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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Jan2n6691 | - | ![]() | 6075 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/538 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 3 W | TO-61 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 A | 1MA (ICBO) | NPN | 1v @ 3a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n222222aua/tr | 32.0397 | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 650 MW | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n2222aua/tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n6338 | 113.2894 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/509 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 200 W | A 3 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 50 µA | 50 µA | NPN | 1.8v @ 2.5a, 25a | 30 @ 10a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n918 | 10.9193 | ![]() | 2767 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N918 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q10433412 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n6251 | - | ![]() | 5124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 3 | 2N6251 | 5.5 W | TO-3 (TO-204AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 10 A | 1mera | NPN | 1.5V @ 1.67a, 10a | 6 @ 10a, 3V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N656 | 35.8169 | ![]() | 6680 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N656 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 90024-06TXV | - | ![]() | 6040 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | A 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
Jantx2n2605 | 22.0248 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N2605 | 400 MW | TO-46 (TO-206AB) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3506u4 | - | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1 µA | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 50 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2n696s | 14.5901 | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N696 | 600 MW | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 10 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma | 20 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
Jan2n4029 | 7.6209 | ![]() | 7616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4029 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 1a | 100 @ 100 maja, 5v | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2484ua | 16.1861 | ![]() | 8236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/376 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2484 | 360 MW | Ua | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | NPN | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10mA, 5V | - | |||||||||||||||||
Jantx2n5237s | 21.7588 | ![]() | 1697 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5237 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2.5V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5v | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6649 | 132.2286 | ![]() | 3824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/527 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 A | 1MA (ICBO) | PNP - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5883 | 42.1344 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N5883 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N5883MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansl2n3636ub | - | ![]() | 1965 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 1.5 W | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | |||||||||||||||||||
2N222222AE3 | 4.5300 | ![]() | 4070 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2222 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N657S | 40.3950 | ![]() | 4887 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 600 MW | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n657s | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 10 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15 Ma, 150 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n3725l | - | ![]() | 1810 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 500 mA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5323 | 17.6757 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 10 W | A-5 | - | Alcanzar sin afectado | 2N5323MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | Aptgt200sk60t3ag | 92.6400 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp3 | Aptgt200 | 750 W | Estándar | Sp3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 290 A | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | Si | 12.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||
![]() | Aptgt100du120tg | 127.2500 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp4 | Aptgt100 | 480 W | Estándar | Sp4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fuente Común Dual | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 140 A | 2.1V @ 15V, 100A | 250 µA | Si | 7.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||
![]() | Apt8065bvfrg | 13.7700 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt8065 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 650mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 V | 3700 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||
![]() | HS2222ATX/TR | 10.4937 | ![]() | 4816 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-HS2222ATX/TR | 100 | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
APTGF100A120TG | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Sp4 | 568 W | Estándar | Sp4 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Escrutinio | 1200 V | 135 A | 3.7V @ 15V, 100A | 350 µA | Si | 6.9 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||
![]() | 89100-02TX | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3053 | 41.8418 | ![]() | 3979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 W | A-5 | - | Alcanzar sin afectado | 2N3053MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 700 Ma | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n5157 | 64.7311 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/371 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N5157 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 3.5 A | 250 µA | NPN | 2.5V @ 700mA, 3.5a | 30 @ 1a, 5v | - | |||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3700ub/tr | 8.7780 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N3700 | 500 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
Jans2n2221 | 61.8704 | ![]() | 7939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jans2N2221 | 1 | 30 V | - | NPN | - | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
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