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Transistores (5714)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans2n3867 | - |  | 6048 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/350 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 MA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 40 @ 1.5a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
| 2N4092ub | 44.4087 | | 9018 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N4092 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 16pf @ 20V | 40 V | 15 Ma @ 20 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jan2n3584 | - | | 1096 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/384 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2.5 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 2 A | 5 mm | NPN | 750mv @ 125ma, 1a | 25 @ 1a, 10v | - | |||||||||||||||||||||||
 | APT75GT120JU3 | 31.0500 | | 4669 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | Apt75gt120 | 416 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 75a | 5 Ma | No | 5.34 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | Jan2n1715 | - | | 5019 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 750 Ma | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N3637L | 11.4646 | | 8783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3637 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n3637ub | 23.4612 | | 4776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N3637 | 1.5 W | 3-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||||||||
| Aptgt50dh60t1g | 53.3505 | | 3871 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptgt50 | 176 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Puente Asimétrico | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 3.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| 2N5416UA | 47.0155 | | 9093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N5416 | 750 MW | Ua | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 1 A | 1mera | PNP | 2V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| Jan2n3740 | 32.7180 | | 3334 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/441 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N3740 | 25 W | TO-66 (TO-213AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 4 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 125ma, 1a | 30 @ 250 Ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n2222a | 3.5910 | | 7328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2222 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
 | MIC94031BM4 TR | - | | 7425 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Tinyfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | Mic94031 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-143 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 16 V | 1a (TA) | 2.7V, 10V | 450mohm @ 100 mA, 10V | 1.4V @ 250 µA | 16 V | 100 pf @ 12 V | - | 568MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | Jantxv2n2219a | 7.5145 | | 5535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | TO-205Ad | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n3879 | 33.5426 | | 6567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/526 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N3879 | 35 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 V | 7 A | 25 mA (ICBO) | NPN | 1.2V @ 400mA, 4A | 20 @ 4a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||
| Jan2n335 | - | | 7851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N335 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n3724 | - | | 9156 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n5662 | - | | 4821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/454 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N5662 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 2 A | 200NA | NPN | 800mv @ 400mA, 2a | 40 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N1488 | 58.8900 | | 9972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 75 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N1488 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 V | 6 A | 25 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 300mA, 1.5a | 15 @ 1.5a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n3440l | 11.6907 | | 8090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3440 | 800 MW | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N3501 | 10.1100 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3501 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Aptgt600u120d4g | 308.0900 | | 2512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | D4 | Aptgt600 | 2500 W | Estándar | D4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 900 A | 2.1V @ 15V, 600A | 5 Ma | No | 40 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | 2N3507 | 24.9641 | | 2082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3507 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 A | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 35 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n2907aua | 20.4953 | | 8659 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2907 | 500 MW | Ua | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N3421 | 24.3257 | | 8423 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3421 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N3421MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n3498ub/tr | 21.6657 | | 6654 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n3498ub/tr | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6377 | 115.3110 | | 9001 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N6377 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C3724 | 6.1500 | | 4378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C3724 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansf2n222222aub | 146.8306 | | 6705 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Jansm2n3440l | 233.7316 | | 3864 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 800 MW | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n3440l | 1 | 250 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N6193U3 | 153.0963 | | 7164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N6193 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |
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