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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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2N2222AP | 18.0000 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N2222AP | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n7371 | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/623 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | 100 W | Un 254 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 MA | 1mera | PNP - Darlington | 3V @ 120mA, 12A | 1000 @ 6a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptm50h15ft1g | 65.0300 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptm50 | Mosfet (Óxido de metal) | 208W | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canales N (Medio Puente) | 500V | 25A | 180mohm @ 21a, 10v | 5V @ 1MA | 170nc @ 10V | 5448pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
Jantx2n3506a | 14.1113 | ![]() | 6348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3506 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 A | - | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 40 @ 1.5a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n2060 | - | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/270 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N2060 | 600MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 50 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150A120T3AG | 153.7800 | ![]() | 4655 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp3 | Aptgt150 | 833 W | Estándar | Sp3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 220 A | 2.1V @ 15V, 150a | 250 µA | Si | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n5793 | 120.3406 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N5793 | 600MW | Un 78-6 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgtq200da65t3g | 95.0308 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Aptgtq200 | 483 W | Estándar | SP3F | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper | - | 650 V | 200 A | 2.2V @ 15V, 200a | 200 µA | Si | 12 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
Jansr2n5153 | 96.9206 | ![]() | 9648 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Banda | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5153 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 1mera | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n5681 | 26.9059 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/583 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5681 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 A | 10 µA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 250mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 90024-05TXV | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | A 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF300U120DG | - | ![]() | 6131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Sp6 | 1780 W | Estándar | Sp6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Escrutinio | 1200 V | 400 A | 3.9V @ 15V, 300A | 500 µA | No | 21 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
2N3499 | - | ![]() | 7404 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3421 | 24.3257 | ![]() | 8423 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3421 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N3421MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5427 | 27.7039 | ![]() | 6038 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N5427 | 40 W | TO-66 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 7 A | - | PNP | - | 30 @ 7a, 80v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ75X120CTYZBNMG | - | ![]() | 1513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 452 W | Rectificador de Puente Trifásico | - | - | 150-MSCGLQ75X120CTYZBNMG | 1 | Inversor trifásico con freno | - | 1200 V | 150 A | 2.4V @ 15V, 75a | 50 µA | Si | 4400 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
Jans2n2369a | 107.9306 | ![]() | 9068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400 na | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCM20XM16F4G | 234.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | - | Monte del Chasis | Módulo | MSCM20 | - | Sp4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-mscm20xm16f4g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200V | 77a (TC) | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2484UA | 15.2286 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2484 | 360 MW | Ua | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | NPN | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 0912GN-100LV | - | ![]() | 4015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Lv | Una granela | Activo | 150 V | Montaje en superficie | 55 kr | 960MHz ~ 1.215GHz | Hemt | 55 kr | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-0912GN-100LV | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 70 Ma | 110W | 17.5dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansl2n5154u3 | 232.1916 | ![]() | 7064 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 (SMD-0.5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2n5154u3 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N2907AUA/TR | 163.0048 | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | Ua | - | Alcanzar sin afectado | 150-msr2n2907aua/tr | 100 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3507 | 24.9641 | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3507 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 A | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 35 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
MSR2N2222AL | - | ![]() | 1973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-msr2n2222al | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N336Alt2 | 65.1035 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N336 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3792 | 42.7329 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N3792 | 5 W | A 3 | descascar | Alcanzar sin afectado | 2N3792Ms | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 5 mm | PNP | 2.5V @ 2a, 10a | 50 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n5661u3 | - | ![]() | 3073 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/454 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N5661 | 2 W | U3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 2 A | 200NA | NPN | 800mv @ 400mA, 2a | 25 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TC6320TG-G | 1.8100 | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TC6320 | Mosfet (Óxido de metal) | - | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,300 | Vecino del canal | 200V | - | 7ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | - | 110pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6183 | 287.8650 | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 60 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n6183 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | - | PNP | 700mv @ 200 µA, 2 Ma | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n5005 | - | ![]() | 1869 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/535 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chasis, Soporte de semento | TO10AA, TO-59-4, Stud | 2 W | TO-59/I | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 50 µA | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - |
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