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Transistores (3592)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RGS30TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 8.2600
RFQ
 ECAD 543 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Rgs30 Estándar 267 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS30TSX2DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 15a, 10ohm, 15V 157 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 30 A 45 A 2.1V @ 15V, 15a 740 µJ (Encendido), 600 µJ (apagado) 41 NC 30ns/70ns
R6535KNX3C16 Rohm Semiconductor R6535KNX3C16 6.8600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 R6535 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6535KNX3C16 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 115mohm @ 18.1a, 10v 5V @ 1.3MA 72 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 370W (TC)
RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EGC11 9.7900
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGSX5TS65 Estándar 404 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGSX5TS65EGC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 10ohm, 15V 116 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 114 A 225 A 2.15V @ 15V, 75a 3.44mj (Encendido), 1.9mj (apaguado) 79 NC 43ns/113ns
R6509END3TL1 Rohm Semiconductor R6509END3TL1 2.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6509 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 230 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 430 pf @ 25 V - 94W (TC)
UT6K3TCR1 Rohm Semiconductor UT6K3TCR1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn UT6K3 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) Huml2020l8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a (TA) 42mohm @ 5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 4NC @ 4.5V 450pf @ 15V -
RGW80TK65EGVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65EGVC11 7.3400
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGW80 Estándar 81 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW80TK65EGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 102 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 39 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) 110 NC 44ns/143ns
RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65DGC11 8.1700
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGWX5TS65 Estándar 348 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGWX5TS65DGC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 10ohm, 15V 101 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 132 A 300 A 1.9V @ 15V, 75a 2.39mj (Encendido), 1.68mj (apaguado) 213 NC 64ns/229ns
SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor Sp8m24hzgtb 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8M24 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SP8M24HZGTBCT EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 45V 4.5a (TA), 3.5a (TA) 46mohm @ 4.5a, 10v, 63mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1MA 9.6nc @ 5V, 18.2nc @ 5V 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V -
RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor RV5A040APTCR1 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerWfdfn RV5A040 Mosfet (Óxido de metal) DFN1616-8S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 4A (TA) 1.5V, 4.5V 62mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 16 NC @ 4.5 V -8v, 0V 2000 pf @ 6 V - 700MW (TA)
R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6535ENZ4C13 7.5100
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6535 Mosfet (Óxido de metal) To-247g descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6535ENZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 115mohm @ 18.1a, 10v 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 379W (TC)
RGTH40TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH40TS65DGC13 5.3500
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGTH40 Estándar 144 W To-247g descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGTH40TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 20a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/73ns
RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor Rx3g18bgnc16 6.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Rx3g18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 180A (TC) 4.5V, 10V 1.64mohm @ 90a, 10V 2.5V @ 1MA 168 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 20 V - 125W (TC)
RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65DHRC11 8.2600
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW00 Estándar 254 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW00TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10ohm, 15V 90 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 96 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 141 NC 48ns/186ns
US5U38TR Rohm Semiconductor US5U38TR 0.1644
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Semiconductor rohm * Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños US5U38 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
RTR020P02HZGTL Rohm Semiconductor Rtr020p02hzgtl 0.7800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RTR020 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5V 2v @ 1 mapa 4.9 NC @ 4.5 V ± 12V 430 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ035P02HZGTR 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RTQ035 Mosfet (Óxido de metal) TSMT6 (SC-95) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.5a, 4.5V 2v @ 1 mapa 10.5 NC @ 4.5 V ± 12V 1200 pf @ 10 V - 950MW (TA)
SP8K33TB1 Rohm Semiconductor Sp8k33tb1 -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto SP8K33 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 846-SP8K33TB1TR Obsoleto 2.500 -
R6520KNZC8 Rohm Semiconductor R6520KNZC8 -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6520 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 846-R6520KNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 630 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 68W (TC)
UMH1NFHATN Rohm Semiconductor Umh1nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 UMH1 150MW UMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor Rd3u041aafratl 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD3U041 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10v 5.5V @ 1MA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 29W (TC)
DTC113ZEFRATL Rohm Semiconductor Dtc113zefratl 0.3800
RFQ
 ECAD 293 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-dtc113zefratltr EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 5MA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor RRQ030P03HZGTR 0.6600
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RRQ030 Mosfet (Óxido de metal) TSMT6 (SC-95) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 3a (TA) 4V, 10V 125mohm @ 1.5a, 4V 2.5V @ 1MA 5.2 NC @ 5 V ± 20V 480 pf @ 10 V - 950MW (TA)
R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor R8007 y3fratl 5.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R8007 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 7a (TC) 10V 1.6ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 30V 850 pf @ 25 V - 140W (TC)
R6576ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6576ENZ4C13 19.4700
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6576 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6576ENZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 76a (TA) 10V 46mohm @ 44.4a, 10v 4V @ 2.96MA 260 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 25 V - 735W (TC)
R8002ANJGTL Rohm Semiconductor R8002Anjgtl 3.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R8002 Mosfet (Óxido de metal) A 263S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 4.3ohm @ 1a, 10v 5V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 62W (TC)
R6077VNZC17 Rohm Semiconductor R6077VNZC17 11.9600
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO R6077 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) 846-R6077VNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 29a (TC) 10V, 15V 51mohm @ 23a, 15V 6.5V @ 1.9mA 108 NC @ 10 V ± 30V 5200 pf @ 100 V - 113W (TC)
DTC113ZE3TL Rohm Semiconductor Dtc113ze3tl 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm Dtc143e Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Precializado + Diodo 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor Rd3p200sntl1 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rd3p200 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 20A (TA) 4V, 10V 46mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 25 V - 20W (TC)
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor RQ5C020TPTL 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 RQ5C020 Mosfet (Óxido de metal) TSMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5V 2v @ 1 mapa 4.9 NC @ 2.5 V ± 12V 430 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RS1E321GNTB1 Rohm Semiconductor Rs1e321gntb1 2.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Rs1e Mosfet (Óxido de metal) 8-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 32a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 32a, 10v 2.5V @ 1MA 42.8 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 15 V - 3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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