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Transistores (5714)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JANTX2N7372 Microchip Technology Jantx2n7372 -
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/612 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) 4 W Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 50 µA 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N2604 Microchip Technology Jantx2n2604 -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/354 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 2N2604 400 MW TO-46 (TO-206AB) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 30 Ma 10NA PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 500 µA, 5V -
JANSL2N4449 Microchip Technology Jansl2n4449 129.0708
RFQ
 ECAD 3789 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 500 MW A-46 - Alcanzar sin afectado 150-Jansl2n4449 1 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
JANS2N6193 Microchip Technology Jans2n6193 95.9904
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/561 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N6193 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 5 A 100 µA PNP 1.2V @ 500 Ma, 5a 60 @ 2a, 2v -
JANTXV2N2222AUA/TR Microchip Technology Jantxv2n222222aua/tr 32.0397
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 650 MW 4-SMD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n2222aua/tr EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
JANTX2N918 Microchip Technology Jantx2n918 10.9193
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N918 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q10433412 EAR99 8541.21.0095 1
2N656 Microchip Technology 2N656 35.8169
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N656 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
90024-06TXV Microchip Technology 90024-06TXV -
RFQ
 ECAD 6040 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 A 3 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
JANTX2N2605 Microchip Technology Jantx2n2605 22.0248
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/354 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 2N2605 400 MW TO-46 (TO-206AB) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 30 Ma 10NA PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 10mA, 5V -
JANTX2N3506U4 Microchip Technology Jantx2n3506u4 -
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1 µA 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 50 @ 500mA, 1V -
2N696S Microchip Technology 2n696s 14.5901
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N696 600 MW To-39 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40 V 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma 20 @ 150mA, 10V -
JAN2N4029 Microchip Technology Jan2n4029 7.6209
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/512 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N4029 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v -
JAN2N2484UA Microchip Technology Jan2n2484ua 16.1861
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/376 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2484 360 MW Ua descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA NPN 300mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10mA, 5V -
JANTX2N5237S Microchip Technology Jantx2n5237s 21.7588
RFQ
 ECAD 1697 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/394 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5237 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 120 V 10 A 10 µA NPN 2.5V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5v -
2N5883 Microchip Technology 2N5883 42.1344
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N5883 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2N5883MS EAR99 8541.29.0095 1
2N2222AE3 Microchip Technology 2N222222AE3 4.5300
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2222 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
2N657S Microchip Technology 2N657S 40.3950
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 600 MW TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2n657s EAR99 8541.21.0095 1 40 V 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
APTGT200SK60T3AG Microchip Technology Aptgt200sk60t3ag 92.6400
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptgt200 750 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 290 A 1.9V @ 15V, 200a 250 µA Si 12.3 NF @ 25 V
APTGT100DU120TG Microchip Technology Aptgt100du120tg 127.2500
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptgt100 480 W Estándar Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Fuente Común Dual Parada de Campo de Trinchera 1200 V 140 A 2.1V @ 15V, 100A 250 µA Si 7.2 NF @ 25 V
APT8065BVFRG Microchip Technology Apt8065bvfrg 13.7700
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Tecnología de Microchip Power Mos V® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Apt8065 Mosfet (Óxido de metal) To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 13a (TC) 650mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 V 3700 pf @ 25 V -
HS2222ATX/TR Microchip Technology HS2222ATX/TR 10.4937
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - - - - - Alcanzar sin afectado 150-HS2222ATX/TR 100 - PNP - - -
JANSM2N2907AUBC Microchip Technology Jansm2n2907Aubc 305.9206
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-Jansm2n2907Aubc 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
2N3440L Microchip Technology 2N3440L 26.6665
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3440 800 MW A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 250 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
JAN2N4449UB/TR Microchip Technology Jan2n4449ub/tr 26.1478
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 400 MW UB - Alcanzar sin afectado 150-Enero2n4449ub/TR EAR99 8541.21.0095 100 20 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
89100-06TXV Microchip Technology 89100-06TXV -
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
2N3501U4 Microchip Technology 2N3501U4 120.9502
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 300 mA 50NA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N6990 Microchip Technology Jantxv2n6990 51.5242
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/559 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie Puñetazo 2N6990 400MW Puñetazo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50V 800mA 10 µA (ICBO) 4 NPN (Quad) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
MSC090SMA070SA Microchip Technology MSC090SMA070SA 6.4000
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA MSC090 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 268 - Alcanzar sin afectado 150-MSC090SMA070SA EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 700 V 25A (TC) 20V 115mohm @ 15a, 20V 2.4V @ 750 µA 38 NC @ 20 V +23V, -10V 785 pf @ 700 V - 91W (TC)
2N5680 Microchip Technology 2N5680 22.1312
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5680 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N5680 MS EAR99 8541.29.0095 1 120 V 1 A 10 µA PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 250mA, 2V -
JANSD2N2219 Microchip Technology Jansd2n2219 114.6304
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/251 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 800 MW TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Jansd2N2219 1 50 V 800 Ma 10NA NPN 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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