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Transistores (3592)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
SCT3030ARC14	51.1200	RFQ	201	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	SCT3030		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		To-247-4l	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		650 V	70A (TC)	18V	39mohm @ 27a, 18V	5.6V @ 13.3MA	104 NC @ 18 V	+22V, -4V	1526 pf @ 500 V	-	262W
2SCR514PHZGT100	0.6400	RFQ	1	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA				500 MW	Sot-89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1,000																80 V	700 Ma						1 µA (ICBO)	NPN	300mv @ 15 mA, 300 mA	120 @ 100 mapa, 3V	320MHz
Dta115guat106	0.0463	RFQ	1776	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	DTA115			200 MW	UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																50 V	100 mA						500NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mV @ 250 µA, 5 mA	82 @ 5MA, 5V	250 MHz		100 kohms
Umf23ntr	0.0848	RFQ	2458	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	UMF23			150MW	UMT6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																50V	100 Ma, 150 Ma						500NA	1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP	300mV @ 500 µA, 10 mm / 500mv @ 5 mA, 50 mA	30 @ 5MA, 5V	250MHz, 140MHz	10 kohms	10 kohms
Ruf015n02tl	0.4900	RFQ	18	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, planos de cables	RUF015		Mosfet (Óxido de metal)		Tumt3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal		20 V	1.5a (TA)	1.8V, 4.5V	180mohm @ 1.5a, 4.5V	1V @ 1MA	2.5 NC @ 4.5 V	± 10V	110 pf @ 10 V	-	800MW (TA)
RZM001P02T2CL	-	RFQ	1875	Semiconductor rohm	*	Tape & Reel (TR)	Activo				RZM001		-			-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-RZM001P02T2CLTR	EAR99	8541.21.0095	8,000												-
RDN050N20FU6	-	RFQ	4676	Semiconductor rohm	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	RDN050		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FN	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		200 V	5A (TA)	10V	720mohm @ 2.5a, 10v	4V @ 1MA	18.6 NC @ 10 V	± 30V	292 pf @ 10 V	-	30W (TC)
Dtb543zmt2l	-	RFQ	5503	Semiconductor rohm	Dtb543z	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	Sot-723	DTB543			150 MW	VMT3	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	846-DTB543ZMT2LTR	EAR99	8541.21.0075	8,000																12 V	500 mA						500NA	PNP - Precializado + Diodo	300mv @ 5 Ma, 100 Ma	140 @ 100mA, 2V	260 MHz	4.7 kohms	47 kohms
2SC4081U3T106R	0.2300	RFQ	74	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	2SC4081			200 MW	UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	150 Ma						100NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	120 @ 1 MMA, 6V	180MHz
QSX2TR	0.2767	RFQ	5099	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	QSX2			500 MW	TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																30 V	5 A						100NA (ICBO)	NPN	250 mv a 40 mm, 2a	270 @ 500mA, 2V	200MHz
R6007enjtl	1.9600	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	R6007		Mosfet (Óxido de metal)		LPTS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		600 V	7a (TC)	10V	620mohm @ 2.4a, 10V	4V @ 1MA	20 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	40W (TC)
Sh8mc5tb1	1.8000	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sh8mc5		Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal			60V	6.5a (TA), 7a (TA)		32mohm @ 6.5a, 10v, 33mohm @ 7a, 10v	2.5V @ 1MA	7.6nc @ 10V, 50nc @ 10V		460pf @ 30V, 2630pf @ 30V	-
Dta144eubhzgtl	0.2000	RFQ	2	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		Montaje en superficie	SC-85	DTA144			200 MW	UMT3F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																	100 mA						-	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5MA, 5V	250 MHz	47 kohms	47 kohms
RW1C015UNT2R	-	RFQ	2132	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-smd, planos de cables	RW1C015		Mosfet (Óxido de metal)		6-wemt	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	8,000		N-canal		20 V	1.5a (TA)	1.5V, 4.5V	180mohm @ 1.5a, 4.5V	1V @ 1MA	1.8 NC @ 4.5 V	± 10V	110 pf @ 10 V	-	400MW (TA)
Rcj220n25tl	3.0500	RFQ	988	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	RCJ220		Mosfet (Óxido de metal)		LPTS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		250 V	22a (TC)	10V	140mohm @ 11a, 10v	5V @ 1MA	60 NC @ 10 V	± 30V	3200 pf @ 25 V	-	1.56W (TA), 40W (TC)
RXT2907AT100	0.2267	RFQ	5271	Semiconductor rohm	-	Cinta y Caja (TB)	No hay para Nuevos Diseños	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	RXT2907			500 MW	MPT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																60 V	600 mA						100na	PNP	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
R6008FNX	2.5064	RFQ	7182	Semiconductor rohm	-	Una granela	No hay para Nuevos Diseños	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	R6008		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220fm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-R6008FNX	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		600 V	8a (TC)	10V	950mohm @ 4a, 10v	4V @ 1MA	20 NC @ 10 V	± 30V	580 pf @ 25 V	-	50W (TC)
RSC002P03T316	0.3200	RFQ	49	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	RSC002		Mosfet (Óxido de metal)		SST3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P		30 V	250 mA (TA)	4V, 10V	1.4ohm @ 250 mA, 10V	2.5V @ 1MA		± 20V	30 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
RSS095N05FU7TB1	-	RFQ	6951	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto									-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-RSS095N05FU7TB1TR	Obsoleto		2.500					-
Ru1C002ZPTCL	0.2900	RFQ	67	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-85	RU1C002		Mosfet (Óxido de metal)		UMT3F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P		20 V	200MA (TA)	1.2V, 4.5V	1.2ohm @ 200 MMA, 4.5V	1V @ 100 µA	1.4 NC @ 4.5 V	± 10V	115 pf @ 10 V	-	150MW (TA)
R6024KNZ1C9	3.2600	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To-247	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		600 V	24a (TC)	10V	165mohm @ 11.3a, 10v	5V @ 1MA	45 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	245W (TC)
Rgt16ns65dgtl	1.8300	RFQ	266	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	RGT16	Estándar		94 W	LPDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V, 8a, 10ohm, 15V											42 ns	Parada de Campo de Trinchera	650 V	16 A	24 A	2.1V @ 15V, 8a	-	21 NC	13ns/33ns
RGTH40TS65GC13	4.7000	RFQ	7816	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	RGTH40	Estándar		144 W	To-247g	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-RGTH40TS65GC13	EAR99	8541.29.0095	600			400V, 20a, 10ohm, 15V												Parada de Campo de Trinchera	650 V	40 A	80 A	2.1V @ 15V, 20a	-	40 NC	22ns/73ns
Rd3l220sntl1	1.6700	RFQ	13	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	RD3L220		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		60 V	22a (TA)	4V, 10V	26mohm @ 22a, 10v	3V @ 1MA	30 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 10 V	-	20W (TC)
R6035ENZC8	-	RFQ	7301	Semiconductor rohm	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO			Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	360		N-canal		600 V	35A (TC)	10V	102mohm @ 18.1a, 10v	4V @ 1MA	110 NC @ 10 V	± 20V	2720 pf @ 25 V	-	120W (TC)
RQ1C065UNTR	0.6800	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	RQ1C065		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal		20 V	6.5a (TA)	1.5V, 4.5V	22mohm @ 6.5a, 4.5V	1V @ 1MA	11 NC @ 4.5 V	± 10V	870 pf @ 10 V	-	700MW (TA)
R6009knx	1.9900	RFQ	484	Semiconductor rohm	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	R6009		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220fm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		600 V	9A (TC)	10V	535mohm @ 2.8a, 10V	5V @ 1MA	16.5 NC @ 10 V	± 20V	540 pf @ 25 V	-	48W (TC)
UT6K30TCR	1.2100	RFQ	7	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powerudfn	UT6K30		Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)	Huml2020l8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)			60V	3a (TA)		153mohm @ 3a, 10v	2.7V @ 50 µA	2.1NC @ 10V		110pf @ 30V	-
RGW60TK65GVC11	5.9000	RFQ	450	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3PFM, SC-93-3	RGW60	Estándar		72 W	To-3pfm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 30a, 10ohm, 15V												Parada de Campo de Trinchera	650 V	33 A	120 A	1.9V @ 15V, 30a	480 µJ (Encendido), 490 µJ (apagado)	84 NC	37ns/114ns
R6020JNXC7G	5.8800	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	R6020		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220fm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		600 V	20A (TC)	15V	234mohm @ 10a, 15V	7V @ 3.5MA	45 NC @ 15 V	± 30V	1500 pf @ 100 V	-	76W (TC)

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