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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6524ENZC8 | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6524 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6524ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 750 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3u060cntl1 | 1.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3U060 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 6a (TC) | 10V | 530mohm @ 3a, 10v | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 840 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtb743xmt2l | 0.1134 | ![]() | 4339 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | DTB743 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 MA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Um6k33ntn | 0.3800 | ![]() | 887 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K33 | Mosfet (Óxido de metal) | 120MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 200 MMA | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPQ | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20 mm, 500 mA | 120 @ 500 Ma, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124eBtl | 0.2600 | ![]() | 781 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500NA, 10 Ma | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123eu3hzgt106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA123 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2160KEHRC11 | 21.9300 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT2160 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT2160KEHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 22a (TC) | 18V | 208mohm @ 7a, 18V | 4V @ 2.5MA | 62 NC @ 18 V | +22V, -6V | 1200 pf @ 800 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Rq5h030tntl | 0.6700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5H030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 6.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 510 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
SP8K31TB1 | - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K31 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.5a | 120mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2NC @ 5V | 250pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
Rss090p03fu7tb | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 14mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSD050N10TL | 0.4733 | ![]() | 7552 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD050 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc143te3hzgtl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-dtc143te3hzgtltr | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
Sh8ka2gzetb | 1.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8ka2 | - | 2.8w | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 28mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8NC @ 10V | 330pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rsr020p05hzgtl | 0.6500 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 45 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 2a, 10v | 3V @ 1MA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 500 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KRC15 | 42.7500 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | SCT4018 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247-4l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT4018KRC15 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 1200 V | 81a (TC) | 18V | 23.4mohm @ 42a, 18V | 4.8V @ 22.2MA | 170 NC @ 18 V | +21V, -4V | 4532 pf @ 800 V | - | 312W | |||||||||||||||||||||
![]() | RGWSX2TS65DGC13 | 6.9700 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWSX2 | Estándar | 288 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWSX2TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60a, 10ohm, 15V | 88 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 104 A | 180 A | 2V @ 15V, 60A | 1.43mj (Encendido), 1.2mj (apaguado) | 140 NC | 55ns/180ns | |||||||||||||||||||||
![]() | BC857BU3T106 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 210 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PFRAT100 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR544 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 2.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65DGC11 | 5.9200 | ![]() | 8274 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW60 | Estándar | 178 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 92 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 60 A | 120 A | 1.9V @ 15V, 30a | 480 µJ (Encendido), 490 µJ (apagado) | 84 NC | 37ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | Obsoleto | 2.500 | 6.5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6015FNX | 4.2704 | ![]() | 2546 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6015 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6015FNX | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 15a (TA) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 1MA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1660 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Dtc123ee3hzgtl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-DTC123EE3HZGTLCT | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM120D12P2C005 | 441.3200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Módulo | BSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 780W | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q7641253 | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 120a (TC) | - | 2.7V @ 22 mm | - | 14000PF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515KNXC7G | 3.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6515 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6515KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 15a (TA) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10v | 5V @ 430 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Dta114yu3t106 | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR30BM40HRTL | 0.8260 | ![]() | 2776 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RGPR30 | Estándar | 125 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 8A, 100OHM, 5V | - | 430 V | 30 A | 2.0V @ 5V, 10a | - | 22 NC | 500NS/4 µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5A020ZPTL | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5A020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 10V | 770 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6A050ZPTR | 0.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6A050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 35 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2850 pf @ 6 V | - | 950MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rq6e040xntcr | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.3 NC @ 5 V | ± 20V | 180 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) |
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