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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dtd143echzgt116 | 0.2500 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 47 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | R6014ynxc7g | 3.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6014YNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 100 V | - | 54W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | QH8KC5TCR | 0.8100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8KC5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3a (TA) | 90mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.1NC @ 10V | 135pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||
 | EM6K7T2CR | 0.4200 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EM6K7 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 200MA (TA) | 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Sh8jb5tb1 | 2.3400 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8jb5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-sh8jb5tb1tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 8.5A (TA) | 15.3mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 51NC @ 10V | 2870pf @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||
 | FMG9AT248 | - | | 6436 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fmg9 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
| RSS070N05TB1 | - | | 8087 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS070N05TB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 45 V | 7a (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 16.8 NC @ 5 V | ± 20V | 1000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | RQ3E120GNTB | 0.5200 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 16W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Dtc143zcat116 | 0.2800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | US6T7TR | 0.2628 | | 4499 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6T7 | 1 W | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 370 MV @ 50 mm, 1a | 270 @ 100mA, 2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Dta015eubtl | 0.0536 | | 3872 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta015e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTA015 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2144STPU | - | | 6017 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 2SD2144 | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 20 V | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20 mm, 500 mA | 820 @ 10mA, 3V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR502U3HZGT106 | 0.3600 | | 911 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SCR502 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 200NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 ma, 200 ma | 200 @ 100 mapa, 2v | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Sp8m5tb | - | | 8928 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8M5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 7a | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.2nc @ 5V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
| Dtc143eubtl | 0.2000 | | 780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | DTC143 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||
| RQ1E050RPTR | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ1E050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 31mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| QS8M51TR | 1.4300 | | 36 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8M51 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 100V | 2a, 1.5a | 325mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.7nc @ 5V | 290pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||
 | Rsr025n05hzgtl | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 100mohm @ 2.5a, 10v | 3V @ 1MA | 3.6 NC @ 5 V | ± 20V | 260 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Dta114eebhzgtl | 0.2300 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dta114 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| Rrl035p03fratr | 0.5200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RRL035 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.5a (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | RMW200N03TB | 0.8400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RMW200 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Rvq040n05hzgtr | 0.9600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RVQ040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.8 NC @ 5 V | ± 21V | 530 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| Dtc043xebtl | 0.2300 | | 41 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC043 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5MA, 10V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | R6014YNX3C16 | 3.7100 | | 9832 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | R6014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6014YNX3C16 | 50 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 100 V | - | 132W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | R6076MNZ1C9 | - | | 2188 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6076 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 55mohm @ 38a, 10v | 5V @ 1MA | 115 NC @ 10 V | ± 30V | 7000 pf @ 25 V | - | 740W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Rq5e025sntl | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 70mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.1 NC @ 5 V | ± 20V | 165 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Dtd543emt2l | 0.1035 | | 4124 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 115 @ 100 mapa, 2v | 260 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||
| R6030MNX | - | | 8681 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 15a, 10v | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 2180 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RGW00TK65GVC11 | 6.8800 | | 6578 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3PFM, SC-93-3 | RGW00 | Estándar | 89 W | To-3pfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 45 A | 200 A | 1.9V @ 15V, 50A | 1.18MJ (Encendido), 960 µJ (apagado) | 141 NC | 52NS/180NS | ||||||||||||||||||||||
 | Sh8k5tb1 | 0.4190 | | 1361 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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