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Transistores (5714)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
APTGLQ75H120T3G Microchip Technology Aptglq75h120t3g 125.0600
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero SP1 Aptglq75 385 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1200 V 130 A 2.4V @ 15V, 75a 50 µA Si 4.4 NF @ 25 V
2N2604UB/TR Microchip Technology 2n2604ub/tr 81.6100
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 400 MW UB - 100 60 V 30 Ma 10NA PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 500 µA, 5V -
JANSR2N2222AUA/TR Microchip Technology Jansr2n222222aua/tr 152.2210
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 650 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANSR2N2222AUA/TR EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology APT35GN120L2DQ2G 10.7800
RFQ
 ECAD 8917 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt35gn120 Estándar 379 W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 800V, 35A, 2.2OHM, 15V NPT, Parada de Campo de Trinchegras 1200 V 94 A 105 A 2.1V @ 15V, 35a 2.315mj (apaguado) 220 NC 24ns/300ns
VN0300L-G Microchip Technology VN0300L-G 1.4300
RFQ
 ECAD 1915 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN0300 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 640MA (TJ) 5V, 10V 1.2ohm @ 1a, 10v 2.5V @ 1MA ± 30V 190 pf @ 20 V - 1W (TC)
CMLRGLQ80V601AMXG-AS Microchip Technology CMLRGLQ80V601AMXG-AS -
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 Tecnología de Microchip * Banda Obsoleto - 150-CMLRGLQ80V601AMXG-AS Obsoleto 1
APT1201R4BLLG Microchip Technology Apt1201r4bllg 13.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 APT1201 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ACT1201R4BLLG EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 9A (TC) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 5V @ 1MA 120 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
APTM10HM19FT3G Microchip Technology Aptm10hm19ft3g 89.0600
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm10 Mosfet (Óxido de metal) 208W Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 100V 70a 21mohm @ 35a, 10v 4V @ 1MA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
APTGL60DDA120T3G Microchip Technology Aptgl60dda120t3g 75.0300
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptgl60 280 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de Doble Impulso Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 2.25V @ 15V, 50A 250 µA Si 2.77 NF @ 25 V
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp6 961 W Estándar Sp6 descascar 1 (ilimitado) APTGF150H120GMP-ND EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero Escrutinio 1200 V 200 A 3.7V @ 15V, 150a 350 µA No 10.2 NF @ 25 V
2N6308T1 Microchip Technology 2N6308T1 349.2000
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 125 W TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2N6308T1 EAR99 8541.29.0095 1 350 V 8 A 50 µA NPN 5V @ 2.67a, 8a 12 @ 3a, 5v -
JANTX2N2946AUB/TR Microchip Technology Jantx2n2946aub/tr -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/382 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 400 MW UB - 150-JantX2N2946AUB/TR 1 35 V 100 mA 10 µA (ICBO) PNP - 50 @ 1 MMA, 500mv -
APT100GT120JU3 Microchip Technology Apt100gt120ju3 38.3400
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Apt100 480 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 140 A 2.1V @ 15V, 100A 5 Ma No 7.2 NF @ 25 V
APTGT75TDU120PG Microchip Technology Aptgt75tdu120pg 244.2520
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Monte del Chasis Sp6 Aptgt75 350 W Estándar SP6-P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Triple, Dual - Fuente Común Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 75a 250 µA No 5.34 NF @ 25 V
APTCV60TLM45T3G Microchip Technology Aptcv60tlm45t3g 109.2700
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 APTCV60 250 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de Tres Niveles - IGBT, FET Parada de Campo de Trinchera 600 V 100 A 1.9V @ 15V, 75a 250 µA Si 4.62 NF @ 25 V
APTGT100A120T3AG Microchip Technology APTGT100A120T3AG 121.1400
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sp3 Aptgt100 595 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 140 A 2.1V @ 15V, 100A 250 µA Si 7.2 NF @ 25 V
APTGLQ200HR120G Microchip Technology Aptglq200hr120g 242.7600
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sp6 Aptglq200 1000 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.4V @ 15V, 160a 200 µA No 9.2 NF @ 25 V
APT25GR120SD15 Microchip Technology APT25GR120SD15 8.0200
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Apt25gr120 Estándar 521 W D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 4.3OHM, 15V Escrutinio 1200 V 75 A 100 A 3.2V @ 15V, 25A 742 µJ (Encendido), 427 µJ (apaguado) 203 NC 16ns/122ns
JANSP2N2221AUBC Microchip Technology Jansp2n2221aubc 231.8416
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2221AUBC 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology Aptglq100da120t1g 58.8400
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Aptglq100 520 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Boost Chopper Parada de Campo de Trinchera 1200 V 170 A 2.42V @ 15V, 100A 50 µA Si 6.15 NF @ 25 V
JANSF2N2221AUBC Microchip Technology Jansf2n2221aubc 238.4918
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSF2N2221AUBC 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
JAN2N2484UA/TR Microchip Technology Jan2N2484UA/TR 16.3191
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/376 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2484 360 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero2N2484UA/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA NPN 300mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10mA, 5V -
JANKCCG2N3499 Microchip Technology Jankccg2n3499 -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-jankccg2n3499 100 100 V 500 mA 10 µA (ICBO) NPN 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150mA, 10V -
2N3016 Microchip Technology 2N3016 31.9050
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 5 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2n3016 EAR99 8541.29.0095 1 50 V - NPN - - -
JANKCAD2N2369A Microchip Technology Jankcad2n2369a -
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-Jankcad2n2369a 100 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
2N5330 Microchip Technology 2N5330 519.0900
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD 140 W TO-61 - Alcanzar sin afectado 150-2N5330 EAR99 8541.29.0095 1 90 V 20 A - PNP 1.8v @ 2 mm, 10 ma - -
JANTX2N7371 Microchip Technology Jantx2n7371 -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/623 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) 100 W Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 1 MA 1mera PNP - Darlington 3V @ 120mA, 12A 1000 @ 6a, 3V -
2N3776 Microchip Technology 2N3776 33.0450
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 5 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2N3776 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 A - PNP - - -
JANSL2N3634UB Microchip Technology Jansl2n3634ub -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 1 W UB - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 50 mapa, 10v -
JANTX2N2484UB/TR Microchip Technology Jantx2n2484ub/tr 17.4762
RFQ
 ECAD 7910 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/376 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N2484 360 MW UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX2N2484UB/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA NPN 300mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10mA, 5V -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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