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Transistores (5714)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2C3637-MSCL | 7.3650 |  | 3596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2C3637-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N4311 | 14.6400 | | 7630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | TO-5AA | Alcanzar sin afectado | 150-2N4311 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||
 | Jansm2n3700 | 32.9802 | | 2006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n3700 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| 2N5633 | 74.1300 | | 8599 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 150 W | TO-204AD (TO-3) | Alcanzar sin afectado | 150-2N5633 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 10 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||
 | Mq2n4091ub | 81.2497 | | 6682 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 360 MW | UB | Alcanzar sin afectado | 150-mq2n4091ub | 1 | N-canal | 40 V | 16pf @ 20V | 40 V | 30 Ma @ 20 V | 30 ohmios | |||||||||||||
| 2N498S | 21.1350 | | 8721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2N498S | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 2C3762 | 8.4600 | | 3657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2C3762 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2n2907aubc | 23.3282 | | 8211 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n2907aubc | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||
| 2C2907A-MSCL | 2.2650 | | 2125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2C2907A-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| MSR2N3810U | - | | 4251 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N3810 | 350MW | U | Alcanzar sin afectado | 150-MSR2N3810U | 100 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | |||||||||||
 | Jankcad2n3637 | - | | 9095 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-Jankcad2n3637 | 100 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||
| Jansd2n5153u3 | 229.9812 | | 9426 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1.16 W | U3 | Alcanzar sin afectado | 150-Jansd2n5153u3 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||
| 2N3752 | 273.7050 | | 5125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | A 11-4, semental | 30 W | To-111 | Alcanzar sin afectado | 150-2N3752 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | - | PNP | 250mv @ 100 µA, 1 mA | - | - | ||||||||||
| 2N3599 | 547.4100 | | 8172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | Un stud de 211 MB, TO-63-4 | 100 W | TO-63 | Alcanzar sin afectado | 150-2N3599 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 20 A | - | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | - | - | ||||||||||
| Mq2n2608ub | 120.8039 | | 7371 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/295 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 300 MW | UB | Alcanzar sin afectado | 150-mq2n2608ub | 1 | Canal P | 10pf @ 5V | 30 V | 1 ma @ 5 V | 750 MV @ 1 µA | ||||||||||||||
| 2N2727 | 15.9600 | | 9164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | TO-5AA | Alcanzar sin afectado | 150-2N2727 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 500 mA | - | PNP | - | - | - | ||||||||||
| 2N2946 | 24.6450 | | 7242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2N2946 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4391 | 27.9965 | | 6982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | TO-18 (TO-206AA) | Alcanzar sin afectado | 150-mq2n4391 | 1 | N-canal | - | ||||||||||||||||||
| Jansm2n2907a | 99.0906 | | 1572 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n2907a | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| Jankcbd2n2906a | - | | 4039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | Alcanzar sin afectado | 150-jankcbd2n2906a | 100 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| Jankcap2n3635 | - | | 8995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-jankcap2n3635 | 100 | 140 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||
| Jansp2n2218 | 114.6304 | | 9526 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N2218 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| 2N3700AUB | 10.6950 | | 3082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | Alcanzar sin afectado | 150-2N3700AUB | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||
| Jansf2n2906aua | 156.0008 | | 7364 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | Ua | Alcanzar sin afectado | 150-jansf2n2906aua | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| Jankccl2n3498 | - | | 2938 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCCL2N3498 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| 2N3439P | 27.9750 | | 9958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-2N3439P | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||
| Jans2n5152u3 | 269.3620 | | 7017 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 (SMD-0.5) | Alcanzar sin afectado | 150-JANS2N5152U3 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||
| Mv2n5114ub | 95.6403 | | 3262 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | Alcanzar sin afectado | 150-MV2N5114ub | 1 | Canal P | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 30 Ma @ 18 V | 5 V @ 1 Na | 75 ohmios | ||||||||||||
| Jankccp2n3499 | - | | 4694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-JankCCP2N3499 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| 2N5415UAC | 63.3600 | | 4897 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 750 MW | Ua | Alcanzar sin afectado | 150-2N5415UAC | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 V | 1 A | 1mera | PNP | 2V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | - |
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