SIC
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Transistores (3592)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6530 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 846-R6530ENZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10v 4V @ 960 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 25 V - 86W (TC)
R6035ENZC17 Rohm Semiconductor R6035ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6035 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6035ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 4V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 2720 pf @ 25 V - 120W (TC)
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLHRC11 56.3400
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT3040 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 55A (TA) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6V @ 10 Ma 107 NC @ 18 V +22V, -4V 1337 pf @ 800 V - 262W
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC11 4.3500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGTH80 Estándar 234 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 70 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
RSD200N05TL Rohm Semiconductor Rsd200n05tl 0.4542
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RSD200 Mosfet (Óxido de metal) CPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 45 V 20A (TA) 4V, 10V 28mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 12 NC @ 5 V ± 20V 950 pf @ 10 V - 20W (TC)
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65DGC11 5.9600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGTH40 Estándar 56 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 23 a 80 A 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/73ns
RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50TM65DGC9 3.5200
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RGT50 Estándar 47 W Un 220nfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 21 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
RGT8TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8TM65DGC9 2.1000
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RGT8TM65 Estándar 16 W Un 220nfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4a, 50ohm, 15V 40 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 5 A 12 A 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor Rgt16bm65dtl 2.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RGT16 Estándar 94 W Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 8a, 10ohm, 15V 42 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 16 A 24 A 2.1V @ 15V, 8a - 21 NC 13ns/33ns
RSD131P10TL Rohm Semiconductor Rsd131p10tl 0.6497
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RSD131 Mosfet (Óxido de metal) CPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 13a (TC) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 850MW (TA), 20W (TC)
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3L140 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 14a (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10v 3V @ 1MA 27 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 10 V - 20W (TC)
RSD100N10TL Rohm Semiconductor Rsd100n10tl 0.6086
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RSD100 Mosfet (Óxido de metal) CPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 10a (TA) 4V, 10V 133mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 18 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 20W (TC)
US6U37TR Rohm Semiconductor US6U37TR 0.2938
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables US6U37 Mosfet (Óxido de metal) Tumt6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 240mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 2.2 NC @ 4.5 V ± 12V 80 pf @ 10 V - 700MW (TA)
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor EMH10FHAT2R 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 EMH10 150MW EMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
SP8J66FRATB Rohm Semiconductor Sp8j66fratb 1.2240
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8J66 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 9a (TA) 18.5mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 1MA -
RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DHRC11 6.7700
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW60 Estándar 178 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW60TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 15a, 10ohm, 15V 87 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 64 A 120 A 1.9V @ 15V, 30a 84 NC 36ns/107ns
RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65EHRC11 8.0200
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW80 Estándar 214 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW80TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20a, 10ohm, 15V 86 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 43ns/148ns
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPR10BM40FHTL 0.9330
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 75 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RGPR10 Estándar 107 W Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 300V, 8A, 100OHM, 5V - 460 V 20 A 2.0V @ 5V, 10a - 14 NC 500NS/4 µs
TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13TCR 0.2165
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TT8J13 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSST descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 12V 2.5a 62mohm @ 2.5a, 4.5V 1V @ 1MA 16NC @ 4.5V 2000pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor Dtc115ecat116 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
DTA144EUBTL Rohm Semiconductor Dta144eubtl 0.0355
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Semiconductor rohm Dta144e Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-85 DTA144 200 MW UMT3F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
RTR030N05TL Rohm Semiconductor Rtr030n05tl 0.6000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RTR030 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 45 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 1MA 6.2 NC @ 4.5 V ± 12V 510 pf @ 10 V - 1W (TA)
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor Sh8k32tb1 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8k32 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP (5.0x6.0) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 4.5a 65mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1MA 10NC @ 5V 500pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor Sp8k41hzgtb 2.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8K41 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SP8K41HZGTBTR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 80V 3.4a (TA) 130mohm @ 3.4a, 10v 2.5V @ 1MA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V -
ZDX130N50 Rohm Semiconductor ZDX130N50 1.6372
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ZDX130 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZDX130N50CT-ND EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 520mohm @ 6.5a, 10V 4.5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2180 pf @ 25 V - 40W (TC)
RTR020N05TL Rohm Semiconductor RTR020N05TL 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RTR020 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 45 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.5V 1.5V @ 1MA 4.1 NC @ 4.5 V ± 12V 200 pf @ 10 V - 1W (TA)
SCT4045DW7TL Rohm Semiconductor Sct4045dw7tl 12.2500
RFQ
 ECAD 996 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 263-7L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 750 V 31a (TJ) 18V 59mohm @ 17a, 18V 4.8v @ 8.89 mA 63 NC @ 18 V +21V, -4V 1460 pf @ 500 V - 93W
RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor RE1C002UNTCL 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 RE1C002 Mosfet (Óxido de metal) EMT3F (SOT-416FL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 200MA (TA) 1.2V, 2.5V 1.2ohm @ 100 mm, 2.5V 1V @ 1MA ± 8V 25 pf @ 10 V - 150MW (TA)
R6530KNZC8 Rohm Semiconductor R6530KNZC8 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6530 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 846-R6530KNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 960 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 25 V - 86W (TC)
SP8J62TB1 Rohm Semiconductor Sp8j62tb1 -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto SP8J62 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 846-SP8J62TB1TR Obsoleto 2.500 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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