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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Dtc044tubtl | 0.0536 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | Dtc044 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 60 Ma | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
R8002KND3TL1 | 1.5600 | ![]() | 446 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R8002 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252GE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 1.6a (TA) | 10V | 4.2ohm @ 800 mA, 10V | 4.5V @ 150 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSS5130T116 | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25 mm, 500 mA | 270 @ 100mA, 2V | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65GC13 | 6.2100 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWS00 | Estándar | 245 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWS00TS65GC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 88 A | 150 A | 2V @ 15V, 50A | 980 µJ (Encendido), 910 µJ (apagado) | 108 NC | 46ns/145ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65GC13 | 5.6000 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWS80 | Estándar | 202 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWS80TS65GC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 71 A | 120 A | 2V @ 15V, 40A | 700 µJ (Encendido), 660 µJ (apagado) | 83 NC | 40ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65DGC13 | 6.4000 | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWS00 | Estándar | 245 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWS00TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 88 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 88 A | 150 A | 2V @ 15V, 50A | 980 µJ (Encendido), 910 µJ (apagado) | 108 NC | 46ns/145ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGCL60TS60DGC13 | 6.2500 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGCL60 | Estándar | 111 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGCL60TS60DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 48 A | 120 A | 1.8v @ 15V, 30a | 770 µJ (Encendido), 1.11mj (apaguado) | 68 NC | 44ns/186ns | |||||||||||||||||||||
Sh8ma4tb1 | 1.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8ma4 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 9a (TA), 8.5a (TA) | 21.4mohm @ 9a, 10v, 29.6mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 15.5nc @ 10V, 19.6nc @ 10V | 640pf @ 15V, 890pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT00TS65DGC11 | 5.8000 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgt00 | Estándar | 277 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 54 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 85 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | - | 94 NC | 42ns/137ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMF23T2R | - | ![]() | 2603 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMF23 | 150MW | EMT6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-EMF23T2RTR | 8,000 | 50V | 100 Ma, 150 Ma | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN - Precializado, 1 PNP | 300mV @ 500 µA, 10 mm / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 30 @ 5MA, 5V / 180 @ 1MA, 6V | 250MHz, 140MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5207 YTTL | 1.0419 | ![]() | 5617 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R5207 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 525 V | 7a (TA) | 10V | 1ohm @ 3.5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR293PHZGT100 | 0.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-2SCR293PHZGT100DKR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 25 mm, 500 mA | 270 @ 100mA, 2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc123JE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143ecat116 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta043zubtl | 0.3000 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTA043 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT40TS65DGC11 | 3.0000 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGT40 | Estándar | 144 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 40 A | 60 A | 2.1V @ 15V, 20a | - | 40 NC | 22ns/75ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtb523yetl | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTB523 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rq3e120bntb | 0.6300 | ![]() | 2281 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 1MA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtb123ekfrat146 | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 39 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sar586d3fratl | 1.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2Sar586 | 10 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | 320mv @ 100 mm, 2a | 120 @ 500 Ma, 3V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3H160SPTL1 | 1.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3H160 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 45 V | 16a (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 16a, 10v | 3V @ 1MA | 16 NC @ 5 V | ± 20V | 2000 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rgt8bm65dtl | 2.3300 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RGT8BM65 | Estándar | 62 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 4a, 50ohm, 15V | 40 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 8 A | 12 A | 2.1V @ 15V, 4A | - | 13.5 NC | 17ns/69ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6511Enjtl | 4.0600 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6511 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 320 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 124W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd523ye3tl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtd523 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | 846-dtd523ye3tltr | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1l145gntb | 2.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1l | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 14.5a (TA), 47A (TC) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 14.5a, 10v | 2.7V @ 200 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1880 pf @ 30 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rgpz10bm40fhtl | 1.0665 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RGPZ10 | Estándar | 107 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 8A, 100OHM, 5V | - | 460 V | 20 A | 2.0V @ 5V, 10a | - | 14 NC | 500NS/4 µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TS65DGC11 | 5.4500 | ![]() | 445 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 136 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 40 A | 80 A | 1.9V @ 15V, 20a | 330 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) | 59 NC | 33ns/76ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd513zmt2l | 0.0955 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd513 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RW1A020ZPT2R | - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RW1A020 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 12 V | 2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 10V | 770 pf @ 6 V | - | 400MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3160KW7HRTL | 10.7900 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3160 | SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) | Un 263-7L | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 17a (TC) | 18V | 208mohm @ 5a, 18V | 5.6V @ 2.5MA | 42 NC @ 18 V | +22V, -4V | 398 pf @ 800 V | - | - |
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