- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RSS110N03TB | - |  | 2843 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS110 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4V, 10V | 10.7mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 1MA | 17 NC @ 5 V | 20V | 1300 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Imx1t108 | 0.1469 | | 7697 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMX1 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Rsr015p06hzgtl | 0.6500 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR015 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.5a (TA) | 4V, 10V | 280mohm @ 1.5a, 10V | 3V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | VT6T12T2R | 0.4200 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | VT6T12 | 150MW | VMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Rq5e025tntl | 0.5200 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 92mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 4.6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 220 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Dtb123tct116 | 0.0658 | | 6757 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 100 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| Vt6x11t2r | 0.1117 | | 4234 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | VT6X11 | 150MW | VMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200 MMA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Rsr015p03tl | 0.6400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | SC-96 | RSR015 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.5a (TA) | 4V, 10V | 235mohm @ 1.5a, 10V | - | 2.6 NC @ 5 V | ± 20V | 190 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Dta114eubhzgtl | 0.2200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | Dta114 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| Ru1C002UNTCL | 0.3700 | | 29 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-85 | RU1C002 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.2V, 2.5V | 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | RZM002P02T2L | 0.3600 | | 165 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | RZM002 | Mosfet (Óxido de metal) | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 20 V | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1.4 NC @ 4.5 V | ± 10V | 115 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | MP6M12TCR | - | | 2679 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6M12 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Vecino del canal | 30V | 5A | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4NC @ 5V | 250pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
 | R6007RND3TL1 | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6007 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 15V | 940mohm @ 3.5a, 15V | 7V @ 1 MMA | 17.5 NC @ 15 V | ± 30V | 460 pf @ 100 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | 0.1277 | | 1308 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMB2 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | R6020KNZ1C9 | - | | 9663 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Sh8m13gzetb | 0.4645 | | 8959 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m13 | - | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 7a | 29mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 18NC @ 5V | 1200pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| EMF7T2R | - | | 5744 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMF7 | 150MW | EMT6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-EMF7T2RTR | 8,000 | 50V, 12V | 100 Ma, 500 Ma | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN Pre-Sesgado, 1 NPN | 300mv @ 500 µA, 10 mm / 250mv @ 10 mA, 200 mA | 20 @ 20MA, 5V / 270 @ 10MA, 2V | 250MHz, 320MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rq3g110attb | 1.6100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3G110 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 11a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.4mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 20 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Rcd075n19tl | 1.0900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RCD075 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 190 V | 7.5a (TC) | 4V, 10V | 336mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Dtc124xe3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc124x | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| RX3G07BBGC16 | 3.7100 | | 1334 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Rx3g07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 846-RX3G07BBGC16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 130A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||
| 2SK3050TL | - | | 5671 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK3050 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 2a (TA) | 10V | 5.5ohm @ 1a, 10v | 4V @ 1MA | 25.6 NC @ 10 V | ± 30V | 280 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Dtc114te3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc143t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtc114 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Sp8k2tb | 1.0000 | | 35 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
| Rtr040n03hzgtl | 0.6800 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RTR040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 48mohm @ 4a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 8.3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 475 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Rsf010p03tl | 0.6800 | | 190 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RSF010 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1a (TA) | 4V, 10V | 350mohm @ 1a, 10v | - | 1.9 NC @ 5 V | ± 20V | 120 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Rq7g080attcr | 1.2100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ7G080 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 18.2mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | RGTH80TS65GC11 | 4.3500 | | 153 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGTH80 | Estándar | 234 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 70 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||||||||||||||||
| QS8M11TCR | 0.9000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8M11 | - | - | TSMT8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 3.5a | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| Dtc115ee3hzgtl | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)