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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Jan2n6350 | - | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/472 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AC, TO-33-4 METAL CAN | 1 W | To-33 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | - | NPN - Darlington | 1.5V @ 5MA, 5A | 2000 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6674 | 177.2092 | ![]() | 4807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N6674 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT1201R6BVFRG | 18.9800 | ![]() | 3717 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | APT1201 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 V | 8a (TC) | 1.6ohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 230 NC @ 10 V | 3660 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||
Apt8020b2fllg | 33.7100 | ![]() | 8878 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 7® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt8020 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 38a (TC) | 220mohm @ 19a, 10v | 5V @ 2.5MA | 195 NC @ 10 V | 5200 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3507L | 12.1695 | ![]() | 9368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3507 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 A | - | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 30 @ 1.5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70DUM07T3AG | 283.3800 | ![]() | 9131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM70 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 988W (TC) | SP3F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM70DUM07T3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 700V | 353A (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12MA | 645nc @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N3636ub | 13.4995 | ![]() | 5524 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N3636 | 1.5 W | 3-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||
Jansr2n3019s | 129.6708 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3019 | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
Apt31m100b2 | 12.9700 | ![]() | 7936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 8 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt31m100 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 32A (TC) | 10V | 380mohm @ 16A, 10V | 5V @ 2.5MA | 260 NC @ 10 V | ± 30V | 8500 pf @ 25 V | - | 1040W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n3739 | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/402 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N3739 | 20 W | TO-66 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 2.5V @ 25MA, 250 Ma | 25 @ 250 Ma, 10v | - | ||||||||||||||||||||
Jan2n5666s | - | ![]() | 1668 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5666 | 1.2 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | 200NA | NPN | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1a, 5v | - | |||||||||||||||||||||
F2N5154 | 36.6548 | ![]() | 5778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-F2N5154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCB2N5004 | 49.6622 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/534 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | Morir | 2 W | Morir | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 50 µA | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
Jantx2n2484 | 9.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/376 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2484 | 360 MW | Un 18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | NPN | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5154U3 | 107.4906 | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1mera | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n6693 | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/538 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 3 W | TO-61 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15 A | 1MA (ICBO) | NPN | 1v @ 3a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n6648 | 104.1523 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/527 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 10 A | 1MA (ICBO) | PNP - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n918ub | 29.3265 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/301 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N918 | 200 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 50 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 20 @ 3mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||
Jan2N5339 | 9.5494 | ![]() | 6748 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/560 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5339 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | NPN | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jansf2n3700ub/tr | 49.5902 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3 LCC | 2N3700 | 500 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANSF2N3700UB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
Jans2n2905 | 94.6406 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/290 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 1 µA | 1 µA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5794 | 37.4794 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N579 | 600MW | Un 78-6 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N5794MS | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt100tdu60pg | 193.9500 | ![]() | 8047 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptgt100 | 340 W | Estándar | SP6-P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Triple, Dual - Fuente Común | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 150 A | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | No | 6.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | Jan2n6547 | 46.3004 | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/525 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N6547 | 175 W | TO-204AA (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15 A | - | NPN | 5V @ 3a, 15a | 12 @ 5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2C5679 | 9.6300 | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C5679 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLX48 | 30.3107 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-Blx48 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6423 | 27.0655 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 35 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL700SK120D3G | 312.7200 | ![]() | 9898 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Aptgl700 | 3000 W | Estándar | D3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 840 A | 2.2V @ 15V, 600A | 5 Ma | No | 37.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | Jansm2n2907aub | 59.0304 | ![]() | 9005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-jansm2n2907aub | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n5237 | - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2.5V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5v | - |
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