | 0.2646 | | 8664 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2098 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 V | 5 A | 500NA (ICBO) | NPN | 1v @ 100 mapa, 4a | 270 @ 500mA, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||
 | Sh8jb5tb1 | 2.3400 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8jb5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-sh8jb5tb1tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 8.5A (TA) | 15.3mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 51NC @ 10V | 2870pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | EM6K7T2CR | 0.4200 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EM6K7 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 200MA (TA) | 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | - | |||||||||||||||
 | QH8KC5TCR | 0.8100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8KC5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3a (TA) | 90mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.1NC @ 10V | 135pf @ 30V | - | |||||||||||||||
| Dta143zkat146 | 0.2700 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
 | QS5U21TR | 0.2832 | | 8811 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5U21 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.5a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 4.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 325 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||
 | Dta144wetl | 0.1011 | | 5416 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA144 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||
 | RQ3E120GNTB | 0.5200 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 16W (TC) | |||||||||||||
 | R6035KNZC8 | - | | 3968 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6035 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | |||||||||||||
 | BSM300C12P3E301 | 1.0000 | | 6090 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Módulo | BSM300 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM300C12P3E301 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | N-canal | 1200 V | 300A (TC) | - | - | 5.6V @ 80mA | +22V, -4V | 1500 pf @ 10 V | Estándar | 1360W (TC) | ||||||||||||||
| QS5U16TR | 0.2360 | | 1975 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5U16 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 3.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 175 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 900MW (TA) | |||||||||||||
 | FMG9AT248 | - | | 6436 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fmg9 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
| Rq1e100xntr | 0.4572 | | 2461 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ1E100 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 10.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 12.7 NC @ 5 V | ± 20V | 1000 pf @ 10 V | - | 550MW (TA) | |||||||||||||
| Dta023eubtl | 0.0536 | | 3489 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta023e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTA023 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100mA | PNP - Precializado + Diodo | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 20 @ 20MA, 10V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||
 | Dtc114guat106 | 0.2600 | | 198 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||
| FMY5T148 | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | FMY5 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120V | 50mera | 500NA (ICBO) | NPN, PNP (emisor acoplado) | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 100mA, 2V | 140MHz | |||||||||||||||||
 | 2SA1952TLQ | - | | 4527 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SA1952 | 1 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mV @ 200MA, 4A | 120 @ 1a, 2v | 80MHz | |||||||||||||||||
| Sp8j1tb | - | | 4227 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8J1 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5A | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 16NC @ 5V | 1400pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
 | Dtd543xmt2l | 0.1035 | | 3661 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
 | 2SA1776TV2Q | - | | 7190 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 2SA1776 | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 50mA, 5V | 12MHz | |||||||||||||||||
| QSZ3TR | - | | 6854 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QSZ3 | 500MW | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 3A | 100NA (ICBO) | NPN, PNP (emisor acoplado) | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 270 @ 500mA, 2V | 280MHz | |||||||||||||||||
 | RVQ040N05TR | 0.7800 | | 7296 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RVQ040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.8 NC @ 5 V | 21 V | 530 pf @ 10 V | - | 600MW (TA) | |||||||||||||
| 2SB1181TLR | 0.9000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SB1181 | 10 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||
| 2SD1858TV2R | - | | 2624 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 1 A | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 150MHz |
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