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Transistores (3592)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 EM6K7 Mosfet (Óxido de metal) 150MW EMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 200 MMA 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V 1V @ 1MA - 25pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2SC4081T106R Rohm Semiconductor 2SC4081T106R 0.2300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4081 200 MW UMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 180 @ 1 MMA, 6V 180MHz
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11TR 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables US6J11 Mosfet (Óxido de metal) 320MW Tumt6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 12V 1.3a 260mohm @ 1.3a, 4.5V 1V @ 1MA 2.4nc @ 4.5V 290pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico
QH8JB5TCR Rohm Semiconductor QH8JB5TCR 1.2600
RFQ
 ECAD 662 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano QH8JB5 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 40V 5A (TA) 41mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 17.2NC @ 10V 920pf @ 20V -
EMX2T2R Rohm Semiconductor EMX2T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 EMX2T2 150MW EMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz
EMG9T2R Rohm Semiconductor EMG9T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano EMG9T2 150MW EMT5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
UMZ7NTR Rohm Semiconductor Umz7ntr 0.1417
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 UMZ7 150MW UMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12V 500mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 250 mv @ 10 ma, 200 ma 270 @ 10mA, 2V 320MHz, 260MHz
DTA115EKAT146 Rohm Semiconductor Dta115ekat146 0.2700
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTA115 200 MW Smt3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 20 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
2SC4726TLP Rohm Semiconductor 2sc4726tlp 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC4726 150 MW EMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 11 V 50 Ma 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 Ma, 10 Ma 56 @ 5mA, 10V 3.2GHz
RD3L07BATTL1 Rohm Semiconductor Rd3l07battl1 2.3700
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3L07 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 70A (TA) 4.5V, 10V 12.7mohm @ 70a, 10v 2.5V @ 1MA 105 NC @ 10 V ± 20V 6700 pf @ 30 V - 101W (TA)
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520EnXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6520 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6520EnXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 20A (TA) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 68W (TC)
RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50NS65DGC9 3.9600
RFQ
 ECAD 953 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA RGT50 Estándar 194 W Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 48 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor Rd3p175snfratl 1.6100
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3P175 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 17.5a (TA) 4V, 10V 105mohm @ 8.8a, 10v 2.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 20W (TC)
RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor Rtr020n05hzgtl 0.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RTR020 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 45 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.5V 1.5V @ 1MA 4.1 NC @ 4.5 V ± 12V 200 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RD3R05BBHTL1 Rohm Semiconductor Rd3r05bbhtl1 3.1000
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3R05 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 50A (TA) 6V, 10V 29mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 75 V - 89W (TA)
RSQ015P10TR Rohm Semiconductor RSQ015P10TR 0.3776
RFQ
 ECAD 3722 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RSQ015 Mosfet (Óxido de metal) TSMT6 (SC-95) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 1.5a (TA) 4V, 10V 470mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1MA 17 NC @ 5 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 600MW (TA)
R6035ENZC17 Rohm Semiconductor R6035ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6035 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6035ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 4V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 2720 ​​pf @ 25 V - 120W (TC)
RTF025N03TL Rohm Semiconductor Rtf025n03tl 0.7100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables RTF025 Mosfet (Óxido de metal) Tumt3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 2.5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 5.2 NC @ 4.5 V ± 12V 270 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DTA115TETL Rohm Semiconductor Dta115tetl 0.0678
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTA115 150 MW EMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 100 kohms
SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor SCT4018KEC11 38.7800
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SCT4018KEC11 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 81a (TJ) 18V 23.4mohm @ 42a, 18V 4.8V @ 22.2MA 170 NC @ 18 V +21V, -4V 4532 pf @ 800 V - 312W
RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H160SPTL1 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3H160 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 45 V 16a (TA) 4V, 10V 50mohm @ 16a, 10v 3V @ 1MA 16 NC @ 5 V ± 20V 2000 pf @ 10 V - 20W (TC)
R6024ENZC17 Rohm Semiconductor R6024ENZC17 6.3700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6024 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6024ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10v 4V @ 1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 120W (TC)
RDX045N60FU6 Rohm Semiconductor RDX045N60FU6 -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RDX045 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 4.5a (TA) 10V 2.1ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 35W (TC)
RCJ081N20TL Rohm Semiconductor Rcj081n20tl 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RCJ081 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 8a (TC) 10V 770mohm @ 4a, 10v 5.25V @ 1MA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 330 pf @ 25 V - 1.56W (TA), 40W (TC)
RGT40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT40TS65DGC11 3.0000
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGT40 Estándar 144 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 60 A 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/75ns
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor Sh8kc6tb1 0.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8kc6 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 6.5a (TA) 32mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1MA 7.6nc @ 10V 460pf @ 30V -
RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65DGVC11 6.3100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 Estándar 67 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10ohm, 15V 92 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 390 µJ (Encendido), 430 µJ (apagado) 73 NC 35NS/102NS
2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR512P5T100 0.4200
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SCR512 500 MW MPT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 35mA, 700 mA 200 @ 100 mapa, 2v 320MHz
DTA115EU3HZGT106 Rohm Semiconductor Dta115eu3hzgt106 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DTA115 200 MW UMT3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
DTA144TKAT146 Rohm Semiconductor Dta144tkat146 0.0488
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW Smt3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 47 kohms
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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