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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Dtc143xu3hzgt106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
R6020JNZC17 | 6.7800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Bolsa | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6020JNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 15V | 234mohm @ 10a, 15V | 7V @ 3.5MA | 45 NC @ 15 V | ± 30V | 1500 pf @ 100 V | - | 76W (TC) | |||||||||||||
R6515ENZC8 | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6515 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6515ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 430 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 910 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||
![]() | RCX450N20 | 3.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX450 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 45a (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10v | 5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 4200 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||
Rss090p03fu6tb | - | ![]() | 9168 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 14mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | SCT3030ARC14 | 51.1200 | ![]() | 201 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | SCT3030 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247-4l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 70A (TC) | 18V | 39mohm @ 27a, 18V | 5.6V @ 13.3MA | 104 NC @ 18 V | +22V, -4V | 1526 pf @ 500 V | - | 262W | |||||||||||||
![]() | 2SCR514PHZGT100 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 80 V | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 15 mA, 300 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 320MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC4081U3T106R | 0.2300 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC4081 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||
![]() | R6007enjtl | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6007 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 620mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | Rd3p05battl1 | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P05 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | 2.500 | Canal P | 100 V | 50A (TA) | 6V, 10V | 41mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4620 pf @ 50 V | - | 101W (TA) | |||||||||||||||||
Rs3e075attb1 | 1.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | RQ6E050AJTCR | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 4.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 520 pf @ 15 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||
![]() | R6006JND3TL1 | 2.4200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6006 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 15V | 936mohm @ 3a, 15V | 7V @ 800 µA | 15.5 NC @ 15 V | ± 30V | 410 pf @ 100 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6006ANX | 1.5214 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6006 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 520 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
Rss040p03fu6tb | - | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS040 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 58mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8 NC @ 5 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | R8003KNXC7G | 2.4900 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R8003 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 3a (TA) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 2mA | 11.5 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 100 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||
![]() | Dta115tuat106 | 0.0463 | ![]() | 9973 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta115t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA115 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 100 kohms | |||||||||||||||||
![]() | R8008AnJGTL | 5.8200 | ![]() | 978 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R8008 | Mosfet (Óxido de metal) | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R8008Anjgtltr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 1.03ohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||
Sh8m51gzetb | 1.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m51 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 100V | 3A (TA), 2.5A (TA) | 170mohm @ 3a, 10v, 290mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.5nc @ 5V, 12.5nc @ 5V | 610pf @ 25V, 1550pf @ 25V | - | ||||||||||||||||
Sh8ka1gzetb | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8ka1 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5a (TA) | 80mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3NC @ 10V | 125pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
![]() | R6024VNXC7G | 4.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6024VNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V, 15V | 153mohm @ 6a, 15V | 6.5V @ 700 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 100 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||
![]() | SCT4036KEHRC11 | 23.1200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT4036KEHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 1200 V | 43a (TC) | 18V | 47mohm @ 21a, 18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V, -4V | 2335 pf @ 800 V | - | 176W | |||||||||||||
![]() | R6509KND3TL1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6509 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 230 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||
![]() | BSM600D12P3G001 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM600 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 2450W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM600D12P3G001 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 600A (TC) | - | 5.6V @ 182MA | - | 31000PF @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | Rq6l035attcr | 0.9400 | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6L035 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.5a (TA) | 4.5V, 10V | 78mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 30 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||
![]() | SCT4036KRC15 | 22.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | SCT4036 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247-4l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT4036KRC15 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 1200 V | 43a (TC) | 18V | 47mohm @ 21a, 18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V, -4V | 2335 pf @ 800 V | - | 176W | ||||||||||||
Rss130n03fu6tb | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS130 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4V, 10V | 8.1mohm @ 13a, 10v | 2.5V @ 1MA | 35 NC @ 5 V | 20V | 2000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
RSS065N03FU6TB | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS065 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4V, 10V | 26mohm @ 6.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.1 NC @ 5 V | ± 20V | 430 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | Rq3e120attb | 0.7700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
R6535KNZC8 | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6535KNZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1.21MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 102W (TC) |
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